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Magnetoresistance in Post annealed Bi Thin Films on PbTe buffered CdTe(111)B and on Mica Substrates
Yunki Kim(김윤기),Jin Sung Choi(최진성),Hai Bo Li(이해파),Sunglae Cho(조성래) 한국진공학회(ASCT) 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.4
비스무스의 녹는점보다 3도 낮은 온도인 268℃ 에서 후열처리를 하여 비스무스 박막에서 자기저항의 큰 증가를 관측하였다. 레드텔러라이드/케드뮴텔러라이드 기판 위에서는 온도 5 K, 자기장 5 T 하에서 190에서 260으로, 마이카 기판위에서는 620에서 120으로 자기저항의 큰 증가를 나타내었다. 이러한 자기저항의 큰 증가는, 열처리에 따른 결정도의 향상에 기인한 것으로 보인다. 하지만 일정 시간 이상의 오랜 시간의 열처리는 자기저항을 감소시키는 것으로 관측되었다. We have observed a large increase in the magnetoresistance (MR) of Bi thin films, which were subjected to a post annealing procedure at 268°C, 3°C below the Bi melting point. We have achieved an increase in the MR by 260 fold and 1200 fold at 5 K and 5 T after post annealing, as compared with 190 and 620 for an as deposited Bi film on PbTe/CdTe(111) and on mica, respectively. The large MR increase by post annealing might be due to the improvement of crystallinity according to the x ray analysis. However, post annealing over a certain amount time showed the reduction in MR values.
김윤기(YunKi Kim),김슬기(SeoulKi Kim),최원석(WonSeok Choi),김지주(JiJu Kim),최영미(YoungMie Choi),주문원(MoonWon Choo),윤태복(TaeBok Yoon) 한국멀티미디어학회 2009 한국멀티미디어학회 학술발표논문집 Vol.2009 No.2
게임 개발환경의 발전에 따라 새로운 시스템과 새로운 인터페이스를 장착한 많은 게임들이 출시되고 있다. 그러나 대다수의 게임들이 처음 기획했던 모든 내용을 유저들이 활용하는 경우는 거의 없다고 보여진다. 이러한 배경에는 게임진행과정의 전반적인 설계에 문제가 있을 수 있지만 가장 중요한 요인으로는 게임이 제공하는 모든 기능과 재미를 유저가 활용할 수 있도록 단계별로 동기부여 및 인터페이스의 다양성을 확보하는데 실패했기 때문이다. 이 연구에서는 마이크로소프트 게임개발 환경인 XNA를 이용하여 이러한 문제점을 부분적으로 해결해보고자 하였다.
김윤기(Yunki Kim),조성래(Sunglae Cho),J. B. Ketterson 한국자기학회 2009 韓國磁氣學會誌 Vol.19 No.4
MnGeP₂ thin films grown on GaAs exhibit room-temperature ferromagnetism with TC~320 K, based on both magnetization and resistance measurements. The coercive fields at 5, 250, and 300 K are 3870, 1380 and 155 Oe, respectively. The anomalous Hall effect was observed, indicating spin polarization of the carriers. Hysteresis has been observed in both magnetoresistance and Hall measurements. The current-voltage characteristics of a MnGeP₂ film grown on an n-type GaAs substrate display semiconducting behavior.