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- 저자 : 이해원(HAIWON LEE) (검색결과 6 건)
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Langmuir-Blodgett분자막을 이용한 Poly-p(methyl)Phenylmethacrylate의 분자량 측정
김창남,김응렬,이해원 漢陽大學校 自然科學硏究所 1996 自然科學論文集 Vol.15 No.-
Langmuir-Blodgett 분자막을 이용하여 전자선 레지스트로써 가능성이 높은 (PMMA)의 유도체의 분자량을 측정하고자 하였다. polymethylmethacrylate (PMMA)에 phenyl기를 도입하여 그의 유도체 poly-p(methyl)phenylmethacrylate (PMMA)를 합성하여 그의 평균분자량 및 열안정성을 측정하였다. 합성한 고분자를 균일한 Langmuir분자막 상태로 만들어 측정한 표면압-면적 등온선 (Ⅱ-?? isotherm)에서 Ⅱ??값을 유도하여 고분자의 평균분자량을 구했으며, 이 값은 압축속도에 비례하며, 분자량이 작은 단분자막일수록 GPC로 측정한 분자량에 가까운 값을 보여주었다. We measured average molecular weight ?? of PMMA derivatives which can be used as electron beam resists for microlithography. Poly-p(methyl)phenylmethacrylate(PMPMA) was synthesized to increase thermal stability and physical property compared to polymethylmethacrylate and their weight average molecular weight ?? was determined by using both GPC and Langmuir film measurements. We calculate ?? of PMPMaA monolayer at air-water interface. On the basis of calculation, it is suggested that the ?? is proportional to the compression rate, and those values are very close to ?? values measured by GPC
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원자 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제작
이승현,이원배,이해원 한국공업화학회 2003 공업화학 Vol.14 No.7
분자 전자 분야에서 칩의 크기가 점점 고집적화, 초소형화 되는 흐름에 따라, 나노테크놀로지 분야에서 가장 큰 관심사 중의 하나는 혁신적인 리소그래피 방법의 개발이다. 그에 발맞춰, 나노 패턴과 나노 구조물을 만들기 위한 많은 연구들이 최근 10여년 동안 행해져 오고 있다. 광 리소그래피, 극자외선 리소그래피, 전자선 리소그래피, 각인 리소그래피 등 나노 크기의 패턴을 만들어 낼 수 있는 여러 가지 리소그래피 방법들이 있지만, 현재 원자힘 현미경은 다양한 표면의 미세 상태를 알아보기 위한 장비로써의 역할 뿐 아니라 나노 크기 수준의 분자 구조물을 만들거나 패턴을 형성하는 장비로써도 많은 관심을 끌고 있다. 여기서는 원자 힘 현미경을 이용한 다양한 나노 패턴 또는 나노 구조물을 만드는 여러 가지 기술에 대해서 언급하고자 한다. With the device downsizing dimensions to the nanometer range, current interest in nanotechnology is focused on the state-of-the-art lithographic development. And then, a great number of studies have been made on organized molecular thin films for nanopatterning and fabricating nanostructures using atomic force nicroscopy (AFM). In spite of the several nano-sized patterning techniques such as photolithography, extreme ultraviolet (EUV) lithography,e-beam lithography and imprint lithography, the nanolithography using AFM has drawn wide attractions in nanotechnology due to unique properties. AFM is used to fabricate patterns and structures in nano scale as well as to obtain topographic images of various surfaces. In this report, we overviewed the recent various nanolithographic techniques based on AFM such as AFM anodization lithography.
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Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy와 유기황화합물 단분자막을 이용한 광전자의 평균 자유 행로 측정
이해원,김응렬,박찬근 漢陽大學校 基礎科學硏究所 1995 基礎科學論文集 Vol.14 No.-
X - ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 유기 재료 표면의 정량분석이나 깊이 분포분석에 응용하기 위하여 유기 매질에서의 광전자의 평균 자유 행로를 구하고자 하였다. 이를 위하여 methylene(-CH₂-)기의 수가 각각 7, 11, 15개인 ??의 자기집합 단분자막(SA막)을 금표면에 형성하였다. 형성된 막은 reflection - absorption FTIR로 확인하였으며, angle - resolved XPS를 이용하여 평균 자유 행로를 구하고 alkanethiol SA막의 탄화수소계열에 대한 평균자 유행로의 표준으로서의 가능성을 살펴보았다. 또한, 이 과정에서 x - ray의 영향으로 SA막의 두께가 감소되는 것을 관찰 할 수 있었다. To apply x - ray photoelectron spectroscopy for surface analysis or depth profiling of organic material, there needs to know the attenuation length of photoelectron from organic matrix, For this purpose, ??(n=7, 11, and 15) monolayers by self - assembly(SA) were prepared on gold surface and identified by reflection - absorption(RA) FTIR. The attenuation length of photoelectrons from each SA monolayers has been estimated by angle resolved XPS and the possibility of using alkanethiol SA monolayers as standards for organic surface analysis has been studied. The decrease of the thickness of SA films by x - ray was observed.
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이시형,이해원,정상배,김응렬 漢陽大學校 自然科學硏究所 1996 自然科學論文集 Vol.15 No.-
노블락 레진은 반도체 미세 가공공정에 쓰이는 포토레지스트의 기본 물질로서 높은 열안정성과 에칭내성으로 인하여 상당한 산업적 중요성을 지니고 있다. 본 연구에서는 다양한 조건에서 m-cresol, p-cresol, formaldehyde로 노블락 레진을 합성하였으며, 노블락 레진을 광산발생제, 가교제와 배합하여 네가형 포토레지스트를 제조하고, i-line 노광장치를 이용하여 패턴형성실험을 수행하였다. 노광에 의한 가교반응은 FT-IR을 이용하여 측정하였다. Novolak resin is widely used in semiconductor microlithography and it has a considerably industrial importance due to its high thermal stability and etching resistance. In this experiment, we synthesized novolak resin with m-cresol, p-cresol and formaldehyde by condensation. Photoresist was formulated using novolak resin, photo acid generator(PAG), and crosslinker. Pattern formulation was carried out by using i-line exposing apparatus. Crosslinking reaction by exposure was measured by FT-IR.
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