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우병일(Byung-il Woo),김동원(Dong-Won Kim) 한국표면공학회 2009 한국표면공학회지 Vol.42 No.5
This study presented the effect of membrane thickness on hydrogen permeability. Microvoids on the surface of the membrane should not exist for the exact values of hydrogen permeability. Pd-Cu-Ni hydrogen alloy membranes were fabricated by Ni powder sintering, substrate plasma pretreatment, sputtering and Cu reflow process. And this leaded to void-free surface and dense film of Pd-Cu-Ni hydrogen alloy membrane. Hydrogen permeation test showed that hydrogen permeability increased from 2.7 to 15.2 ml/㎠·min·atm<SUP>0.5</SUP> as membrane thickness decreased from 12 to 4 ㎛. This represented the similar trend as a hydrogen permeability of pure palladium membrane based on solution-diffusion mechanism.
구슬기 ( Seul-ki Koo ),우병일 ( Byung-il Woo ),문성업 ( Sungup Moon ),이상원 ( Sang-won Lee ),손병규 ( Byung Giu Son ) 한국정보처리학회 2010 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.17 No.2
호적은 사회문화적으로 많은 가치를 지닌 데이터이나 체계적으로 전산화되어 있지 않기 때문에 사용에 많은 제약이 존재했다. 또한 호적은 직접적인 세금 징수 및 군역 관리를 위한 기록이기 때문에 인구연구에 사용하기에 부정확하고 결여되거나 불일치한 데이터가 다수 존재한다. 따라서 인구학 연구에 중요한 동일인 정보에 대해 직접적인 비교로 동일인을 찾는 것은 불가능하다. 본 논문에서는 웹 서버와 데이터베이스를 사용해 가중치방식을 통한 동일인추적을 가능하게 하는 것으로 호적의 연구자원으로서의 가치를 증가시킨다. 조선시대 단성현의 93,803 개의 데이터를 대상으로 최적 가중치 한계와 소모시간의 단축을 위한 방법에 대해 서술한다.
PET 기판 위에 SiO₂ 버퍼층 증착에 따른 ITO 박막의 부착 및 전기적 광학적 특성 연구
강자연(Ja-youn Kang),김동원(Dong-won Kim),조규일(Dong-won Kim),우병일(Byung-il Woo),윤환준(Hwan-jun Yun) 한국표면공학회 2009 한국표면공학회지 Vol.42 No.1
Using an evaporation system, SiO₂ was deposited as a buffer layer between a PET substrate and a ITO layer and then ITO/SiO₂/PET layers were annealed for 1.5 hours at the temperature of 180℃. Adhesion and electro-optical properties of ITO films were studied with thickness variance of a SiO₂ buffer layer. As a result of introduction of the SiO₂ buffer layer, sheet resistance and resistivity increased and a ITO film with optimum sheet resistance ( 529.3 Ω/square) for an upper ITO film of resistive type touch panel could be obtained when SiO₂ of 50 A was deposited. And it was found that ITO films with SiO₂ buffer layer have higher transmittance of 88~90% at 550 ㎚ wavelength than ITO films with no buffer layers and the transmittance was enhanced as SiO₂ thickness increased from 50 A to 100 A. Adhesion property of ITO films with SiO₂ buffer layers became better than ITO films with no buffer layers and this property was independent of SiO₂ thickness variance (50~100 A). By depositing a SiO₂ buffer layer of 50 A on the PET substrate and sputtering a ITO thin film on the layer, a ITO film with enhanced adhesion, electro-optical properties could be obtained.