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- 저자 : 김순구(Soon Koo Kim) (검색결과 6 건)
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MBE에 의한 다양자 우물제작 및 특성연구 (공명투과 다이오드의 제작과 전기적 특성)
김순구(Soon Koo Kim),강태원(Tae Won Kang),홍치유(Chi You Hong),정관수(Kwan Soo Chung),주영도(Young Do Joo) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1
GaAs/AlAs 이중장벽 구조를 MBE(Molecular Beam Epitaxy)법으로 성장하여, mesa diode를 제작하고 전류전압 특성을 측정하였다. 계면은 평탄한 이중장벽 구조로 성장되었음이 확인되었으며, 실온에서 장벽의 두께가 변화함에 따라 PVCR(Peak to Valley Current Ratio)의 값은 크게 변하지 않았다. 이는 장벽의 두께가 증가함에 따라 nonresonant tunneling에 의한 valley current가 크게 증가함에 기인한다. The GaAs/AlAs double barrier structures was grown by MBE(Molecular Beam Epitaxy). Mesa diode was fabricated and I-V characteristics of the diode were measured by semiconductor parameter analyser at room temperature. TEM pictures show the double barrier structure with abrupt interface. PVCR(Peak to Valley Current Ratio) proves to be independent of barrier thickness. These results show that increase in barrier thickness leads to larger valley current by non-resonant tunneling.
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정민규,채연식,김순구,윤진섭,미즈노 코지,이진구,Jung, Min-Kyoo,Chae, Yeon-Sik,Kim, Soon-Koo,Yoo, Jin-Seob,Koji, Mizuno,Rhee, Jin-Koo 대한전자공학회 2007 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.44 No.3
이차원 이미징 배열소자를 갖는 밀리미터파 수동 이미징 시스템을 제작하였다. 이 이미징 시스템을 제작하기 위하여 하나의 기판에 페르미테이퍼 슬롯 안테나. 발룬, 저잡음 증폭기 검파기가 집적되어 있는 이미징 배열 소자를 개발하였다. 또한 $2\times2$의 이미징 배열소자가 배열된 시스템으로 사람의 밀리미터파 수동 이미지를 얻었다. 현재 실시간 35GHz 밀리미터파 수동 이미지 시스템 개발을 위한 이차원 배열 소자를 개발 중에 있다. 제작된 이차원 이미징 배열소자를 갖는 밀리미터파 수동 이미징 시스템을 바탕으로 밀리미터파 실시간 영상을 취득할 수 있는 밀리미터파 수동 이미징 시스템의 실현을 기대할 수 있게 되었다. We have developed a passive millimeter wave (PMMW) imaging system with two-dimensional imaging arrays. For the imaging system we achieved single-substrate imaging-array element which include all necessary component such as Fermi tapered slot antenna (TSA), a balun, LNA's and a detector circuit on it. Two-dimensional arrays for real-time imaging at the 35 GHz band are currently under development. We will be able to make an advanced PMMW image system based on our system with the $2\times2$ imaging array in the near future.
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여러 질소 플라즈마 상태에서 성장한 wurtzite GaN의 결정특성
조성환(Sung Hwan Cho),김순구(Soon Koo Kim),유연봉(Yeon Bong Yoo) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.4
다양한 질소 압력, 플라즈마 파워 상태에서 사파이어 기판위에 전자 사이클로트론 공명 MBE로 제작한 wurtzite GaN의 결정특성을 XRD의 반치폭, 주사전자 현미경으로 조사하였다. 질소 압력은 XRD의 반치폭에 커다란 영향을 미치고 있으며 최적 질소 압력에서 제작한 시료에는 높은 dislocation density를 포함하고 있슴을 알았다. 이러한 결과들은 갈륨질소의 결정질(crystal quality)은 플라즈마 상태에 매우 민감하며 또한 스트레스 완화는 V/Ⅲ 비에 의존하고 있음을 나타낸다. 그렇지만 사파이어 기판의 nitridation은 스트레스 완화에 커다란 영향을 미치지 않고 있었다. Crystal properties of wurtzite GaN films grown on Al₂O₃(0001) substrates under various nitrogen pressure and plasma power by electron cyclotron resonance molecular beam epitaxy were investigated by full width at half maximum of X-ray diffraction peak and scanning electron microscope. It was found that the nitrogen pressure has a large effect on the FWHM value of XRD, and the GaN film grown under the optimum nitrogen pressure contains high density of dislocations. These results suggest that the crystal quality is sensitive to the plasma source conditions and that the relaxation of stress depends on V/Ⅲ ratio. However, substrate-surface nitridation has little effect on the relaxation of misfit stress.
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DAML 구조를 이용한 새로운 형태의 SIR대역 통과 여파기의 설계 및 제작
백태종,고백석,김성찬,임병옥,안단,김순구,신동훈,이진구,Baek Tae-Jong,Ko Baek-Seok,Kim Sung-Chan,Lim Byeong-Ok,An Dan,Kim Soon=Koo,Shin Dong-Hoon,Rhee Jin-Koo 한국전자파학회 2005 한국전자파학회논문지 Vol.16 No.7
본 논문에서 우리는 DAML(Dielectric Air-gapped supported Microstrip Line) 구조를 이용하여 새로운 구조의 SIR대역 통과 여파기를 설계 제작하였다. 제작된 SIR대역 통과 여파기는 MIM capacitor를 커플링 포트로써 사용함으로 DAML구조를 이용하여 쉽게 제작될 수 있다. 더욱이 이러한 구조는 CPW interfaces를 가지고 있고 DAML구조의 링 공진기는 기판으로부터 $10{\mu}m$높이로 분리되어 있기 때문에 일반적인 평면 구조의 MMICs와 집적하기 유리하다. 제작된 필터의 측정 결과, 60 GHz에서 $10\%$의 대역폭, 60.7 GHz에서 2.84 dB의 삽입 손실, 56 GHz에서 18.4 dB의 감쇠 특성, 60 GHz에서 23 dB의 반사 특성을 얻었다. In this paper, we proposed a new type SIR bandpass filter using DAMLs. This filter is consisted of 2 layers with MEMS resonator layer and CPW feed line. DAMLs ring resonator is elevated with $10{\mu}m$ height from GaAs substrate. Using MEMS processing, we are able to realize SIR bandpass filter easily. Furthermore it is useful to integrate on conventional MMICs because it has CPW interfaces and ring resonator is isolated from substrate by air-gap. We optimized and measured the results that $S_{21}$ attenuation at rejected band is over 15 dB, insertion loss is inside the limit of 3 dB, and relative bandwidth is about $10\%$ at 60 GHz.
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HEMS 기술을 이용한 180° 하이브리드 결합기가 집적된 단일 평형 혼합기의 설계 및 제작에 관한 연구
김성찬,임병옥,백태종,고백석,안단,김순구,신동훈,이진구,Kim Sung-Chan,Lim Byeong-Ok,Baek Tae-Jong,Ko Baek-Seok,An Dan,Kim Soon-Koo,Shin Dong-Hoon,Rhee Jin-Koo 한국전자파학회 2005 한국전자파학회논문지 Vol.16 No.7
본 논문에서는 표면 MEMS 기술을 이용하여 제작된 $180^{\circ}$ 하이브리드 결합기가 집적된 60 GHz 대역의 단일평형 혼합기를 설계$\cdot$제작하였다. 혼합기에 사용된 $180^{\circ}$ 하이브리드 결합기는 substrate에 의한 dielectric loss를 최소화하기 위하여 polyimide dielectric을 지지대로 사용하여 신호선이 공기 중에 떠 있는 형태의 마이크로스트립 라인을 이용하여 설계하였으며, 이때 지지대의 높이는 $10{\mu}m$이고 면적은 $20{\mu}m{\times}20{\mu}m$을 사용하였다. 제작된 혼합기 의 측정 결과, LO 주파수가 58 GHz에서 LO power가 7.2 dBm 57 GHz에서 RF power가 -15 dBm 일 때, 15.5 dB의 변환 손실과 -40 dB의 RF-LO isolation 특성을 얻었다. 본 논문에서 제안된 혼합기는 RF MEMS 수동 소자를 MMIC와 집적화 함으로써 칩 성능의 감소 없이 크기를 줄일 수 있다는 장점을 가지고 있다. In this paper, we have developed a new type of single balanced mixer with the RF MEMS $180^{\circ}$ hybrid coupler using surface micromachining technology. The $180^{\circ}$ hybrid coupler in this mixer is composed of the dielectric-supported air gapped microstriplines(DAMLs) which have signal line with $10{\mu}m$ height to reduce substrate dielectric loss and dielectric posts with size of $20{\mu}m{\times}20{\mu}m$ to elevate the signal line on air with stability At LO power of 7.2 dBm, the conversion loss was 15.5 dB f3r RF frequency or 57 GHz and RF power of -15 dBm. Also, we obtained the good RF to LO isolation of -40 dB at LO frequency of 58 GHz and LO power of 7.2 dBm. The main advantage of this type of mixer is that we are able to reduce the size of the chips due to integrating the MEMS passive components.
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정민규(Min-Kyoo Jung),채연식(Yeon-Sik Chae),김순구(Soon-Koo Kim),윤진섭(Jin-Seob Yoon),미즈노 코지(Mizuno Koji),이진구(Jin-Koo Rhee) 대한전자공학회 2007 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.44 No.3
이차원 이미징 배열소자를 갖는 밀리미터파 수동 이미징 시스템을 제작하였다. 이 이미징 시스템을 제작하기 위하여 하나의 기판에 페르미테이퍼 슬롯 안테나, 발룬, 저잡음 증폭기, 검파기가 집적되어 있는 이미징 배열 소자를 개발하였다. 또한 2×2의 이미징 배열소자가 배열된 시스템으로 사람의 밀리미터파 수동 이미지를 얻었다. 현재 실시간 35㎓ 밀리미터파 수동 이미지 시스템 개발을 위한 이차원 배열 소자를 개발 중에 있다. 제작된 이차원 이미징 배열소자를 갖는 밀리미터파 수동 이미징 시스템을 바탕으로 밀리미터파 실시간 영상을 취득할 수 있는 밀리미터파 수동 이미징 시스템의 실현을 기대할 수 있게 되었다. We have developed a passive millimeter wave (PMMW) imaging system with two-dimensional imaging arrays. For the imaging system, we achieved the single-substrate imaging-array element which include all necessary component such as Fermi tapered slot antenna (TSA), a balun, LNA's and a detector circuit on it. Two-dimensional arrays for real-time imaging at the 35 ㎓ band are currently under development. We will be able to make an advanced PMMW image system based on our system with the 2×2 imaging array in the near future.
DBpia
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