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- 저자 : 김선우(Sun-Oo Kim) (검색결과 3 건)
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$N_2O$ 플라즈마 열처리에 의한 저유전율 SiOF 박막의 물성 안정화
김윤해,이석규,김선우,김형준,Kim, Yoon-Hae,Lee, Seok-Kiu,Kim, Sun-Oo,Kim, Hyeong-Joon 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.4
플라즈마 화학기상증착법에 의해 증착된 저유전율 SiOF박막의 물성 안정화를 위하여 증착후 $N_2O$플라즈마로 열처리함으로써 그 특성을 평가하였다. SiOF박막은 대기방치 및 열처리에 불안정한 성질을 가진다. SiOF 박막은 박막내의 F-Si-F 결합의 존재 때문에 흡습현상이 발생하며, 박막내의 F함량이 증가함에 따라 수분 흡수가 증가한다. 또한 열처리를 거치면서 F이 탈착되어 박막내의 F함량이 감소한다. $N_2O$플라즈마 열처리는 표면에 얇은 SiON층을 형성시킴으로써 박막을 안정화시키는데 효과적이었다. 그러나 장시간의 N/sun 2/O플라즈마 열처리는 유전율을 크게 증가시킨다. 따라서 $N_2O$플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가없이 물성을 안정화 시키기 위해서는, 대기방치나 열처리에 의한 안정화 효과를 유지하면서 $N_2O$플라즈마 열처리에 의한 유전율의 증가를 최소화시킬 수 있는 공정의 확립이 필요하다. The stabilization of low dielectric constant SiOF films prepared by conventional PECVD using TEOS and $C_2F_6$ was evaluated by the $N_2O$-plasma post-deposition annealing. Properties of SiOF film became unstable when it was air-exposed or heat-treated. Water absorption of SiOF films was increased as F content was increased due to the for¬mation of F -Si- F bonds. Also F content of SiOF films decreased after heat treatment. $N_2O$-plasma post-deposition annealing was proved to be effective on stabilizing SiOF films. which was mainly due to the formation of thin SiON layer near the top surface of films. However. the value of dielectric constant was greatly increased again when $N_2O$-plasma post-deposition annealing was done for a long time. To stabilize the SiOF films without an increase of dielec¬tric constant by $N_2O$- plasma post-deposition annealing. the annealing time should be kept the minimum value. to which stabilizing effects against air environment and heat treatment were preserved.
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입체표면 폴리실리콘 전극에서 PECVD $Ta_2O_5$ 유전박막의 전기적 특성
조영범,이경우,천희곤,조동율,김선우,김형준,구경완,김동원,Cho, Yong-Beom,Lee, Kyung-Woo,Chun, Hui-Gon,Cho, Tong-Yul,Kim, Sun-Oo,Kim, Hyeong-Joon,Koo, Kyung-Wan,Kim, Dong-Won 한국진공학회 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.2
In order to increase the capacitance of storage electrode in the DRAM capacitor, two approaches were performed. First, hemispherical and rugged poly silicon films were made by LPCVD to increase the effective surface area of storage electrode. The even surface morphology of conventional poly silicon electrode was changed into the uneven surface of hemispherical of rugged poly silicon films. Second, PECVD $Ta_2O_5$ dielectric films were deposited and thermally treated to study the dielectrical characteristics of $Ta_2O_5$ film on each electrode. MIS capacitors with $Ta_2O_5$ films were electrically characterized by I-V, C-V and TDDB measurements. As a result, the capacitance of the electrode with uneven surface were increased by a factor of 1.2~1.5 and leakage current was increased compared with those of even surface. TDDB result indicates that the electrode with uneven surface has dielectrically more degraded than that of even surface. These results can be helpful as a basic research to develop new generation DRAM capacitors with $Ta_2O_5$ films. DRAM 커패시터에서 축정용량을 증대시키기 위한 기초연구로서 2가지 방법을 시도하였다. 첫째로, 커패시터의 유효 표면적을 증대시키기 위해 HSG(hemispherical grain)와 rugged 형태의 표면형상을 갖는 폴리실리콘 전극을 저압 화학기상증착법을 이용하여 제잘하였다. 그 결과 기존의 평평한 폴리실리콘 전극에 비하여 유효면적이 증대된 폴리실리콘 전극이 형성되었다. 둘째로, 고유 전상수를 갖는 $Ta_2O_5$ 박막을 각각의 전극에 플라즈마 화학기상증착법으로 증착시키고 후열처리한 후 전기적 특성변화를 조사하였다. MIS(metal-insulator-semiconductor) 구조의 커패시터를 제작하여 전기적 특성을 측정한 결과, HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극에서 기존의 평평한 표면을 갖는 전극에 비하여 축전용량은 1.2~1.5배까지 증대하였으나, 주설전류는 표면적의 증가에 따라 함께 증가함을 보였다. TDDB 특성에서도 HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극들이 평평한 표면형상에 비하여 더 열화되었음을 보여주었다. 이상과 같은 결과는 $Ta_2O_5$ 유전박막을 이용한 차세대 DRAB 커패시터 연구에 기초자료로 이용될 수 있을 것으로 본다.
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입체표면 폴리실리콘 전극에서 PECVD Ta₂O5 유전박막의 전기적 특성
조용범(Yong-Beom Cho),이경우(Kyung-Woo Lee),천희곤(Hui-Gon Chun),조동율(Tong-Yul Cho),김선우(Sun-Oo Kim),김형준(Hyeong-Joon Kim),구경완(Kyung-Wan Koo),김동원(Dong-Won Kim) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.2
DRAM 커패시터에서 축전용량을 증대시키기 위한 기초연구로서 2가지 방법을 시도하였다. 첫째로, 커패시터의 유효 표면적을 증대시키기 위해 HSG(hemispherical grain)와 rugged 형태의 표면형상을 갖는 폴리실리콘 전극을 저압 화학기상증착법을 이용하여 제작하였다. 그 결과 기존의 평평한 폴리실리콘 전극에 비하여 유효면적이 증대된 폴리실리콘 전극이 형성되었다. 둘째로, 고유 전상수를 갖는 Ta₂O_5 박막을 각각의 전극에 플라즈마 화학기상증착법으로 증착시키고 후열처리한 후 전기적 특성변화를 조사하였다. MIS(metal-insulator-semiconductor) 구조의 커패시터를 제작하여 전기적 특성을 측정한 결과, HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극에서 기존의 평평한 표면을 갖는 전극에 비하여 축전용량은 1.2 ~1.5배까지 증대하였으나, 누설전류는 표면적의 증가에 따라 함께 증가함을 보였다. TDDB 특성에서도 HSG와 rugged 형상의 표면을 갖는 전극들이 평평한 표면형상에 비하여 더 열화되었음을 보여주었다. 이상과 같은 결과는 Ta₂O_5 유전박막을 이용한 차세대 DRAM 커패시터 연구에 기초자료로 이용될 수 있을 것으로 본다. In order to increase the capacitance of storage electrode in the DRAM capacitor, two approaches were performed. First, hemispherical and rugged poly silicon films were made by LPCVD to increase the effective surface area of storage electrode. The even surface morphology of conventional poly silicon electrode was changed into the uneven surface of hemispherical or rugged poly silicon films. Second, PECVD Ta₂O_5 dielectric films were deposited and thermally treated to study the dielectrical characteristics of Ta₂O_5 film on each electrode. MIS capacitors with Ta₂O_5 films were electrically characterized by I-V, C-V and TDDB measurements. As a result, the capacitance of the electrode with uneven surface were increased by a factor of 1.2~ 1.5 and leakage current was increased compared with those of even surface. TDDB result indicates that the electrode with uneven surface has dielectrically more degraded than that of even surface. These results can be helpful as a basic research to develop new generation DRAM capacitors with Ta₂O_5, films.
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