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      • SCOPUSKCI등재

        Ti(C, N) 피막의 내마모 특성에 대한 조성의 영향

        고경현,안재환,배종수,정형식,Go, Gyeong-Hyeon,An, Jae-Hwan,Bae, Jong-Su,Jeong, Hyeong-Sik 한국재료학회 1995 한국재료학회지 Vol.5 No.8

        반응 가스 분압의 조절에 의한 HCD식 이온 도금 법으로 다양한 조성의 Ti(C, N) 경질 피막을 ASP30 공구강에 도금하였고 이 피막의 내마모성에 대한 조성의 영향을 경도, 밀착력 및 마모기구의 변화 등의 관점에서 고찰하였다. 경도는 질소나 탄소와 같은 비금속 성분량의 증가에 비례하지만 탄소함유량의 중가는 밀착력을 오히려 감소시켰다. 이 경향은 피막 밀도가 비교적 작은 정략적비 이하인 구간([C+N]/Ti<1)에서 보다 그 이상인 조성에서 영향이 뚜렷하였다. 따라서 피막의 내마모 특성은 높은 경도를 유지할 수 있는 ([C+N]/Ti>1)인 구역 내에서 밀착력 저하에 의한 adhesive 형태로의 마모 기구 변이를 억제할 수 있는 저 탄소 조성을 가질 때 최대로 된다. Hard Ti(C, N) layers of various compositions were coated on ASP30 tool steel employing a reactive HCD ion plating technique. The effect of film composition on the wear characteristics were investigated in lights of hardness, adhesion and wear mechanism. With an increase in the amount of nonmetallic component(N, C), the hardness of films increased, but the increase in carbon content resulted in poor adhesion. Within the concentration range of ([C+N]/Ti<1), these trends became mute clear than in the concentration below stoichiometry. Therefore, the wear resistance could be maximized when the film is deposited with the concentration of ([C+N]/Ti<1) for high microhardness and, at the same time, with the low carbon contents not to wear out in adhesive mode.

      • KCI등재후보
      • SCOPUSKCI등재

        Au/Nb/WNx(Si)/GaAs Schottky 접합의 열안정성

        정진영,고경현,안재환,김형준,Jeong, Jin-Yeong,Go, Gyeong-Hyeon,An, Jae-Hwan,Kim, Hyeong-Jun 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.1

        Microwave용 GaAs MESFET 소자에 적용가능한 Schottky 접합구조로서 Au/Nb/WNx(Si) 다층박막의 특성을 평가하였다. WNx 증착시 co-sputtering에 의하여 첨가된 실리콘은 열처리 과정 동안 GaAs/Schottky 계면으로 확산되며 이 과정은 sputtering damage의 회복이 활성화되는 $700^{\circ}C$이상에서 활발해진다. 계면으로 축적된 실리콘은 Ga와 As의 유효한 확산 경로를 차단함으로서 Ga의 확산으로 인한 GsAs 내의 carrier 농도 증가를 최소화 할 수 있어서 WNx와 같은 Schottky 접합재료의 열적 안정특성의 향상을 기대할 수 있다. Au/Nb의 층을 적층시 Nb는 탈탈륨 등의 고융점 금속과 같이 sacrificial 형태의 확산방지막으로 작용하여 열적으로 안정하며 microwave용 소자에서 요구되는 낮은 비저항치(-10-5$\Omega$-cm)를 유지할 수 있다.

      • SCOPUSKCI등재

        비정량적 산화티타늄 박막의 상변태 특성

        홍성민,이필홍,고경현,안재환,이순일,Hong, Seong-Min,Lee, Pil-Hong,Go, Gyeong-Hyeon,An, Jae-Hwan,Lee, Sun-Il 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.3

        Phase transition kinetics of nonstoichiometric amorphous titanium oxide thin films deposited by reactive sputtering was investigated after cooling down with various rate followed by l0min.-3hrs. annealing at $500^{\circ}C$~$600^{\circ}C$ After short duration and fast cooling. Magneli was the only crystalline phase because the oxidation rates of $TiO_{2-x}$, could be relatively slower than that of crystallization. When the films were cooled slowly between $500^{\circ}C$~$300{\circ}C$, Magneli was transformed into an anatase and stabilized, but directly into a rutile under fast cooling. Because the rutile also prevailed after cooling from $600^{\circ}C$, it was concluded that the rutile phase could be formed directly from Magneli as well as converted from the anatase. Changes in volume and surface morphology were observed related to crystallization and oxidation processduring heat treatment. 비정량적 조성을 가진 비정질 산화타이타늄 박막을 반응성 스퍼터링으로 제조한후, $500^{\circ}C$~$600^{\circ}C$에서 10분-3시간 열처리후 냉각속도를 달리하였을 때의 상변태과정을 고찰하였다. 10분-30분정도의 단기간의 열처리후 급냉한 경우에는 Mageneli상이 관찰되어 비정상정 상($TiO_{2-x}$)이 산화되는 속도가 결정화속도보다 훨씬 느린 것으로 생각되었다. 그러나 열처리 유지시간이 증가하면 $500^{\circ}C$에서 부터의 느린 냉각과정에서는 Magneil가 anatase로 변화하며 변태한 anatase는 저온에서는 rutile로 변화하지 않았으나 $500^{\circ}C$~$300{\circ}C$의 온도 구간을 비교적 빠르게 냉각하면 Matneli상은 직접 rutile상으로 변화할 수 있는 것으로 고찰되었다. 또한 $600^{\circ}C$에서 냉각시에도 rutile상이 형성됨으로서 rutile상은 $500^{\circ}C$이상의 고온에서도 이 상ㅇ르 거치지 않고 변태할 수 있는 것으로 분석된다. 결정화 및 산화과정은 부피의 변화를 야기하여 박막의 표면 형상의 변화도 가져옴이 관찰되었다.

      • SCOPUSKCI등재

        Mn-Zn 페라이트 다결정의 첨가물에 따른 초투자율의 변화 기구

        변순천,변태영,고경현,홍국선,Byeon, Sun-Cheon,Byeon, Tae-Yeong,Go, Gyeong-Hyeon,Hong, Guk-Seon 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.9

        52mol% Fe$_{2}$O$_{3}$, 26mol% MnO의 조성에서 calcium과 vanadium의 동시첨가에 의한 투자율의 변화원인을 살펴보았다. 초투자율은 첨가물의 농도가 커짐에 따라 감사하였으나 소결체의 밀도나 입자크기는 증가하였으므로 초투자율의 변화는 미세구조의 변화로는 설명되지 않았다. 전기비저항은 첨가물의 농도가 증가함에 따라 증가하였으며 이는 입계의 고저항층의 생성과 vanadium ion에 의한 Fe$^{2+}$이온의 산화로 설명되었다. 첨가물의 농도가 증가함에 따라, 초투자율의 제 2차 최대치가 나타나지 않는 것과 초투자율이 감소하는 것으로부터, 결정자기이방성 상수의 값은 음으로 커짐을 알 수 있었다. 투자육의 온도의존성과 비저항의 변화로부터, 첨가물의 농도에 따른 상온 초투자율의 감소는 Fe$^{2+}$ 이온 농도의 감소에 따른 결정자기이방성 상수의 증가에 의한 효과와 입계에 유리질이 생겨 자벽이 쉽게 이동하지 못하는 효과 때문인 것으로 판단되었다.

      • SCOPUSKCI등재

        VCR 헤드 제조시 $SiO_2$박막과 유리의 계면 결함

        윤능구,황재웅,고경현,안재환,제해준,홍국선,Yun, Neung-Gu,Hwang, Jae-Ung,Go, Gyeong-Hyeon,An, Jae-Hwan,Je, Hae-Jun,Hong, Guk-Seon 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.1

        Mn-Zn ferrite를 가공하여 VCR헤드의 제조과정에서 비자성체 gap용 $SiO_{2}$증착층과 유리와의 접합시 유리내에 기포 형태의 결함이 발생하는 경우가 있다. 기판의 조도나 $SiO_{2}$의 증착속도의 영향을 분석한 결과, 기포의 생성원인이 $SiO_{2}$ 증착층과 접합유리의 융착시 계면에 존재하는 요철의 불완전한 충진에 의한 것으로 나타났다. 따라서 이러한 기포생성을 억제시키는 위해서는 기판을 최대한 경면 연마시켜 표면조도를 작게하고 $SiO_{2}$증착속도를 조절함으로써 $SiO_{2}$증착층의 표면조도를 작게하여 유리 융착시 계변의 요철 크기를 작게해야 한다. 기판을 0.05$\mu\textrm{m}$알루미나 분말로 경면연마시키고, 10% Osub 2/분압을 갖는 Ar plasma상태하로 조절된 증착속도로 즈악된 $SiO_{2}$증착층과 접합유리의 융착시 기포가 전혀 발생치 않았다. The bonding behavior of $SiO_{2}$ thin film and glass during VCR head fabrication was investigated, varying the surface roughness of substrate and the sputtering parameter. Insufficient fillings of grooves In the $SiO_{2}$ film with glass was postulated to give rise to the generation of bubble in the glass. The surface roughness of $SiO_{2}$ film was found to depend on that of substrate. The lower the deposition rate, the smoother the surface of film. The bubble free glass after bonding could be obtained using substrate polished with 0.05$\mu\textrm{m}$ $Al_2O_3$ powder under the sputtering condition of 10% oxygen pressure.

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