http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
표면처리된 AlPO<sub>4</sub>에 대한 납 이온의 흡착 거동 분석
김용호,길현석,강광철,최석남,이석우,Kim, Young-Ho,Kil, Hyun-Suk,Kang, Kwang-Cheol,Choi, Suk-Nam,Rhee, Seog-Woo 한국분석과학회 2011 분석과학 Vol.24 No.4
세제 제조시설 폐수의 유기물을 틀로 하여 $Al(OH)_3$과 $H_3PO_4$의 반응으로 $AlPO_4$-계 물질을 합성하였다. 소성된 $AlPO_4$-계 물질을 APTMS, 석신산 무수물과 반응시켜 표면을 카르복실기로 바꾸었다. 분말 XRD 결과, 특징적인 $AlPO_4$-계 물질의 패턴을 얻었으며, 물질의 형태는 SEM으로 조사하였고, 작용기는 FT-IR 분석으로 확인하였다. 증류수에 분산시킨 고체의 표면 전위 측정 결과, $AlPO_4-NH_2$는 양의 표면 전하를 갖는 반면, $AlPO_4$-COOH는 음의 표면 전하를 갖는 것으로 나타났다. 합성된 $AlPO_4$-계 물질을 이용하여 수용액에서 유해 중금속의 제거 실험을 수행하였다. 납 이온은 표면에 존재하는 카르복실기와 착물을 형성하며 물질에 흡착되었고, 흡착 분배계수는 91.1 mL/g이었다. 결론적으로 본 연구에서 고찰한 $AlPO_4$-계 물질은 수환경에서 유해 중금속 이온의 제거에 활용될 수 있을 것이다. $AlPO_4$-type material was synthesized by a reaction of $Al(OH)_3$ and H3PO4 with organic templates from wastewater of detergent manufacturer. The surface of material was coated with carboxylate groups by the reaction of succinic anhydride with surface amino groups which were formed by treatment of the material with APTMS. Powder XRD patterns showed the characteristic patterns of $AlPO_4$. Morphology of the material was examined using a SEM and the functional groups were investigated by FT-IR analysis. The surface charge of a aqueous suspension was analyzed: $AlPO_4-NH_2$ has positively charged surface while $AlPO_4$-COOH has negatively charged one. They were used for the removal of toxic metals from aqueous solution. The lead ions were adsorbed on the surface by the formation of complexes with carboxylate of surface and $K_d$ was 91.1 mL/g. In conclusion, the $AlPO_4$-COOH might be applicable in the removal of toxic metal ions from aqueous system.
김용호,박헌,박무훈,하판봉,김영희,Kim, Yong-Ho,Park, Heon,Park, Mu-Hun,Ha, Pan-Bong,Kim, Young-Hee 한국정보통신학회 2015 한국정보통신학회논문지 Vol.19 No.3
본 논문에서는 MCU(Micro Controller Unit) IC를 위한 50ns 256Kb EEPROM 회로를 설계하였다. 설계된 EEPROM IP는 기준전압을 이용한 차동증폭기 형태의 DB(Data Bus) 센싱 회로를 제안하여 읽기 동작시 데이터 센싱 속도를 빠르게 하였으며, DB를 8등분한 Distributed DB 구조를 적용하여 DB의 기생 커패시턴스 성분을 줄여 DB의 스위칭 속도를 높였다. 또한 기존의 RD 스위치 회로에서 5V 스위치 NMOS 트랜지스터를 제거함으로써 읽기 동작 시 BL의 프리차징 시간을 줄여 액세스 시간을 줄였고 데이터 센싱 시 DB 전압과 기준전압 간의 전압차 ${\Delta}V$를 0.2VDD 정도 확보하여 출력 데이터의 신뢰도를 높였다. 매그나칩반도체 $0.18{\mu}m$ EEPROM 공정으로 설계된 256Kb EEPROM IP의 액세스 시간은 45.8ns 이며 레이아웃 면적은 $1571.625{\mu}m{\times}798.540{\mu}m$이다. In this paper, a 50ns 256-kb EEPROM IP for MCU (micro controller unit) ICs is designed. The speed of data sensing is increased in the read mode by using a proposed DB sensing circuit of differential amplifier type which uses the reference voltage, and the switching speed is also increased by reducing the total DB parasitic capacitance as a distributed DB structure is separated into eight. Also, the access time is reduced reducing a precharging time of BL in the read mode removing a 5V NMOS transistor in the conventional RD switch, and the reliability of output data can be secured by obtaining the differential voltage (${\Delta}V$) between the DB and the reference voltages as 0.2*VDD. The access time of the designed 256-kb EEPROM IP is 45.8ns and the layout size is $1571.625{\mu}m{\times}798.540{\mu}m$ based on MagnaChip's $0.18{\mu}m$ EEPROM process.