http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
후열처리에 따른 스퍼터된 ZnO:Al 박막의 전기적, 광학적 특성
김덕규,김홍배,Kim, D.K.,Kim, H.B. 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.1
ZnO:Al thin films deposited by RF magnetron sputtering were post-annealed and the electrical and optical properties of ZnO:Al thin films were investigated before and after anneling. We confirmed that the ZnO:Al thin film was affected by post-annealing temperature. As post-annealing temperature increases, crystallinity and transmittance in visible area (400~800 nm) of ZnO:Al thin films decreased. While sheet resistance of thin films increased sharply with increasing to $400^{\circ}C$. This result is due to reduce of carrier concentration caused by absorption of $O_2$ or $N_2$ at surface of thin film. RF magnetron sputtering 법을 이용하여 증착된 ZnO:Al 박막을 열처리하여 열처리 전 후 ZnO:Al 박막의 전기적, 광학적 특성을 연구하였다. 열처리 온도에 따라 ZnO:Al 박막의 특성이 많이 영향 받음을 확인하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 ZnO:Al 박막의 결정성과 가시광선 영역(400~800 nm)에서 투과도는 감소함을 보였다. 반면, 박막의 비저항은 $400^{\circ}C$로 열처리 온도가 증가함에 따라 급격히 증가하였다. 이는 박막 표면에 $O_2$ 또는 $N_2$가 흡착하여 캐리어 농도 감소에 의한 것으로 판단된다.
RF Magnetron Sputtering법으로 제작한 ZnO:Al 박막의 초기 압력에 따른 특성
김덕규,김홍배,Kim, D.K.,Kim, H.B. 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.2
ZnO:Al 박막을 RF magnetron sputtering 법을 이용하여 초기 압력에 따라 증착하고 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성을 연구하였다. 초기 압력 변화에 의해 ZnO:Al 박막의 특성의 변화를 확인하였고 고품질의 박막을 얻을 수 있었다. 모든 ZnO:Al 박막에서 (002)면의 우선 배향성을 보였으며 가시광선 영역(400~800 nm)에서 85% 이상의 좋은 투과도를 보였다. 초기 압력이 낮아질수록 결정성, 비저항 그리고 성능지수 특성이 향상됨을 확인하였다. 초기 압력에 따른 비저항의 향상은 결정립 크기 변화에 의한 것으로 판단된다. ZnO:Al thin films were deposited by RF magnetron sputtering with various base pressure, and their structural, optical, and electrical properties were studied. The influence of the base pressure on the ZnO:Al thin film was confirmed and a high-quality thin film was obtained by controlling the base pressure. In all Al-doped ZnO thin films, the preferred orientation of (002) plane was observed and light transmittance in visible region (400 nm~800 nm) had above 85%. With decreasing of base pressure, crystallinity, resistivity, and figure of merit were improved. The improvement of resistivity with base pressure was attributed to the change of grain size.
2 Hall-ICs를 이용한 저가형 PM Brushless DC Motor 속도 제어
김덕규(D.K.Kim),윤용호(Y.H.Yon),우무선(M.S.Woo),원충연(C.Y.Won),최유영(Y.Y.Choe) 전력전자학회 2003 전력전자학술대회 논문집 Vol.2003 No.11
Generally, PM BLDC drive system IS necessary that the three Hall-ICs evenly be distributed around the stator circumference and encoder be installed in case of the 3 phase motor. So, the Hall-ICs are set up in this motor to detect the main flux from the rotor, and the output signal from Hall-ICs is used to drive a power transistor to control the winding current. However, instead of using three Hall-ICs and encoder, we used only two Hail-ICs for the permanent magnet rotor position and for the speed feedback signals, and also for a micro controller of 16-bit type (80C196KC) with the 3 phase PM BLDC whose six stator and two rotor designed. Two Hall-IC Hc and H_B are placed on the endplate at 120 degree intervals, and with these elements, we estimated information of the others phase in sequence through a rotating rotor.
RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착된 Al 도핑된 ZnO 투명 전도 산화막의 Ar 유량에 따른 특성
이인환,김덕규,김홍배,Yi, I.H.,Kim, D.K.,Kim, H.B. 한국진공학회 2010 Applied Science and Convergence Technology Vol.19 No.3
RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 Al 도핑된 ZnO 박막을 Ar 유량에 따라 증착하고 박막의 다양한 특성을 연구하였다. ZnO 박막의 Ar 유량 변화를 통해 고품질 박막을 증착할 수 있었고 Al 도핑된 ZnO 박막에 대한 Ar 유량의 영향을 확인하였다. 모든 Al 도핑된 ZnO에서 80% 이상의 좋은 투과도를 보였다. Hall 측정과 X-ray photoelectron spectrometer 측정 결과, 비저항이 가장 작은 60 sccm에서 가장 작은 Al 도핑 농도를 보였다. Ar 유량에 따른 Al 도핑된 ZnO 박막에서의 전기적인 특성은 Al 도핑 농도보다 산소 공공에 의해 더 영향을 받음을 확인하였다. Al-doped ZnO thin films were deposited with various Ar flow rate by RF magnetron sputtering, and theire properties were studied. A high-quality thin film was obtained by controlling the Ar flow rate, and the influence of the Ar flow rate on the Al-doped ZnO thin film was confirmed. In all Al-doped ZnO thin films, light transmittance had above 80%. Through Hall measurement and X-ray photoelectron spectrometer, the sample of 60 sccm, which had the lowest resistivity, showed the lower Al concentration. This result was attributed to oxygen vacancy rather than Al concentration.