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MCM-D 공정기술을 이용한 V-BAND FILTER 구현에 관한 연구
유찬세,송생섭,박종철,강남기,차종범,서광석,Yoo Chan-Sei,Song Sang-Sub,Part Jong-Chul,Kang Nam-Kee,Cha Jong-Bum,Seo Kwang-Seok 대한전자공학회 2006 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.43 No.9
본 연구에서는 Si bump를 이용해 기판의 기계적, 열적 특성을 개선한 MCM-D 기판공정을 개발하였고, 이를 system-on-package(SOP)-D개념의 system 구현에 적용하고자 하였다. 이 과정에서 밀리미터파 대역에 적용될 수 있는 필터를 설계하고 구현하여 그 특성을 관찰하였다. 두 가지 형태의 필터를 구현하였는데 첫 번째는 공진기간의 커플링을 이용한 구조로서 2층의 금속층과 3층의 유전체(BCB)를 이용하였다. 구현된 필터 특성은 중심주파수 55 GHz에서의 삽입손실이 2.6 dB이고 군지연이 0.06 ns정도로 우수한 특성을 나타내었다. 또한 일반적으로 알려진coupled line 형태의 필터를 구현하였는데 삽입손실이 3 dB, 군지연이 0.1 ns정도의 특성을 나타내었다. 이렇게 내장형 필터를 포함한 MCM-D 기판은 MMIC를 flip-chip 방법으로 실장 할 수 있어서 집적화된 밀리미터파 대역 초소형 system 구현에 적용되어 우수한 특성을 나타낼 것으로 기대된다. Novel system-on-package (SOP) - D technology to improve the mechanical and thermal properties of a MCM-D substrate was suggested. Based on this investigation, the two types of band pass filters for the V-band application with unique structure were designed and implemented using 2-metals, 3-BCB layers. The first type using distributed resonator had the insertion loss below 2.6 dB at 55 GHz and group delay was below 0.06 ns. For the second type with edge coupled structure, the insertion loss and group delay were 3 dB and 0.1 ns, respectively. Suggested MCM-D substrate with band pass filter can be used to evaluate mm-Wave system including flip-chip bonded MMIC.
Ring Resonator Method를 이용한 밀리미터파 대역에서의 Thin-Film Substrate 특성 추출
유찬세,맹지민,송생섭,이우성,이희석,서광석 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.7
Nowadays, the research on the system integration using various technologies, like MCM-C, MCM-L and MCM-D. Especially MCM-D technology is suitable for mmwave application due to its high resolution of patterning and thermal property similar to that of semiconductor devices. In this work, the characteristics of MCM-D substrate using ring resonator otpu 110 ㎓ was investigated. The dielectric constant is 2.65 and dielectric loss is 0.009 at 90 ㎓. In the mean while, the losses due to the conductor, dielectric and radiation was investigaed, also.
Thin-Film Dielectric을 이용한 V-band Rotman Lens의 개발
이장수,박상복,이동규,송생섭,이상효,소준호,권영우,서광석,천창율,Lee, Jang-Soo,Park, Sang-Bok,Lee, Dong-Kyu,Song, Saeng-Seob,Lee, Sang-Hyo,So, Joon-Ho,Kwon, Young-Woo,Seo, Kwang-Seok,Cheon, Chang-Yul 한국전자파학회 2006 한국전자파학회논문지 Vol.17 No.11
본 논문에서는 초박막 유전체 기술을 기반으로 하여 60 GHz에서 작동하는 위상 배열 안테나 시스템을 설계 하였다. Dividing/combining 손실을 줄이고 위장 변위기이 의한 손실을 피하기 위하여 Rotman Lens를 안테나의 feeder로 사용하였다. 설계된 렌즈는 3개의 빔 포트와 5개의 배열 포트, 그리고 2개의 더미 포트를 가지는 구조이다. 설계를 위한 시뮬레이션은 모멘트 기법을 사용하는 시뮬레이터로 수행되었다. 제작된 렌즈는 $58{\sim}62GHz$에서 ${\pm}2dB$ 이하의 진폭 편차와 ${\pm}5^{\circ}$ 이하의 위상 수차 특성을 보였다. 또한 5개의 배열 안테나를 이용하여 ${\pm}7^{\circ}$의 빔 조향 특성을 확인하였다. In this paper, a phased array antenna based on thin-film dielectric technology at 60 GHz is designed. In order to reduce dividing/combining loss and avoid high loss of phase shifters, Rotman Lens has been employed as a feeder of antenna. The lens has 3 beam ports and 5 array ports with 2 dummy ports. The simulation for the design was performed by simulator using MoM(method of moments). The measured results of fabricated lens show magnitude deviation less than ${\pm}2dB$ and phase aberration less than ${\pm}5^{\circ}$ over $58{\sim}62GHz$. The antenna shows ${\pm}7^{\circ}$ of scan angles.
시스템 패키징을 위한 Thin-Film 기반 수동소자 구현
맹지민(Ji-Min Maeng),유찬세(Chan-Sei Yoo),송생섭(Sang-Sub Song),이희석(Hee-Seok Lee),서광석(Kwang-Seok Seo) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.7
Embedded passive devices were developed with thin-film multichip module-deposited (MCM-D) technology. The features of integrated passives are NiCr resistors with 20Ω/square, compact spiral inductors with inductance ranging from 3 to 10 nH, and 900A SiNx MIM capacitors with scalable capacitance as well as high breakdown voltage.