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IEEE 802.11ax UORA에서 다양한 RA-RU의 분배 방식에 따른 결합 지연 시간 성능 분석
김병찬(Byoungchan Kim),김영부(Youngboo Kim),오승민(Seungmin Oh) 한국통신학회 2021 한국통신학회 학술대회논문집 Vol.2021 No.6
IEEE 802.11ax 무선랜 표준에서 UORA(Uplink OFDMA Random Access)는 OFDMA에서 단말의 상향링크 전송을 지원하기 위한 채널 접속 기법이며, UORA에서 무선 자원의 최소단위는 RA-RU(Random Access Resource Unit)이다. 또한, RA-RU 중 일부는 단말의 상향링크 데이터 전송을 위해 허용되고, 다른 일부는 AP와 결합되지 않는 단말의 결합 절차를 위한 프레임 교환에 이용될 수 있으며, 서로 다른 유형의 RA-RU가 차지하는 비중이 UORA 성능에 미치는 영향을 분석할 필요가 있다. 이를 위해, 본 논문에서는 RA-RU의 다양한 분배 방식이 UORA의 성능에 미치는 영향을 확인하기 위한 모의실험을 진행하였으며, 단말의 결합 지연 성능과 상향링크의 처리량 측면에서 상충 관계가 있음을 확인하였다.
아두이노-안드로이드를 활용한 실내 자동화 환기 시스템에 관한 구현
김병찬(Byoungchan Kim),김소희(Sohui Kim),조아영(Ahyeong Cho),한선영(Sunyoung Han),유선종(Seonjong Yoo),오승민(Seungmin Oh) 한국통신학회 2022 한국통신학회 학술대회논문집 Vol.2022 No.2
환기 시스템은 자연환기와 기계환기가 있는데, 기계환기는 필터의 주기적인 교체와 초기 구매 시 발생하는 고비용으로 사용자에게 부담이 되고, 공기청정기와 같은 실내 기계환기장치로만 환기 할 경우 실내에 고농도 이산화탄소, 병원균, 유기화합물 등의 배출이 원활하지 않다. 따라서 본 논문에서는 아두이노 센서들을 이용한 실내 공기오염에 영향을 끼치는 일산화탄소와, 이산화탄소, 미세먼지의 기준치로 유해 구간을 설정, 저비용으로 스마트 자연환기 환경을 구성한다.
Hee-Sauk Jhon,Jae-Hong Lee,Jaeho Lee,Byoungchan Oh,Ickhyun Song,Yeonam Yun,Byung-Gook Park,Jong-Duk Lee,Hyungcheol Shin IEEE 2009 IEEE electron device letters Vol.30 No.12
<P>In this letter, <I>f</I> <SUB>max</SUB> improvement of a circuit-level radio-frequency (RF) transistor with systematic layout variations is presented in deep-submicrometer CMOS technology. We confirmed that the circuit-level MOS transistor has a tradeoff among the extrinsic capacitive and resistive parasitics (<I>C</I> <SUB>gd</SUB>, <I>C</I> <SUB>gs</SUB>, and <I>Rg</I>) on circular gate metal layers. Furthermore, it reduces the extrinsic <I>C</I> <SUB>gd</SUB> and <I>Rg,</I> which have great effect on the RF performance, simultaneously. For qualitative analysis of the capacitive coupling, which attributed to undesired extrinsic capacitance, capacitive coupling paths were separately defined as two cases, namely, direct capacitive coupling and indirect capacitive coupling. Some of the key small-signal parameters were also extracted and compared with different types of transistors, and they show a good match with the observed trends. The proposed layout exhibits the improvement of <I>f</I> <SUB>max</SUB> up to ~ 21% without <I>fT</I> variation compared to a reference device due to reduced extrinsic <I>Rg</I> and <I>C</I> <SUB>gd</SUB> parasitics by changing the number of gate contacts and gate-to-drain interconnection lines.</P>