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GPS와 영상정보를 이용한 차로 수준의 차량 위치추정 기법
강정민(Jeongmin Kang) 대한전기학회 2021 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2021 No.10
본 논문에서는 GPS 위치정보와 영상정보를 이용하여 차로 수준의 차량 위치추정 기법을 제안한다. 우선 차량의 전방 카메라로부터 취득되는 이미지를 이용하여 도로에서 현재 차량의 주행 차로 정보를 취득한다. 기취득된 도로 정밀지도의 차로 중앙선 정보 중 현재 주행 중인 차로 중앙선의 정보를 불러온 후 GPS로부터 취득되는 주행 경로와의 정합을 통하여 차량의 현재 위치를 추정한다. 두 데이터셋 사이의 최적화된 변환행렬을 구하기 위해 최소 자승법을 활용하여 회전행렬과 이동벡터를 도출한 후 최종적으로 정밀 도로지도의 주행 차로 중앙선으로 사영시킴으로써 차량의 현재 위치를 추정한다. 마지막으로 실제 도로에서 실험을 통하여 제안한 방법의 우수성을 보인다.
Single ZnO Nanowire Inverter Logic Circuits on Flexible Plastic Substrates
강정민(Jeongmin Kang),이명원(Myeongwon Lee),구상모(Sang-Mo Koo),홍완식(Wan-Shick Hong),김상식(Sangsig Kim) 대한전기학회 2010 전기학회논문지 Vol.59 No.2
In this study, inverter logic circuits on a plastic substrate are built with two top-gate FETs in series on a single ZnO nanowire. The voltage transfer characteristics of the ZnO nanowire-based inverter logic circuit exhibit a clear inverting operation. The logic swing, gain and transition width of the inverter logic circuit is about 90 %, 1.03 and 1.2 V, respectively. The result of mechanical bending cycles of the inverter logic circuit on a plastic substrate shows that the stable performance is maintained even after many hundreds of bending cycles.
A study for omega-shaped gate ZnO nanowire FET
김기현(Kihyun Keem),강정민(Jeongmin Kang),윤창준(Changjoon Yoon),정동영(Dong-Young Jeong),김상식(Sangsig Kim) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
Omega-shaped-gate (OSG) nanowire-based field effect transistors (FETs) have been attracted recently attention due to their highdevice performance expected from theoretical simulations among nanowire-based FETs with other gate geometries. OSG FETs with the channels of ZnO nanowires were successfully fabricated in this study with photolithographic processes. In the OSG FETs fabricated on oxidized Si substrates, the channels of ZnO nanowires with diameters of about 60㎚ are coated surroundingly by Al₂O₃ as gate dielectrics with atomic layer deposition. About 80% of the surfaces of the nanowires coated with Al₂O₃ is covered with gate metal to form OSG FETs. A representative OSG FET fabricated in this study exhibits a mobility of 98.9㎠/Vs, a peak transconductance of 0.4㎲, and an Ion/Ioff ratio of 10? the value of the Ion/Ioff ratio obtained from this OSG FET is the highest among nanowire-based FETs, to our knowledge. Its mobility, peak transconductance, and Ion/Ioff ratio are remarkably enhanced by 11.5, 32, and 10? times, respectively, compared with a back-gate FET with the same ZnO nanowire channel as utilized in the OSG FET