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곽호원,문병연,조현국 대한시과학회 2007 대한시과학회지 Vol.9 No.2
We studied on the high temperature brazing process of the titanium frame of spectacles using the tensile test apparatus. The titanium rods, 50 mm in length and 3 mm in diameter, were polished with #2000 emery paper and brazed using the high frequency induction brazing method. Morphologies and chemical compositions of pure titanium surface were observed using SEM and EDX. The chemical compositions were observed using AES in the brazed seam, brazed interface, base metal. The results obtained from this study were sumrnarized as follows. The tensile strength of titanium frame was measured 392.25 MPa at the brazing temperature 96o·c. The tensile strength of titanium frame was measured 398.65 MPa at the Ar gas injection speed 25 Q/min, temperature 96o·c. AES data for the brazed interface region showed that the diffusion of Ag, Cu and Zn occurred to the titanium.
Rheed 반점강도의 변화를 이용한 Si(111)-Ad 표면조사
곽호원,이의완,이상윤,Kwak, Ho-Weon,Lee, Eui-Wan,Lee, Sang-Yun 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.6
Si(111)표면위에 Au의 증착량과 기판온도에 따른 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상(pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot)강도변화를 이용하여 조사하였다. Si(111) $7\times7$구조를 Au 를 0.1ML-0.4ML증착후에 기판을 $350^{\circ}C$-$750^{\circ}C$로 수초간 가열하면 $7\times7$구조에서 $7\times7$ + $5\times2$의 혼합 구조로 변화하였으며 증착량 0.4ML-1.0ML에서는 RHEED상이 기판온도와 증착량에 따라 $5\times2,\alpha- \sqrt{3} \times \sqrt{3},\beta- \sqrt{3} \times \sqrt{3}$의 구조들이 관찰되었다. $6\times6$구조는 기판온도 $270^{\circ}C$-$370^{\circ}C$에서 증착량 0.8ML에서부터 형성되기 시작하여 1ML에서 완성되었다. AES(Auger Electron Spectroscopy)를 이용한 $\alpha- \sqrt{3} \times \sqrt{3},5 \times 2$구조에서의 Au원자의 이탈과정 조사에서 이탈 에너지는 각각 79kcal/mol, 82kcal/mol로 조사되었다. The Si(ll1) surface structures induced by deposition of Au atoms were investigated by RHEED system. When Au atoms were deposited on the Si(ll1) $7\times7$ surfade, the dependence of structures and phases on the substrate temperatures and coverages was drastic. For O.1ML to 0.4ML of coverage the $7\times7$ structure changes to $7\times7$ + $5\times2$ structure as temperature increases to $350^{\circ}C$-$750^{\circ}C$. Between 0.4M1 to 1.OML the phase changed to $5 \times 2,\alpha- \sqrt{3} \times \sqrt{3},\beta- \sqrt{3} \times \sqrt{3}$ structure according to the substrate temperature and coverages. When the coverages exceeds O.SML, the 6 x 6 structure appears at the substrate temperature range between $270^{\circ}C$-$370^{\circ}C$ and compeletely transforms to 6 x6 at 1,OML. The isothermal desorption of Au on Si(ll1) surface investigated by using AES in the $\alpha- \sqrt{3} \times \sqrt{3},5 \times 2$ structures shows that the desorption energys of $\alpha- \sqrt{3} \times \sqrt{3}$ and 5 x 2 were 79Kcal/mol and 82 Kcal/mol respectively.
곽호원,문병연,조현국 대한시과학회 2007 대한시과학회지 Vol.9 No.2
고주따유도가열방식을 이용하여 조건을 변화시키며 티타늄을 맴질한 후 인장시험을 하였 다. 맴질온도가 증가할수록 인장강도도 증가하였으며 960"(; 에서 가장 큰 강도를 나타내었으 나 용도가 증가할수록 점차적으로 강도가 감소하는 것으로 나타났다, 960"(; 에서 햄질한 시 면의 경우 가장 강한 392,25 MPa의 인장강도를 나타내었다, Ar가스분출속도에 따른 인장강 도 측정에서는 분출속도에 대하여 비례적으로 증가하다가 25Q/min에서부터는 거의 일정한 인장강도 398,65 MPa를 보였다. 티타늄 모재와 은납(53Ag-28Cu -19Zn) 사이의 납접계면과 납재부에서는 다수의 균열과 기공이 관찰되었으며, 인장응력이 작용할 때 파절은 댐질부위에 서 일어났다, AES을 이용하여 모재부, 납접계면, 납재부 간의 화학적 조성비를 분석한 결과, 은납이 티타늄 측으로 확산되어가는 양상이 조사되었다. We studied on the high temperature brazing process of the titanium frame of spectacles using the tensile test apparatus. The titanium rods, 50 mm in length and 3 mm in diameter, were polished with #2000 emery paper and brazed using the high frequency induction brazing method. Morphologies and chemical compositions of pure titanium surface were observed using SEM and EDX. The chemical compositions were observed using AES in the brazed seam, brazed interface, base metal. The results obtained from this study were summarized as follows. The tensile strength of titanium frame was measured 392.25 MPa at the brazing temperature 960oC. η1e tensile strength of titanium frame was measured 398.65 MPa at the Ar gas injection speed 25 Umin, temperature 960oC. AES data for the brazed interface region showed that the diffusion of Ag, Cu and Zn occurred to the titanium.
Si(111) Homoepitaxial성장에서 중간금속이 미치는 영향
곽호원,이의완,박동수,곽이상,이충화,김학봉,이운환,Gwak, Ho-Won,Lee, Ui-Wan,Park, Dong-Su,Gwak, Lee-Sang,Lee, Chung-Hwa,Kim, Hak-Bong,Lee, Un-Hwan 한국재료학회 1993 한국재료학회지 Vol.3 No.3
We have the homoepitaxiallayers on the surfaces of Si(111) with and without the adsorbed surfactants, for example, Ag or Sn. In this paper, We have studied the difference of growth for these two cases by the observation of intensity oscillations of RHEED specular spots during the growing processes. In the case of growth without the adsorbed surfactants, the Si atoms fill first the stacking fault layer of Si(111) 7 ${\times}$7 structure. Therefore, the irregular oscillations are observed in the early stage of growing process. However, in the case of growth with the adsorbed surfactants, the surfactants already have the ${\sqrt}{3}$ ${\times}$ ${\sqrt}{3}$ structures on the surfaces of Si(111) at the adjucate temperatures of 300`$600^{\circ}C$ and 190~$860^{\circ}C$ for the surfactants of Ag and Sn, respectively. We also find that the number of oscillations is a little larger for the case of growth with the adsorbed surfactants. The reason for this is that for the case of growth with the adsorbed surfactants, the activation energies of Si atoms decrease due to the segregation of surfactants toward the growing surfaces. Si(111) 표면위에 Si을 homepitaxial 성장시킬때 중간 금속인 Ag, Sn등을 흡착시키지 않을 경우와 흡착시킬 경우 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)상의 경면반사점(specular spot)강도의 주기적 변화를 관찰함으로써 두 경우의 Si결정성장 과정의 차이점을 관찰하였다. 중간금속을 흡착하지 않을 경우 성장 초기에는 흡착Si원자가 Si(111) $7{\times}7 $구조의 Stacking Fault층을 먼저 채우고난 후 정상적인 충상성장을 하기 때문에 성장초기에는 불규칙적인 진동을 나타내다가 약 6ML정도부터 주기적인 진동으로 바뀜이 관찰되었다. 그러나, 중간금속인 Ag, Sn을 Si(111)위에 1ML흡착시키면 Ag의 경우 300~$600^{\circ}C$, Sn의 경우 190~$860^{\circ}C$의 시료온도에서 표면구조가 ${\sqrt}{3}{\times}{\sqrt}{3}$구조로 바뀜이 RHEED상으로 관찰되었다. 그리고 난 후에 Si을 흡착시킬 경우 RHEED 상의 경면반사점 강도는 초기부터 주기적일 변화를 가짐이 관찰되었으며${\sqrt}{3}{\times}{\sqrt}{3}$구조는 변함이 없었다. 또한 보다 낮은 시료 온도에서 많은 진동이 관찰되었다. 이는 중간금속이 성장표면쪽으로 편석하면서 흡착원자 Si의 표면확산에 대한 활성호 에너지를 감소시켜 주기 때문이라 생각된다.