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수직 결합형 폴리머 마이크로디스크 공진기를 이용한 광학적 글루코스 센서
金乾德(Gun-Duk Kim),孫根植(Geun-Sik Son),李鶴淳(Hak-Soon Lee),金基道(K-Do Kim),李相信(Sang-Shin Lee) 대한전기학회 2008 전기학회논문지 Vol.57 No.8
A glucose biosensor using a microdisk resonator in polymeric waveguides was developed by observing either the shift in the resonant wavelength or the variation in the optical power. The deformation in the transfer curve of the vertically coupled resonator sensor resulting from the variation in the disk-to-ring coupling, which was incurred by the application of the target analyte, was suppressed. And the refractive index of the polymeric waveguide was devised to closely follow that of the analyte itself for enhancing the sensitivity of the sensor. The sensitivity and measurement range were observed to be respectively 0.14 pm/(㎎/dL) and 1500 ㎎/dL (theoretically up to 4700 ㎎/dL), for the wavelength shift method and 0.04 ㏈/(㎎/dL) and 140 ㎎/dL the power variation scheme.
김건호(G. H. Kim),김기현(K. H. Kim),박재현(J. H. Park) Korean Society for Precision Engineering 2021 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 Vol.2021 No.11월
현재의 디스플레이 산업의 추세는 기존의 평면 디스플레이에서 곡면 디스플레이로 빠르게 넘어가고 있다. 그로 인해 스마트폰, 모니터, 자동차 전장 부품 등 다양한 분야에서 곡면 디스플레이의 수요가 증가하고 있다. 평면 디스플레이 코팅 공정과는 달리 곡면 디스플레이 코팅 공정에서는 슬릿 코터의 노즐이 기판에 수직으로 유지되지 않는다. 곡면 디스플레이 코팅 공정에서 디스플레이 패널과 커버 유리 사이에 배치되는 레진의 두께가 일정하지 않으면 화면 상 얼룩이 생성되어 제품의 품질을 저하시킨다. 그러므로 곡면 디스플레이 코팅 공정에서는 곡면의 곡률에 따라 슬릿 노즐의 회전 및 위치 보정이 요구된다. 이 연구에서는 곡면 디스플레이 코팅 공정 중 슬릿 노즐을 곡면 기판에 수직으로 유지하는 방법에 대하여 기술하였다. 슬릿 노즐의 이동 경로에 레이저 변위 센서를 3 축으로 배치하여 측정한 곡면의 각도를 기반으로 하는 수직 지향 제어 시스템이다. 곡면의 각도 측정을 위한 테스트 베드를 구축하였고 측정된 각도를 이용하여 수직 지향에 필요한 변수 값을 출력하는 알고리즘을 설계하였다. 수직 지향 제어 시스템은 차세대 고곡률 디스플레이 공정과 더불어 수직 지향 기술이 필요한 여러 기술 분야에 적용될 수 있다.
김건호,B.S. Kim,C.S. Wi,G. Kim,이종덕,J.J. Lee,강정수,K.J. Kim,S.S. Lee,한상욱 한국물리학회 2006 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.48 No.5I
The initial stage of interface formation at Mn/Si at room temperature (RT) and the growth of manganese silicide were studied by using photoemission spectroscopy (PES) and X-ray absorption spectroscopy with synchrotron radiation. The Mn coverage dependence of the relative intensities of the Si 2p and the Mn 3p core-level PES spectra revealed that the growth of Mn on Si(111)-7×7 at RT started in a layer-by-layer growth at a coverage of less than 0.5 ML. The line shape of Mn 3p XAS spectra also showed no reaction between Mn and Si at RT. The valence-band PES spectra of the three manganese-silicide samples, MSS, MSH, and MSP, showed the same metallic emission. The different line shapes of the Si 2p core-level and valence-band spectra of MSS and MSP compared to those of MSR originate from a Si overlayer on the silicide surface.