http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
MicroTec을 이용한 태양전지 전류-전압 특성곡선 분석
정학기,한지형,Jung, Hak-Kee,Han, Ji-Hyung 한국정보통신학회 2009 한국정보통신학회논문지 Vol.13 No.6
본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 태양전지의 전류-전압 특성곡선을 분석하였다. 전류-전압 특성곡선은 태양전지의 효율을 나타낸다. 전극이 직접 접촉하는 부분에 고농도 도핑을 하고 전극이 없는 부분에 저농도 도핑으로 전면을 처리한다. 도핑 농도를 $10^{14}cm^{-3}$에서 $10^{17}cm^{-3}$까지 변화시켜 도핑 농도에 따른 전류전압특성을 조사하였다. 또한 태양전지의 최대효율을 얻을 수 있는 도핑 농도를 결정하여 이의 전류-전압특성곡선을 비교 분석 하고자한다. The current-voltage characteristics of solar cell has been analyzed using MicroTec in this paper. The current-voltage characteristics represents a efficiency of solar cell. The part of metal contact is doped highly, but active region is doped lowly. We have investigated the current-voltage characteristics according to variation of doping concentration from $10^{14}cm^{-3}$ to $10^{17}cm^{-3}$. We has also determined the doping concentration to obtain the maximum efficiency of solar cell, and analyzed this current-voltage characteristics.
이중게이트 MOSFET에서 채널도핑분포의 형태에 따른 문턱전압특성분석
정학기,한지형,이재형,정동수,이종인,권오신,Jung, Hak-Kee,Han, Ji-Hyung,Lee, Jae-Hyung,Jeong, Dong-Soo,Lee, Jong-In,Kwon, Oh-Shin 한국정보통신학회 2011 한국정보통신학회논문지 Vol.15 No.6
본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 문턱전압특성에 대하여 분석하고자 한다. 특히 포아송방정식을 풀 때 전하분포를 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압의 변화를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로 부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 문턱전압을 구하였다. 문턱전압은 표면전위가 페르미전위의 두배가 될 때 게이트 전압으로 정의되므로 표면전위의 해석학적 모델을 구하여 문턱전압을 구하였다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 DGMOSFET의 도핑분포 함수의 형태에 따라 문턱전압 특성을 분석하였다. In this paper, threshold voltage characteristics have been analyzed as one of short channel effects occurred in double gate(DG)MOSFET to be next-generation devices. The Gaussian function to be nearly experimental distribution has been used as carrier distribution to solve Poisson's equation, and threshold voltage has been investigated according to projected range and standard projected deviation, variables of Gaussian function. The analytical potential distribution model has been derived from Poisson's equation, and threshold voltage has been obtained from this model. Since threshold voltage has been defined as gate voltage when surface potential is twice of Fermi potential, threshold voltage has been derived from analytical model of surface potential. Those results of this potential model are compared with those of numerical simulation to verify this model. As a result, since potential model presented in this paper is good agreement with numerical model, the threshold voltage characteristics have been considered according to the doping profile of DGMOSFET.
MicroTec을 이용한 Trench D-MOSFET의 항복전압 분석
정학기,한지형,Jung, Hak-Kee,Han, Ji-Hyung 한국정보통신학회 2010 한국정보통신학회논문지 Vol.14 No.6
본 논문에서는 MicroTec을 이용하여 Trench D-MOSFET의 항복전압을 분석하였다. 소자의 고집적을 위한 특성 분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. Trench MOSFET은 고전압에서 가장 선호하는 전원장치이다. Trench MOSFET에서 산화막 두께와 도핑농도는 항복전압의 크기를 결정하며 고전압에 커다란 영향을 미치고 있다. 본 연구에서는 채널의 도핑 농도를 $10^{15}cm^{-3}$에서 $10^{17}cm^{-3}$까지 변화시켜 도핑 농도에 따른 항복전압 특성을 조사하였다. 또한 게이트 산화막 두께와 접합깊이를 변화시켜 항복전압 특성을 분석하였다. In the paper, the breakdown voltage of Trench D-MOSFET have been analyzed by using MircoTec. The technology for characteristic analysis of device for high integration is changing rapidly. Therefore to understand characteristics of high-integrated device by computer simulation and fabricate the device having such characteristics became one of very important subjects. A Trench MOSFET is the most preferred power device for high voltage power applications. The oxide thickness and doping concentration in Trench MOSFET determines breakdown voltage and extensively influences on high voltage. We have investigated the breakdown voltage characteristics according to variation of doping concentration from $10^{15}cm^{-3}$ to $10^{17}cm^{-3}$ in this study. We have also investigated the breakdown voltage characteristics according to variation of oxide thickness and junction depth.