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통신망 응용을 위한 주기억장치 데이타베이스 저장 시스템의 개발
윤창기(Chang-Ki Yoon),유한양(Han-Yang Yoo),김진호(Jin-Ho Kim),백영식(Young-Sik Baek) 한국정보과학회 1994 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.21 No.1
고속의 통신망을 관리하기 위해 통신망의 각 장치에 대한 정보를 신속하고 정확하게 처리하는 고속의 데이타베이스 기능이 필요하다. 이 논문에서는 이러한 고속의 자료를 저장하고 관리하기 위해 주기억장치 데이타베이스 저장 시스템을 개발하였다. 이 시스템에서는 모든 데이타베이스를 주기억장치에 저장하여 디스크 입출력 없이 고속으로 자료를 처리할 수 있다. 이 논문에서는 개발한 저장 시스템은 주기억장치를 효율적을 사용하면서 데이타의 저장과 회복을 쉽게 하기 위해 데이타베이스를 파티션과 세그먼트를 이용하여 저장한다. 또한 주기억 장치 특성에 적합한 효율적인 인덱스 즉, T 트리와 수정된 선형 해싱을 제공하고자 하였다. 또 C 응용 프로그램에서 이 저장 시스템을 쉽게 사용할 수 있도록 C 함수 형태의 응용 인터페이스를 제공하였다. 이 인터페이스로 인해 데이타베이스 언어의 번역과 실행에 대한 부담을 줄일 수 있는 장점이 제공된다.
스케일링 및 데이터 보존을 위한 2단자 사이리스터 랜덤 액세스 메모리 (T-RAM) 특성 분석
김향우(Hyangwoo Kim),조현수(Hyeonsu Cho),최민근(Minkeun Choi),공병돈(Byoung Don Kong),백창기(Chang-Ki Baek) 대한전자공학회 2020 대한전자공학회 학술대회 Vol.2020 No.8
2 terminal thyristor random-access memory (T-RAM) is investigated in terms of doping concentrations in the storage region to improve scalability and data retention time. When doping concentrations of N and P storage region are equal to each other at 1018 cm-3, T-RAM exhibits the highest retention time of 100 msec. In addition, it is proposed how to set the standby voltage in an energy-effective way. This standby voltage allows steady data retention of T-RAM with femto-scale leakage current until the erase operation is applied. Consequently, the proposed guideline can give a pathway to realize 2 terminal T-RAM as a promising capacitor-less DRAM technology.
고유전율 필드 플레이트를 적용한 고전압용 FinFET의 항복 메커니즘 분석 및 최적화
오경환(Kyounghwan Oh),김향우(Hyangwoo Kim),서명해(Myunghae Seo),이승호(Seungho Lee),조현수(Hyeonsu Cho),백창기(Chang-Ki Baek) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6
To improve the breakdown voltage of the high voltage FinFET, the breakdown mechanism was analyzed by changing the Lch of the HfO₂-DeFinFET and Lch was optimized according the result. When the Lch is 20 nm, despite the sufficient electric field relaxation, the Avalanche breakdown caused by DIBL greatly occurred, resulting in a low breakdown voltage of 7.53 V. On the other hand, when Lch was 80 nm, Avalanche occurred due to the strong electric field despite sufficient DIBL tolerance. In particular, at 80 nm Lch, Zener breakdown is also added due to high band-to-band tunneling, and a low breakdown voltage of 7.41 V was obtained. In consideration of these results, the optimal Lch was analyzed and the highest breakdown voltage of 7.91 V was obtained at 40 nm Lch.
고신뢰성 데이터 유지 특성을 가진 3단자 사이리스터 랜덤 액세스 메모리
김향우(Hyangwoo Kim),조현수(Hyeonsu Cho),서명해(Myunghae Seo),이승호(Seungho Lee),공병돈(Byoung Don Kong),백창기(Chang-Ki Baek) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6
Three-terminal thyristor random access memory(TRAM) is investigated in terms of gate-cathode voltage(VGC,ST) and anode-cathode voltage(VAC,ST) in the standby state to improve the retention characteristics and low-power operation. The device with the optimized VGC,ST of -0.4 V and VAC,ST of 0.55 V shows the continuous retention capability without refresh operation with a low standby current of 0.13 pA. In addition, the proposed array operation scheme can effectively minimize operation disturbances on unselected cells. Consequently, the three-terminal TRAM with the proposed array operation provides excellent retention and high-reliable memory configurations comparable with or surpass DRAM.
조현수(Hyeonsu Cho),정우주(Wooju Jeong),최준용(Joonyoung Choi),서명해(Myung-Hae Seo),윤솔(Sol Yoon),이승호(Seung-Ho Lee),임태욱(Taiuk Rim),백창기(Chang-Ki Baek) 대한전자공학회 2016 대한전자공학회 학술대회 Vol.2016 No.6
We compare sensing performances of the inversion mode (IM) and the depletion mode (DM) ion sensitive field effect transistors (ISFETs) in terms of pH sensitivity and signal-to-noise ratio (SNR). The low frequency noise characteristic is measured to calculate SNR. The IM ISFETs show higher sensitivity and SNR, which are highly desirable properties in practical use, than the DM ISFETs.