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플립러닝 기반 SSI 수업이 중학생의 과학기술 사회 시민으로서의 역량 및 인성 함양에 미치는 효과
박동화 ( Donghwa Park ),고연주 ( Yeonjoo Ko ),이현주 ( Hyunju Lee ) 한국과학교육학회 2018 한국과학교육학회지 Vol.38 No.4
본 연구는 플립러닝을 적용한 과학관련 사회쟁점 교수학습(FL-SSI)이 중학생의 시민역량과 인성발달에 미치는 영향을 탐색하는 것을 목적으로 하였다. 플립러닝은 교실 수업 전 교수학습 영상을 제공하여 기초 개념과 문제인식의 기회를 제공하고, 교실 수업에서는 이를 바탕으로 한 토의토론 활동을 진행함으로써 학생들이 보다 역동적이고 협력적으로 수업에 참여할 수 있도록 하는 전략이다. 이에 본 연구에서는 전통적인 SSI 수업에서 보고되는 시간과 정보의 제약이나 토의·토론 진행 등의 어려움을 해결하고자 플립러닝 전략에 기초한 과학관련 사회쟁점 교수학습 프로그램을 개발 및 적용하였다. 본 연구에는 중학교 2학년 학생 73명이 네 가지 주제의 12차시 수업으로 구성된 SSI 교수학습 프로그램에 참여하였다. 학생들은 매 차시 수업 전 교사가 웹에 게시한 동영상을 시청한 후, 본 수업에서는 영상에 대한 이해를 바탕으로 다양한 학생중심 활동에 참여하였다. 학생들은 수업 전후 과학기술 사회의 시민역량과 글로벌 시민으로서 갖추어야 할 인성을 측정하는 검사지에 응답하였으며, 수업 이후 포커스 그룹 면담에 참여함으로써 학생들이 인식한 플립러닝 기반 과학관련 사회쟁점 교수학습의 효과를 살펴보았다. 연구 결과, 플립러닝 기반 SSI 수업에 참여한 학생들의 시민역량과 인성은 수업 후 통계적으로 유의한 향상이 있었다. 특히 학생들은 시민역량의 네 영역(협업능력, 정보기술 및 미디어 활용능력, 비판적 사고와 문제해결능력, 의사소통능력) 모두에서 통계적으로 유의한 향상이 있었으며, 인성의 세 영역 중 두 영역(사회도덕적 공감, 과학관련 사회쟁점에 대한 책무성) 영역에서 유의한 향상이 있었다. 포커스 그룹면담 결과 또한 학생들이 SSI 수업에 플립러닝을 적용한 효과를 긍정적으로 인식하였음을 뒷받침하였다. 학생들은 플립러닝 전략을 통해 SSI 문제 상황에 대한 이해를 높였으며, 자료탐색과 의사결정의 시간을 절약함으로써 교실수업 시간을 SSI 문제 상황을 해결하는 데 온전하게 활용하였다. 또한 SSI 문제를 둘러싼 다양한 관점에 대해 이해할 수 있는 충분한 기회를 가질 수 있었다. 본 연구는 플립러닝 전략이 기존의 SSI 수업에서의 어려움을 보완하고 개선함으로써, SSI 수업을 효과적으로 운영할 수 있는 한 방안이 될 수 있음을 보여준다. This study aims to investigate how flipped learning-based socioscientific issue instruction (FL-SSI instruction) affected middle school students’ key competencies and character development. Traditional classrooms are constrained in terms of time and resources for exploring the issues and making decision on SSI. To address these concerns, we designed and implemented an SSI instruction adopting flipped learning. Seventy-three 8th graders participated in an SSI program on four topics for over 12 class periods. Two questionnaires were used as a main data source to measure students’ key competencies and character development before and after the SSI instruction. In addition, student responses and shared experience from focus group interviews after the instruction were collected and analyzed. The results indicate that the students significantly improved their key competencies and experienced character development after the SSI instruction. The students presented statistically significant improvement in the key competencies (i.e., collaboration, information and technology, critical thinking and problem-solving, and communication skills) and in two out of three factors in character and values as global citizens (social and moral compassion, and socio-scientific accountability). Interview data supports the quantitative results indicating that SSI instruction with a flipped learning strategy provided students in-depth and rich learning opportunities. The students responded that watching web-based videos prior to class enabled them to deeply understand the issue and actively engage in discussion and debate once class began. Furthermore, the resulting gains in available class time deriving from a flipped learning approach allowed the students to examine the issue from diverse perspectives.
Accelerating Memory Access with Address Phase Skipping in LPDDR2-NVM
Park, Jaehyun,Shin, Donghwa,Chang, Naehyuck,Lee, Hyung Gyu The Institute of Electronics and Information Engin 2014 Journal of semiconductor technology and science Vol.14 No.6
Low power double data rate 2 non-volatile memory (LPDDR2-NVM) has been deemed the standard interface to connect non-volatile memory devices such as phase-change memory (PCM) directly to the main memory bus. However, most of the previous literature does not consider or overlook this standard interface. In this paper, we propose address phase skipping by reforming the way of interfacing with LPDDR2-NVM. To verify effectiveness and functionality, we also develop a system-level prototype that includes our customized LPDDR2-NVM controller and commercial PCM devices. Extensive simulations and measurements demonstrate up to a 3.6% memory access time reduction for commercial PCM devices and a 31.7% reduction with optimistic parameters of the PCM research prototypes in industries.
Park, Kyutae,Woo, Kyoohee,Kim, Jongyoun,Lee, Donghwa,Ahn, Yumi,Song, Dongha,Kim, Honggi,Oh, Dongho,Kwon, Sin,Lee, Youngu American Chemical Society 2019 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES Vol.11 No.16
<P>Conventional printing technologies such as inkjet, screen, and gravure printing have been used to fabricate patterns of silver nanowire (AgNW) transparent conducting electrodes (TCEs) for a variety of electronic devices. However, they have critical limitations in achieving micrometer-scale fine line width, uniform thickness, sharp line edge, and pattering of various shapes. Moreover, the optical and electrical properties of printed AgNW patterns do not satisfy the performance required by flexible integrated electronic devices. Here, we report a high-resolution and large-area patterning of highly conductive AgNW TCEs by reverse offset printing and intense pulsed light (IPL) irradiation for flexible integrated electronic devices. A conductive AgNW ink for reverse offset printing is prepared by carefully adjusting the composition of AgNW content, solvents, surface energy modifiers, and organic binders for the first time. High-quality and high-resolution AgNW micropatterns with various shapes and line widths are successfully achieved on a large-area plastic substrate (120 × 100 mm<SUP>2</SUP>) by optimizing the process parameters of reverse offset printing. The reverse offset printed AgNW micropatterns exhibit superior fine line widths (up to 6 μm) and excellent pattern quality such as sharp line edge, fine line spacing, effective wire junction connection, and smooth film roughness. They are post-processed with IPL irradiation, thereby realizing excellent optical, electrical, and mechanical properties. Furthermore, flexible OLEDs and heaters based on reverse offset printed AgNW micropatterns are successfully fabricated and characterized, demonstrating the potential use of the reverse offset printing for the conductive AgNW ink.</P> [FIG OMISSION]</BR>