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XPS를 이용한 TiN / Cu의 Grain boundary diffusion 연구
임관용(Kwanyong Lim),이연승(Youn-Seoung Lee),정용덕(Yong-Duck Chung),이경민(Kyungmin Lee),황정남(Chung-Nam Whang),최범식(Bum-Sik Choi),원정연(Jeungyun Won),강희재(Hee-Jae Kang) 한국진공학회(ASCT) 1998 Applied Science and Convergence Technology Vol.7 No.2
TiN을 Cu의 확산방지막으로 사용하기 위해 많은 연구가 되어왔는데, 이 연구에서는 특히 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 이용하여 TiN박막에서의 Cu의 확산현상을 연구하였다. TiN 박막은 일반적으로 columnar grain을 형성하면서 성장을 하는데, 녹는점의 1/3에 해당하는 비교적 낮은 온도에서는 grain들의 경계를 따라 Cu가 확산함을 확인하였다. Atomic force microscopy(AFM)를 이용하여 grain의 모양을 관찰하였고, 이 grain boundary를 통한 확산 현상을 연구하기 위하여, modified surface accumulation method를 이용하였다. 연구 결과, TiN박막에서의 Cu의 grain boundary diffusion의 활성화 에너지 Q_b는 0.23 eV, Diffusivity D_(bo)는 5.5×10^(-12) ㎠/sec의 값을 얻었다. TiN has been investigated as a good candidate for a diffusion barrier of Cu. Therefore, in this study, the grain boundary diffusion of Cu in TiN film was investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In general, TiN has a columnar grain structure. In the relatively lower temperature, less than 1/3 of the melting point, it was observed that Cu diffused into TiN mainly along the grain boundaries of TiN. The grain size of TiN was measured by atomic force microscope (AFM). In order to estimate the grain boundary diffusion constants, we used the modified surface accumulation method. The activation energy, Q_b was 0.23 eV, and the diffusivity, D_(bo) was 5.5×10^(-12) ㎠/sec.
CIGS 태양전지 제조를 위한 Cu-In-Ga 금속 전구체의 셀렌화 방법 연구
변태준(Byun, Tae-Joon),박래만(Park, Nae-Man),정용덕(Chung, Yong-Duck),조대형(Cho, Dae-Hyung),이규석(Lee, Kyu-Seok),김제하(Kim, Jeha),한전건(Han, Jeon-Geon) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.06
Cu(InGa)Se₂ (CIGS) 태양전지는 박막형 태양전지 중 가장 높은 에너지 변환 효율이 보고 되고 있다. CIGS 태양전지를 제조하는 방법은 3 단계 동시 증착법, 금속 전구체의 셀렌화 공정법, 전기 증착법 등이 있다. 이 중 금속 전구체의 셀렌화 공정법은 다른 제조 방법에 비해 대면적 생산에 유리하고, 비교적 공정 과정이 간단하다는 장점이 있다. 하지만 금속 전구체의 미세구조 및 제조 방법, 셀렌화 공정의 최적화에 대한 연구가 부족하다. 본 실험에서는 후면전극으로 사용되는 Mo 층이 증착된 소다회 유리(soda-lime glass)를 기판으로 사용하였다. Cu-In(4:6), Cu-Ga(6:4) 타겟을 DC 스퍼터링 시스템을 이용하여 금속 전구체를 증착하였다. 이 후 미국 Delawere 대학교의 IEC 연구소와 한국전자통신연구원 (ETRI)에서 금속 전구체의 셀렌화 공정을 진행하였다. 셀렌화 공정 전후의 금속 전구체의 결정 크기와 미세구조의 변화를 관찰하기 위하여 주사전자현미경 (SEM)과 X선 회절 분석기 (XRD)를 사용하였다. 센렌화 공정이 진행된 금속 전구체 위에 버퍼층으로 사용되는 CdS와 전면전극으로 사영되는 ZnO, ITO 층을 합성한 후 에너지 변환 효율을 측정하였다. 최고 효율은 9.7%로 관찰되었다.
다단계 검출알고리즘을 이용한 웨이블렛기반 이미지 워터마킹
이구영,정용덕,이종원,김정화 조선대학교 전자정보통신연구소 2002 電子情報通信硏究所論文誌 Vol.5 No.2
In this paper, we propose a watermarking algorithm of multiresolution watermarking based on wavelet transform for digital images. Watermark insertion is add to pseudo random sequences to the wavelet coefficients at the high and middle frequency band of the discrete wavelet transform. Instead of previous method, proposed multiresolution watermark decoder that allows efficient identification of the embedded a bank of watermarking key without prior notice of it. Proposed detection method aims at ensuring the maximum exactitude in the detection of the owner identification key and, minimizing the number of false positive detection.