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InGaAs/InAlAs 양자우물구조의 발광특성에 대한 In<sub>0.4</sub>Al<sub>0.6</sub>As 버퍼층 성장온도의 영향
김희연,류미이,임주영,신상훈,김수연,송진동,Kim, Hee-Yeon,Ryu, Mee-Yi,Lim, J.Y.,Shin, S.H.,Kim, S.Y.,Song, J.D. 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.6
$In_{0.4}Al_{0.6}As$ 버퍼층의 성장온도 변화에 따른 $In_{0.5}Ga_{0.5}As/In_{0.5}Al_{0.5}As$ 다중양자우물(multiple quantum wells, MQWs)의 광학적 특성을 포토루미네션스(photoluminescence, PL)와 시간분해 포토루미네션스(time-resolved PL, TRPL) 측정을 이용하여 분석하였다. $In_{0.4}Al_{0.6}As$ 버퍼층은 기판의 온도를 $320^{\circ}C$에서 $580^{\circ}C$까지 다양하게 변화시키며 $1{\mu}m$ 성장하였으며, 그 위에 $In_{0.5}Al_{0.5}As$ 층을 $480^{\circ}C$에서 $1{\mu}m$ 성장한 후 InGaAs/InAlAs MQWs을 성장하였다. MQWs는 6-nm, 4-nm, 그리고 2.5-nm 두께의 $In_{0.5}Ga_{0.5}As$ 양자우물과 10-nm 두께의 $In_{0.5}Al_{0.5}As$ 장벽으로 이루어졌다. 4-nm QW과 6-nm QW로부터 PL 피크가 나타났으나, $In_{0.4}Al_{0.6}As$ 성장온도 변화가 가장 큰($320^{\circ}C$에서 $580^{\circ}C$까지 변화) 시료는 6-nm QW에서의 PL 피크만 나타났다. 낮은 온도($320^{\circ}C$에서 $480^{\circ}C$까지 변화)에서 성장한 $In_{0.4}Al_{0.6}As$ 버퍼층 위에 성장한 MQWs의 PL 특성이 우수하게 나타났다. 발광파장에 따른 TRPL 결과로 4-nm QW과 6-nm QW에서의 캐리어 소멸시간을 얻었다. The luminescence properties of $In_{0.5}Ga_{0.5}As/In_{0.5}Al_{0.5}As$ multiple quantum wells (MQWs) grown on $In_{0.4}Al_{0.6}As$ buffer layer have been investigated by using photoluminescence (PL) and time-resolved PL measurements. A 1-${\mu}m$-thick $In_{0.4}Al_{0.6}As$ buffer layers were deposited at various temperatures from $320^{\circ}C$ to $580^{\circ}C$ on a 500-nm-thick GaAs layer, and then 1-${\mu}m$-thick $In_{0.5}Al_{0.5}As$ layers were deposited at $480^{\circ}C$, followed by the deposition of the InGaAs/InAlAs MQWs. In order to study the effects of $In_{0.4}Al_{0.6}As$ layer on the optical properties of the MQWs, four different temperature sequences are used for the growth of $In_{0.4}Al_{0.6}As$ buffer layer. The MQWs consist of three $In_{0.5}Al_{0.5}As$ wells with different well thicknesses (2.5-nm, 4.0-nm, and 6.0-nm-thick) and 10-nm-thick $In_{0.5}Al_{0.5}As$ barriers. The PL peaks from 4-nm QW and 6-nm QW were observed. However, for the MQWs on the $In_{0.4}Al_{0.6}As$ layer grown by using the largest growth temperature variation (320-$580^{\circ}C$), the PL spectrum only showed a PL peak from 6-nm QW. The carrier decay times in the 4-nm QW and 6-nm QW were measured from the emission wavelength dependence of PL decay. These results indicated that the growth temperatures of $In_{0.4}Al_{0.6}As$ layer affect the optical properties of the MQWs.
김희연,오현지,안상우,류미이,임주영,신상훈,김수연,송진동,Kim, Hee-Yeon,Oh, H.J.,Ahn, S.W.,Ryu, Mee-Yi,Lim, J.Y.,Shin, S.H.,Kim, S.Y.,Song, J.D. 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.3
$In_{0.5}Al_{0.5}As$ 버퍼층(buffer layer)의 성장온도 변화에 따른 $In_{0.5}Ga_{0.5}As/In_{0.5}Al_{0.5}As$ 다중양자우물(multiple quantum wells: MQWs)의 광학적 특성을 photoluminescence (PL)와 time-resolved PL (TRPL) 측정을 이용하여 분석하였다. $In_{0.5}Al_{0.5}As$ 버퍼층은 $320^{\circ}C$에서 $580^{\circ}C$까지 다양한 온도조건에서 $1{\mu}m$ 성장하였으며, 그 위에 6 nm, 4 nm, 그리고 2.5 nm 두께의 $In_{0.5}Ga_{0.5}As$ 양자우물(quantum well)과 10 nm 두께의 $In_{0.5}Ga_{0.5}As$ 장벽(barrier)의 MQWs을 성장하였다. 낮은 온도($320-480^{\circ}C$)에서 성장한 InAlAs 버퍼층의 MQWs는 4 nm QW과 6 nm QW로부터 모두 PL 피크가 측정되었으나, 높은 온도($320-580^{\circ}C$)의 버퍼층 위에 성장한 MQWs는 6 nm QW에서의 PL 피크만 관찰되었다. 일정한 온도 $480^{\circ}C$에서 성장한 버퍼층의 MQWs의 PL 세기가 가장 강하게 측정되었으며, 가장 높은 온도에서($530-580^{\circ}C$)에서 성장한 버퍼층의 MQWs의 PL 세기가 가장 약하게 나타났다. 이러한 PL 결과로부터 $In_{0.5}Al_{0.5}As$ 버퍼층의 최적의 성장조건은 일정한 온도 $480^{\circ}C$임을 확인하였다. 방출파장에 따른 PL 소멸시간(decay time)과 PL 스펙트럼으로부터 4 nm QW과 6 nm QW에서의 운반자 수명시간을 얻었다. The luminescence properties of $In_{0.5}Ga_{0.5}As/In_{0.5}Al_{0.5}As$ multiple quantum wells (MQWs) grown on $In_{0.5}Al_{0.5}As$ buffer layers have been studied by using photoluminescence (PL) and time-resolved PL measurements. A$1-{\mu}m$ thick $In_{0.5}Al_{0.5}As$ buffer layers were deposited on a 500 nm thick GaAs layer, followed by the deposition of the InGaAs/InAlAs MQWs. In order to investigate the effects of InAlAs buffer layer on the optical properties of the MQWs, four different temperature sequences are used for the growth of InAlAs buffer layer. The growth temperature for InAlAs buffer layer was varied from 320^{\circ}C to $580^{\circ}C$. The MQWs consist of three $In_{0.5}Ga_{0.5}$As wells with different well thicknesses (2.5 nm, 4.0 nm, and 6.0 nm thick) and 10 nm thick $In_{0.5}Al_{0.5}$As barriers. The PL spectra from the MQWs with InAlAs layer grown at lower temperature range ($320-580^{\circ}C$) showed strong peaks from 4 nm QW and 6 nm QW. However, for the MQWs with InAlAs buffer grown at higher temperature range ($320-480^{\circ}C$), the PL spectra only showed a strong peak from 6 nm QW. The strongest PL intensity was obtained from the MQWs with InAlAs layer grown at the fixed temperature of $480^{\circ}C$, while the MQWs with buffer layer grown at higher temperature from $530^{\circ}C$ to $580^{\circ}C$ showed the weakest PL intensity. From the emission wavelength dependence of PL decay times, the fast and slow decay times may be related to the recombination of carriers in the 4 nm QW and 6 nm QW, respectively. These results indicated that the growth temperatures of InAlAs layer affect the structural and optical properties of the MQWs.
[論文] Micro-Computer를 이용한 機關 실린더 내의 壓力測定 및 燃燒解析에 관한 硏究
김희연(Kim H.N),김시범(Kim S.P),하종율(Ha J.Y) 한국자동차공학회 1988 오토저널 Vol.10 No.3
마이크로 컴퓨터, A/D變換器 및 간단한 電氣的 補助回路를 사용하여 機關 실린더 내의 壓力變化 測定裝置를 開發하였다.<br/> 실린더내 壓力變化의 測定을 위한 데이터 採取時에는, 크럭 信號나 크랭크角의 信號를 트리거(trigger)로 이용하였으며, 試驗機關은 單氣筒 4Cycle 가솔린機關을 使用하였다.<br/> 本 測定裝置로써 測定한 실린더 내의 壓力變化로 부터 壓縮變化과 燃燒壓力의 變化過程, 圓示平均有效壓力, 燃燒最高壓力과 發生時期, 點火時期, 燃燒振動의 有無, 壓力上昇率, 熱發生率과 燃燒率, 燃燒終了時期 및<br/> 後燃燒過程등의 燃燒解析에 관한 知識을 얻을 수 있음을 確認하였다. The measurement system of the pressure in engine cylinder is developed with the aids of the microcomputer,A/D converter and simple electrical circuits.<br/> The experiment is performed in 4 cycle single cylinder Gasoline engine. When data for the pressure progress is sampled, clock signal or signal from the crank angle is used as trigger.<br/> The variation of the pressure during the cycles can be well obtained experimentally. So,the informations which are necessary in the combustion analysis,i.e. expansion pressure,indicated mean effective pressure, the magnitude and time of the maximum pressure ignition time, the rate of pressure rise and heat release and combustion rates can be obtained by the calculation using experimental data. Also, the informations about the after-burning process, the existence of the detonation waves and end time of combustion can be investigated from this study.
참당귀(Angelica gigas Nakai) 잎 추출물이 고지방과 Streptozotocin으로 유도한 제 2형 당뇨모델 흰쥐에 미치는 항당뇨 효과
정혜정 ( H J Jeong ),홍수영 ( S Y Hong ),이기연 ( K Y Lee ),이재형 ( J H Lee ),임상현 ( S H Lim ),허남기 ( N K Heo ),김희연 ( H Y Kim ) 강원대학교 농업생명과학연구원(구 농업과학연구소) 2015 강원 농업생명환경연구 Vol.27 No.1
본 연구는 STZ로 제 2형 당뇨를 유발한 SD-rat에서 4주간 참당귀 잎 추출물을 급이하여 항당뇨 활성을 측정한 결과이다. 참당귀 잎 추출물 급이 군이 대조군에 비해 체중이 증가하였으며, 공복 혈당 및 혈청 중 glucose 함량은 대조군에 비해 모든 실험군에서 유의적으로 감소하였다. 간과 신장 조직의 장기 무게는 모든 실험군에서 유의적인 차이가 나타나지 않았으며, total cholesterol, HDL-cholesterol, LDL-cholesterol, triglyceride의 함량에서도 모든 실험군에서 유의적인 차이가 나타나지 않았다. 간 조직 중 glycogen 함량은 대조군에 비해 실험군에서 glycogen 함량이 정상군의 수치와 유의한 수준으로 증가하였다. 위와 같이 참당귀 잎 추출물이 혈당 및 혈청 중 glucose함량을 효과적으로 감소 시켰으며, 간 조직 중 glycogen 함량은 대조군에 비해 증가 하였지만, 장기무게 및 혈청의 생화학적 분석 결과에서는 정확한 증감의 차이가 나타나지 않았다. 향후 추가적인 실험 및 보완을 거치면 참당귀 잎 추출물의 항당뇨 효과에 대한 긍정적인 결과를 얻을 수 있을 것으로 사료된다. In this study, we examined the biological activity and synergistic effect of an Angelica gigas Nakai leaf 0.1% and 0.5% extract in diabetes mellitus type 2 mice. The animals were divided into 4 groups: group Ⅰ (normal) rats were fed standard diet (12% of calories as fat); group Ⅱ (control) rats were fed HFD (45% of calories as fat) for 2 weeks and then injected with STZ (45 mg/kg); group Ⅲ (treatment 1) and Ⅳ (treatment 2) rats were fed a diet containing 0.1% and 0.5% Angelica gigas Nakai leaf extracts for 4 weeks after type 2 diabetes mellitus induction. The diabetic clinical markers, body weight and food intake, organ weight, blood glucose level, serum glucose level, total cholesterol level, HDL-cholesterol level, LDL-cholesterol level, triglyceride level, glycogen level in liver were measured. Blood glucose level of the A. gigas Nakai leaf 0.1% and 0.5% extract groups were lower than control group. Serum glucose level of the A. gigas Nakai leaf 0.1% and 0.5% extract groups were lower than control group. Organ weight of the A. gigas Nakai leaf 0.1% and 0.5% extract groups were not shown the significant difference between control group. Total cholesterol level, HDL-cholesterol level, LDL-cholesterol level, triglyceride level of the A. gigas Nakai leaf 0.1% and 0.5% extract groups were not shown the significant difference between control group. Glycogen contents in liver significantly higher then control group, and has not significantly difference between normal group. We suggest that A. gigas Nakai leaf extract may have the control effects of diabetes mellitus by improving blood glucose and additional anti-diabetic experiments required.