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실시간 Co-Simulation을 위한 FMI 기반 시간관리 기법
경동구(Dong-Gu Kyung),조인휘(Inwhee Joe),김원태(Wontae Kim) 한국전기전자학회 2020 전기전자학회논문지 Vol.24 No.2
CPS의 대규모 시뮬레이션을 연동하기 위한 표준으로 FMI가 연구되고 있다. FMI를 이용한 대규모 시뮬레이션에서 결과의 신뢰성을 보장하기 위해 시간관리 기법을 통한 이벤트 처리가 필요하다. 본 논문은 CPS와 같은 대규모 Co-Simulation 환경에서 실시간성과 정확성을 보장하도록 한다. 실시간성을 보장하기 위해 Wallclock time과 Simulation time을 동기화 한다. 또한 정확성을 보장하기 위해 시뮬레이션을 진행하기 전에 이벤트 여부를 확인한 후, 이벤트 발생시간까지 실시간성을 유지하면서 최대한 작은 step size로 시뮬레이션을 진행한다. 그 결과 Co-Simulation 환경에서 발생하는 이벤트를 순차적으로 즉시 처리하였으며, 실시간성을 보장함과 동시에 시뮬레이션 해상도를 최대로 하여 수치적분 에러를 최소화한다. 실험에서 제안하는 기법은 이벤트 처리가 즉시 이루어졌으며, 해상도를 보장하지 않는 기존의 시간관리 기법과 달리 수치적분 에러가 1/5가량 감소하는 것을 확인하였다. FMI is being researched as a standard for linking large-scale simulation of CPS. In order to guarantee the reliability of the results in large-scale simulations using FMI, event handling through time management techniques is required. This paper aims to guarantee real-time performance and accuracy in large-scale co-simulation environments such as CPS. Synchronize the wallclock time and simulation time to ensure real time. Also, to ensure the accuracy, before the simulation, the event is checked and the simulation is performed with the smallest step size while maintaining the real time until the event occurrence time. As a result, the events occurring in the co-simulation environment are processed immediately and sequentially, ensuring the real-time performance and minimizing the numerical integration error by maximizing the simulation resolution. In the experiment, the proposed method was processed immediately, and it was confirmed that the numerical integration error is reduced by about 1/5 unlike the existing time management method which does not guarantee the resolution.
용액 공정을 이용한 IZO 트랜지스터의 전기적 성능에 대한 박막 두께의 영향
김한상,경동구,김성진,Kim, Han-Sang,Kyung, Dong-Gu,Kim, Sung-Jin 한국전기전자재료학회 2017 전기전자재료학회논문지 Vol.30 No.8
We investigated the effect of different thin-film thicknesses (25, 30, and 40 nm) on the electrical performance of solution-processed indium-zinc-oxide (IZO) thin-film transistors (TFTs). The structural properties of the IZO thin films were investigated by atomic force microscopy (AFM). AFM images revealed that the IZO thin films with thicknesses of 25 and 40 nm exhibit an uneven distribution of grains, which deforms the thin film and degrades the performance of the IZO TFT. Further, the IZO thin film with a thickness of 30 nm exhibits a homogeneous and smooth surface with a low RMS roughness of 1.88 nm. The IZO TFTs with the 30-nm-thick IZO film exhibit excellent results, with a field-effect mobility of $3.0({\pm}0.2)cm^2/Vs$, high Ion/Ioff ratio of $1.1{\times}10^7$, threshold voltage of $0.4({\pm}0.1)V$, and subthreshold swing of $0.7({\pm}0.01)V/dec$. The optimization of oxide semiconductor thickness through analysis of the surface morphologies can thus contribute to the development of oxide TFT manufacturing technology.