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펄스 레이저 증착법으로 증착된 MgTiO₃ 박막의 전기적 특성 분석
안순홍(Soonhong Ahn),노용한(Yonghan Roh),이영훈(Younghun Lee),강신충(Shinchung Kang),이재찬(Jaichan Lee) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.3
차세대 마이크로파 유전체 소자에 응용하기 위한 MgTiO₃ 박막을 펄스 레이저 증착법(PLD, pulsed laser deposition)을 이용하여 400~500℃에서 비정질 상태로 실리콘 기판 위에 성장시킨 후 전기적 특성을 분석하였다. PLD로 증착된 MgTiO₃ 박막의 전기적 특성은 성장 시 온도에 의존하였다. 즉, 증착 온도가 낮아짐에 따라 MgTiO₃ 박막 내부에 존재하는 이상정전하 결함 밀도가 증가하였으며, 이들 결함과 실리콘 기판과의 전하교환에 의하여 High Frequency(HF) C-V 곡선이 음의 방향으로 이동하는 현상이 관측된 것으로 사료된다. 또한, 증작 온도간 HF C-V 곡선 이동 폭 및 이상정전하 밀도는 ~100Å 두께의 SiO₂ 중간층을 사용할 경우에 현저히 감소함을 확인하였다. We have analyzed electrical characteristics of the amorphous MgTiO₃ thin films deposited by pulsed laser deposition (PLD) technique with the temperature of 400~500℃. The electrical characteristics of MgTiO₃ films heavily depend on the deposition temperature. We speculate that the density of anomalous positive charge (APC) substantially increases as the deposition temperature lowers, causing the HF C-V curves shift to the direction of the negative gate voltage. We further observed that both the degree of C-V shift as a function of the deposition temperature and the density of APC were minimized by the use of SiO₂ with thickness of approximately 100 Å between MgTiO₃ films and the Si substrate.
강신충(Shinchung Kang),임왕규(Wangkyu Lim),안순홍(Soonhong Ahn),노용한(Younghan Roh),이재찬(Jaichan Lee) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.3
광소자와 마이크로파 유전체 소자 및 결연 산화막으로의 응용을 위한 MgTiO₃ 박막을 펄스레이저 증착법을 이용하여 다양한 기판 위에서 증착하였다. 사파이어 기판에(c-plane Sapphire) 성장된 MgTiO₃ 박막은 에피텍셜 성장(epitaxial growth)이 되었으며, SiO₂/Si 및 Pt/Ti/SiO₂/Si(platinzed silicon)기판 위에 성장된 MgTiO₃ 박막의 경우, 기판과 관계없이 c축 방향으로 배향(oriented)되었다. 사파이어 기판 위에 증착된 MgTiO₃ 박막은 가시영역에서 투명하였으며, 약 290 ㎚ 파장을 갖는 영역에서 급격한 흡수단을 보였다. 사파이어 기판 위에 성장된 박막의 AFM(Atomic Force Microscopy) 분석결과 약 0.87 ㎚ rms roughness 값을 갖는 매우 평탄한 표면상태를 갖고 있음을 확언하였다. MIM(Pt/MgTiO₃/Pt) 구조의 캐패시터를 형성시켜 MgTiO₃ 박막의 유전특성(dielectric properties)을 관찰하였는데, 펄스레이저 증착법으로 성장된 MgTiO₃ 박막의 유전율(relative dielectric constant)은 약 24.5였으며, 1 MHz에서 약 1.5%의 유전손실(dielectric loss) 값을 보였다. 또한 이때 MgTiO₃ 박막은 낮은 유전분산을 보였다. MgTiO₃ thin films have been grown on various substrates by pulsed laser deposition (PLD) to investigate the application for microwave dielectrics and optical devices. Epitaxial MgTiO₃ thin films were obtained on sapphire (c-plane Al₂O₃). MgTiO₃ thin films deposited on SiO₂/Si and platinized silicon (Pt/Ti/SiO₂/Si) substrates were highly oriented. MgTiO₃ thin films grown on sapphire were transparent in the visible and had a sharp absorption edge about 290 ㎚. These MgTiO₃ thin films had extremely fine feature of surface morphology, i.e., rms roughness of 0.87 ㎚, which was examined by AFM. We have investigated the dielectric properties of the MgTiO₃ thin films in MIM(Pt/MgTiO₃/Pt) capacitors. Dielectric constant and loss of MgTiO₃ thin films deposited by PLD were about 24 and 1.5% at 1 MHz, respectively. These MgTiO₃ thin films also exhibited little dielectric dispersion.
김주영 ( Jooyoung Kim ),이지민 ( Jimin Lee ),안순홍 ( Soonhong An ),이훈석 ( Hoonsuk Lee ) 한국정보처리학회 2018 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.25 No.1
비정형 데이터의 대표적인 형태 중 하나인 텍스트 데이터 기계학습은 다양한 산업군에서 활용 되고 있다. NOTAM 은 하루에 수 천개씩 생성되는 항공전문으로써 현재는 사람의 수작업으로 분석 하고 있다. 기계학습을 통해 업무 효율성을 기대할 수 있는 반면,축약어가 혼재된 단문이라는 데이터의 특성상 일반적인 분석에 어려움이 있다. 본 연구에서는,데이터의 크기가 크지 않고,축약어가 혼재되어 있으며,문장의 길이가 매우 짧은 문서들을 군집화하는 방법을 제안한다. 주제를 기준으로 문서를 분류하는 LDA 와,단어를 k 차원의 벡터공간에 표현하는 Word2Vec 를 활용하여 잡음이 포함 된 단문 데이터에서도 효율적으로 문서를 군집화 할 수 있다.