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- 저자 : Kang Seung Oun (검색결과 33 건)
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鄭鴻倍,康勝彦,黃正男 光云大學校 1984 論文集 Vol.13 No.-
In this study,Li? ions are implanted into PET, using small low energy C-W type accelerator in order to investigate trap level, activation energy, escape frequency, and kinetic order for ionic trap in polymers. The TSC curve showed two peaks at about 345K and 375K. An ionic TSC peak occurs at about 375K, and the activation energy, escape frequency for this trap are 2.06 eV and 4.5×?? ??, respectively. Shallow surface traps are found to be created due to ionization during Li? implantation. And the value ΔT?/ΔT is 0.54, which means that the mechanism of ionic trap is 2 nd kinetic order process.
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갈륨액체금속 이온원과 인듐액체금속 이온원의 빔 특성에 대한 연구
현정우,임연찬,정강원,정원희,박철우,이종향,강승언 한국공작기계학회 2005 한국공작기계학회 춘계학술대회논문집 Vol.2005 No.-
본 연구에서는 인듐 액체금속이온원을 제작하여 빔 특성에 대해 연구를 하였으며, 기존에 연구를 하였던 갈륨 액체금속이온원의 빔특성과 비교 분석 하였다. 빔특성 분석을 위해 빔 안정도, 전류-전압특성곡선, 에너지 퍼짐을 측정하였다. 액체금속이온원에 사용되는 액체금속 저장소 및 바늘전극(tip)은 500μm의 직경을 갖는 텅스텐을 사용하였으며, 국내에서 제작된 제품을 사용하였다. 액체금속 저장소의 구조는 이전에 구상하여 연구가 이루어진 6개의 pre-etching된 텅스텐와이어(wire)가 묶여진 형태를 사용하였다.
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Application and Development of Focused Ion Beams
강승언(Seung Oun Kang) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.3
집속 이온빔 기술은 고해상도의 이온빔 리토그라피, 마스크가 필요없는 이온주입, 그리고 Ion beam induced deposition 등 반도체 소자의 미세가공에 널리 이용되어 왔다. 좋은 안정도와 높은 전류밀도, 적은 에너지 퍼점 그리고 낮은 에미턴스와 높은 선명도를 갖는 집속 이온빔 장비를 위한 액체 갈륨 이온원이 한국에서 개발 시험되었다. 이온빔의 전압이 15㎸, 렌즈전압이 7㎸ 그리고 렌즈상단에 위치한 aperture의 직경이 0.2㎜일 때, 0.1㎛의 빔 직경으로 접속되는 정전 einzel 렌즈가 설계 조립되었고, FIB 진공 chamber는 렌즈부와의 차 등 진공시스템으로 구성되어 설계 제작되었다. FIB 장비가 조만간 한국에서 이온빔 밀링, ion beam induced deposition 그리고 잘못된 부분의 수정 등 반도체 제작공정에서의 응용에 큰 기여를 할 것이라 기대된다. Focused ion beam (FIB) technologies have been widely used in microfabrication of semiconductor devices: high resolution ion beam lithography, maskless ion implantation, micro-machining, and ion beam induced deposition. A liquid gallium ion source for the use of in FIB has been developed and tested in Korea, showing good stability, high current density, small energy spread, and low emittance or high brightness. A electrostatic einzel lens is designed and constructed to have a beam diameter of 0.1 ㎛ after passing through the lens column under a beam voltage of 15 ㎸, lens voltage of 7 ㎸ and 0.2㎜ diameter of beam defining aperture placed in front of the lens. The FIB chamber has been also designed and constructed with a differential vacuum system from the lens column. It is expected that the FIB machine will have great contribution to the applications of ion beam milling, ion beam induced deposition, and failure analysis in semiconductor industry in Korea in the near future.
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康勝彦,黃正男 光云大學校 1982 論文集 Vol.11 No.-
In this study, the activation energy, escape frequency and kinetic order for traps in ?? ion implanted polyester are investigated from TSC curve. The activation energy of ?? ion implanted polyester obtained from the TSC curve is 3.35 eV, and the relations between the TSC intensity ?? and the ?? ion energy E, and the ?? ion flux Φ are determined to be ??=???? and ??=???, which means that the TSC is of the 2nd kinetic order.
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姜勝彦,姜泰遠 光云大學校 1978 論文集 Vol.7 No.-
The phase transition temperature T?? of Methoxybenzylidene butylaniline (MBBA), Ethoxybenztlidene butylaniline (EBBA), and their mixtures were investigated by its dielectric constant ε" and the lose ε" measurements have been done under the presence of external magnetic field of 1800 gauss. These results were fit by Shinichi Yano's experimental equation ε'=ε'??????????? cos?? (θ-90), where θ is the angle between the electric and magnetic fields, and they were consistent with the Van Vleck theory. Finally we compared these results with visual and D.S.C. method.
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강승언 光云大學校 1987 論文集 Vol.16 No.-
Li+ 이온을 주입시킨 철의 산화 특성에 관하여 연구하였다. Li+ 이온은 철의 산화를 막아주는 좋은 억제제로 알려져 있다. Li+ 이온을 주입한 철의 산화율은 Li+ 이온의 입사에너지가 감소함에 따라 감소하였다. Li+ 이온의 에너지가 7 KeV이고 조사량이 1×10?? 을 초과하였을 때 극적인 산화 억제 현상이 나타났다. 이러한 결과들로부터 철의 산화를 억제하는 것은 안정한 산화막의 형성이나 혹은 Li의 침전이 일어나기 때문으로 추정한다.
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강승언,조광섭 光云大學校 1989 論文集 Vol.18 No.-
直線形의 放出極과 平面形의 抽出極間의 전위분포 및 電場의 理論的인 解를 얻었다. 放出極의 끝을 極座標系의 原点으로 하여 影像電荷法에 의하여 얻어진 解로부터 軸方向의 電位가 1n(r)의 函數形態로 주어지며(電場의 세기는 1/r), 放出極 끝의 液體金屬膜表面에서의 電氣場의 세기와 角分布를 얻었다. 여기서 얻어진 理論式은 液體金屬이온원(LMIS : Liquid Metal Ion Source)의 特性을 規定하는데 使用될 수 있을 것이다. The analytic solution of field profile between two electrodes is obtained with the simple model of the emitter tip-rod and plane extractor electrodes. From the solution obtained with the method of image charge in the polar coordinate whose origin is the emitter tip, the axial electric potential is behaved as �1n(r), and the electric field strength and angular distribution at the liquid metal surface are also shown. Using this solution, the characteristics of LMIS will be well established.
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강승언 光云大學校 1986 論文集 Vol.15 No.-
Needle type LMIS is constructed and it's characteristics are investigated by field evaporation mechanism in this study. The shape of W ion tip is optimized with blunt at 2 VAC during 30(sec)after electrochemical etching in KOH(640g)+CuSO₄+H₂O(1 liter)solution. Pure Ga and In are loaded in ion tip of which cone half angle is 40。 and redius of 5㎛∼10㎛. Characteristics of Ga and In ions are very similar each other except the phenomena due to mass and melting point. Total ion current and angular intensity are increased with raising extraction voltage. The energy spread is followed by the relation ??(b is 0.64 or 0.40), that is, the △E is increased up to 5∼20 eV with increasing ion current.
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액체금속 이온원에서 추출극의 곡률에 따른 두 전극간 전기장의 이론해
강승언,조광섭 光云大學校 1989 論文集 Vol.18 No.-
액체금속 이온방출에 있어 방출극과 곡률을 갖는 추출극간의 전위 및 전기장의 해를 얻는다. 여기서 얻어진 이론식으로 부터 액체 금속면에서의 전기장의 세기와 각분포를 보여준다. 전기장의 액체표면에서의 각 분포는 추출극이 방출극에 대하여 볼록한 경우가 이온빔의 퍼짐성의 관점에서 유리함을 보여준다. 이때 방출극의 모양의 끝이 뾰족한 수 Å의 크기이며 추출극의 모양은 평면과 곡율이 양인 것과 곡율이 음인 곡면형태를 취하였다. 방출극의 끝을 극좌표계의 원점으로하여 영상전하법에 의하여 얻은 해로부터 1n[r]의 함수형태로 주어지며 따라서 전기장의 세기는 1/r로 주어졌다. 또한 방출극끝의 액체금속막면에서의 전기장의 세기와 각분포를 얻었다. 여기서 얻어진 이론식은 추출극의 모양에 따른 LMIS의 특성을 측정하는데 유용할 것이다. The solution of Laplacian potential between the rod emitter and the plane extractor having a curvature is obtained with the method of image charge. From the solution obtained in the polar coordinate whose origin is the emitter apex, the electric field strength and the angular distribution at the liquid metal surface are shown, on the point of the angular distribution of the electric field strength, we find that the positive curvature�the convecx form of the extractor�is a favorable distribution.
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