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      • KCI등재

        미신이 소비자의 계획오류에 미치는 영향

        나준희 한국마케팅관리학회 2013 마케팅관리연구 Vol.18 No.4

        Effects of superstition are usual phenomena in consumers’ routinely life. For example, red color bolsters up feeling of fear, yellow color symbols sad separation, number 4 is unlucky, and number 7 is the symbol of luck. This study researched the effects of substitution on consumers’ planning fallacy, and complicated two experiments. Experiment 1 researched the mitigating effects of negative substitution on the planning fallacy through disturbing future optimism. In results, activation of negative substitution mitigated planning fallacy and future optimism. Cognitive depletion intensified this effect. Experiment 2 considered the effects of negative emotion on planning fallacy. In results, negative substitution itself mitigated the planning fallacy, negative substitution with negative emotion, however, could not intensified mitigating effect. 미신의 영향은 소비자의 일상에서 매우 빈번하게 나타난다. 빨간색에 대해서 공포를 느끼고 노란색은 이별을 뜻하고 4자는 불길한 숫자이며, 7자는 행운의 숫자로 느끼는 것은 일종의 미신에 의한 인식이다. 이에 대해서 본 연구는 소비자의 계획오류에 초점을 맞춰 미신이 계획오류에 어떠한 영향을 미치는 지에 대해서 살펴보았다. 이를 위해 본 연구에서는 2번의 실험을 진행하였다. 실험 1은 부정적 미신이 소비자의 자신감과 낙관주의를 저해하여 계획오류 경향이 완화되는 지를 검증하기 위해 실행하였다. 연구결과, 부정적 미신에 대한 생각을 활성화하면 소비자의 낙관주의가 감소하여 계획오류가 약화되었다. 그리고 인지적 자원을 감소시키자 이러한 현상을 더욱 강화되었다. 실험 2는 부정적 미신이 소비자의 부정적 정서를 야기하여 이로 인해 긍정적 낙관주의가 감소되어 계획오류가 약화되는 지를 검토하기 위해 실행하였다. 연구결과, 부정적 미신은 긍정적 낙관주의를 감소시켰으며 이로 인해 계획오류가 약화되었다. 그러나 부정적 미신이 부정적 정서와 결합한다 할지라도 낙관주의 및 계획오류는 감소하지 않았다.

      • KCI등재후보

        소비자의 조절적 동기가 구매후 후회에 미치는 영향

        나준희 한국소비자·광고심리학회 2004 한국심리학회지 소비자·광고 Vol.5 No.1

        Previous research showed that action produce more regret than inaction(Kahneman & Tversky 1982). However, according to the studuies of Zeelnberg, Van den Bos, Van Dijk, & Pieters(2002), inaction produce more regret than action. Present study used a consumer's regulatory focus to present new interpretation regarding the discrepancy results described above. In the present study, we try to explain of the psychology of regret by consumer's regulatory focus. The conclusion of this study is written as below. First, consumers who have a prevention goals showed more regret than consumers who have a promotion goals on negative outcomes. Second, in the case of consumers who have a prevention goals, an action effect had occurred, like Kahneman & Tversky's(1982) studies. However, in the case of consumers who have a promotion goals, an inaction effect had occurred, like Zeelenberg, Van den Bos, Van Dijk, & Pieters's(2002) studies. 기존연구에 의하면, 행동을 취한 경우(action)가 행동을 취하지 않은 경우(inaction)에 비해 부정적 결과에 대해서 더욱 후회가 크다고 한다(Kahneman & Tversky 1982). 반면에, Zeelnberg, Van den Bos, Van Dijk, & Pieters(2002)의 연구에 의하면, 행동을 취하지 않은 경우가 행동을 취한 경우에 비해 부정적 결과에 대해서 더욱 후회하는 것으로 나타났다. 이에 대해서 본 연구는 상반된 두 연구결과에 대한 새로운 해석으로 소비자의 조절적 동기(regulatory focus)의 개념을 이용하였다. 즉, 소비자의 조절적 동기에 따라 행동효과(action effect)와 무행동 효과(inaction effect)가 나타날 것으로 예측하였으며, 본 연구의 결과는 다음과 같다. 첫째, 예방동기(prevention goal)를 지닌 소비자는 향상동기(promotion goal)를 지닌 소비자에 비해 부정적 결과에 대해서 더욱 후회하는 것으로 나타났다. 둘째, 예방동기를 지닌 소비자의 경우 Kahneman & Tversky(1982)의 연구결과와 같은 행동효과가 발생한 반면에 향상동기를 지닌 소비자의 경우에는 Zeelnberg, Van den Bos, Van Dijk, & Pieters(2002)의 결과처럼 무행동 효과가 발생하였다.

      • PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰

        나준희,최서윤,김용구,이희덕 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.7

        Hot carrier degradation characteristics of Nano-scale CMOSFETs with dual gate oxide have been analyzed in depth. It is shown that, PMOSFET lifetime dominate the device lifetime than NMOSFET In Nano-scale CMOSFETs, that is, PMOSFET lifetime under CHC (Channel Hot Carrier) stress is much lower than NMOSFET lifetime under DAHC (Dram Avalanche Hot Carrier) stress. (In case of thin MOSFET, CHC stress showed severe degradation than DAHC for PMOSFET and DAHC than CHC for NMOSFET as well known.) Therefore, the interface trap generation due to enhanced hot hole injection will become a dominant degradation factor in upcoming Nano-scale CMOSFET technology. In case of PMOSFETs, CHC shows enhanced degradation than DAHC regardless of thin and thick PMOSFETs. However, what is important is that hot hole injection rather than hot electron injection play a important role in PMOSFET degradation i.e. threshold voltage increases and saturation drain current decreases due to the hot carrier stresses for both thin and thick PMOSFET. In case of thick MOSFET, the degradation by hot carrier is confirmed using charge pumping current method. Therefore, suppression of PMOSFET hot carrier degradation or hot hole injection is highly necessary to enhance overall device lifetime or circuit lifetime in Nano-scale CMOSFET technology 본 논문에서는 Dual oxide를 갖는 Nano-scale CMOSFET에서 각 소자의 Hot carrier 특성을 분석하여 두 가지 중요한 결과를 나타내었다. 하나는 NMOSFET Thin/Thick인 경우 CHC stress 보다는 DAHC stress에 의한 소자 열화가 지배적이고, Hot electron이 중요하게 영향을 미치고 있는 반면에, PMOSFET에서는 특히 Hot hole에 의한 영향이 주로 나타나고 있다는 것이다. 다른 하나는, Thick MOSFET인 경우 여전히 NMOSFET의 수명이 PMOSFET의 수명에 비해 작지만, Thin MOSFET에서는 오히려 PMOSFET의 수명이 NMOSFET보다 작다는 것이다. 이러한 분석결과는 Charge pumping current 측정을 통해 간접적으로 확인하였다. 따라서 Nano-scale CMOSFET에서의 NMOSFET보다는 PMOSFET에 대한 Hot camel lifetime 감소에 관심을 기울여야 하며, Hot hole에 대한 연구가 진행되어야 한다고 할 수 있다.

      • KCI등재

        High-brightness and wide-view transflective liquid crystal display with two in-cell imprinted optical films in an inverse-twisted-nematic geometry

        나준희,Seong-Min Cho,이신두,Yong-Woon Lim 한국정보디스플레이학회 2011 Journal of information display Vol.12 No.1

        An inverse-twisted-nematic (ITN) transflective (TRF) liquid crystal (LC) display, where two imprinted optical films (IOFs)with surface microstructures are embedded was developed. One of the IOFs serves as an in-cell patterned retarder with multioptic axes, and the other behaves as a viewing-angle enhancement film. In the presence of an applied voltage, the surface microstructures on the IOFs provide the spontaneous twist of the LC from a vertically aligned state to a 90◦ twisted-nematic (TN) state in the transmissive part, and to a 45◦ TN state in the reflective part. The developed ITN TRF LC display exhibits high transmission and reflectance, fast response, and wide-viewing characteristics, along with achromaticity.

      • 스포츠스타 광고모델이 제품태도에 미치는 영향

        나준희,김영조 한국스포츠산업경영학회 2003 한국스포츠산업경영학회지 Vol.8 No.2

        The Influence of Sports Star Endorsers' on Products AttitudesNa, june-hee(Korea University) Kim, yeungjo (Graduate School of Korea University)

      • KCI등재

        PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서 의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰

        나준희,김용구,이희덕,최서윤 대한전자공학회 2004 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.41 No.07

        Hot carrier degradation characteristics of Nano-scale CMOSFETs with dual gate oxide have been analyzed in depth. It is shown that, PMOSFET lifetime dominate the device lifetime than NMOSFET in Nano-scale CMOSFETs, that is, PMOSFET lifetime under CHC (Channel Hot Carrier) stress is much lower than NMOSFET lifetime under DAHC (Drain Avalanche Hot Carrier) stress. (In case of thin MOSFET, CHC stress showed severe degradation than DAHC for PMOSFET and DAHC than CHC for NMOSFET as well known.) Therefore, the interface trap generation due to enhanced hot hole injection will become a dominant degradation factor in upcoming Nano-scale CMOSFET technology. In case of PMOSFETs, CHC shows enhanced degradation than DAHC regardless of thin and thick PMOSFETs. However, what is important is that hot hole injection rather than hot electron injection play a important role in PMOSFET degradation i.e. threshold voltage increases and saturation drain current decreases due to the hot carrier stresses for both thin and thick PMOSFET. In case of thick MOSFET, the degradation by hot carrier is confirmed using charge pumping current method. Therefore, suppression of PMOSFET hot carrier degradation or hot hole injection is highly necessary to enhance overall device lifetime or circuit lifetime in Nano-scale CMOSFET technology 본 논문에서는 Dual oxide를 갖는 Nano-scale CMOSFET에서 각 소자의 Hot carrier 특성을 분석하여 두 가지 중요한 결과를 나타내었다. 하나는 NMOSFET Thin/Thick인 경우 CHC stress 보다는 DAHC stress에 의한 소자 열화가 지배적이고, Hot electron이 중요하게 영향을 미치고 있는 반면에, PMOSFET에서는 특히 Hot hole에 의한 영향이 주로 나타나고 있다는 것이다. 다른 하나는, Thick MOSFET인 경우 여전히 NMOSFET의 수명이 PMOSFET의 수명에 비해 작지만, Thin MOSFET에서는 오히려 PMOSFET의 수명이 NMOSFET보다 작다는 것이다. 이러한 분석결과는 Charge pumping current 측정을 통해 간접적으로 확인하였다. 따라서 Nano-scale CMOSFET에서의 NMOSFET보다는 PMOSFET에 대한 Hot carrier lifetime 감소에 관심을 기울여야 하며, Hot hole에 대한 연구가 진행되어야 한다고 할 수 있다.

      • KCI등재

        반품 및 교환의 딜레마: 기회인가? 후회인가?

        나준희,홍성준 한국경영교육학회 2011 경영교육연구 Vol.26 No.6

        Consumers consider the return or the change of choosing option as important service, but it needs costly risk for managers. Moreover, realistic dilemma of the change service may stimulate consumers' dissatisfaction, because changeability induces consumers to focus not on virtues but on vices of the selected option. All kind of changeability, however, does not cause change action of consumers. In uncertainty context, consumers are reluctant to change their choosing option for another. For example, consumers are not likely to change their own lottery for another, because of anticipated regret of action. In respective of this viewpoint, our study implemented two experimental researches. Specifically, in condition of high uncertainty in related with consumer knowledge (Exp. 1) and the number of alternatives (Exp. 2), consumers were reluctant to change their choosing option even though generous change service. This results take the theoretical and practical implications for changeability and reluctance of consumer choice. 소비자는 선택한 제품의 반품이나 교환을 중요한 서비스로 생각하지만, 기업의 입장에서는 다소 소모적인 면이 있다. 특히 반품 및 교환 서비스 그 자체만으로도 소비자 입장에서는 선택 제품에 대한 소비자의 불만족이 나타날 수 있다. 이는 변경할 수 있다는 것이 선택 대안의 장점보다는 단점에 더 주목하게 하기 때문이다. 그러나 모든 변경가능성이 단점에 주목하도록 하여 변화를 유도하지는 않는다. 불확실성이 높은 교환에 대하여 소비자는 변화를 꺼린다. 예컨대 소비자는 구매한 복권의 교환을 꺼린다. 그 이유는 불확실한 행동으로 인한 위험부담에 대한 예견된 후회를 강하게 느끼기 때문이다. 이에 본 연구는 소비자의 지식수준(실험 1), 대안의 수(실험 2) 관점에서 교환의 불확실성을 강화한 결과 변경가능성이 있음에도 불구하고, 소비자의 교환의도는 높지 않음을 보여주었다.

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