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- 저자 : 김종걸(Chong Geol Kim) (검색결과 2 건)
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절연체(CeO₂ / Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구
양지훈(Ji Hoon Yang),문병식(Byung-Sik Moon),김관표(Kwan Pyo Kim),김종걸(Chong Geol Kim),정동근(Donggeun Jung),노용한(Yonghan Roh),박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
CeO₂/Si 표면에 실리콘의 성장 과정을 연구했다. 실리콘 박막은 전자빔 증착 방법을 사용해 증착되었다. CeO₂ (111) 박막은 700℃의 증착 온도, 5×10^(-5) Torr의 산소 부분압에서 (111)방향의 실리콘웨이퍼 위에 적층 성장하였다. CeO₂/Si위의 실리콘 박막의 적층 성장 조건을 조사하기 위해 여러 온도에서 실리콘을 증착했다. 상부 실리콘은 x-ray diffraction(XRD), double crystal x-ray diffraction(DCXRD), 그리고 transmission electron microscopy(TEM)으로 분석하였다. 690℃보다 높은 증착 온도에서는 CeO₂에서 해리된 산소와 실리콘이 화학적 반응을 일으켜 Si/CeO₂의 계면에서 SiO₂층이 성장하는 것을 관찰했다. 620℃에서 CeO₂/Si 표면에 실리콘을 증착 했을 때 실리콘 박막이 (111)방향을 따라 적층 성장하였다. We have investigated the growing process of a silicon film on the CeO₂/Si surface. The silicon was deposited by using electron beam deposition method. The CeO₂ (111) film was grown on a (111)-oriented silicon substrate at 700℃ at oxygen partial pressure of 5×10^(-5) Torr. To investigate the condition of epitaxial growth of Si films on the CeO₂/Si substrate, we deposited Si at various temperatures. The overlayer silicon was characterized by using x-ray diffraction (XRD), double crystal x-ray diffraction (DCXRD), and transmission electron microscopy (TEM). At temperature higher than 690℃, SiO₂ layer was observed at the Si/CeO₂ interface, which was formed by chemical reaction with silicon and oxygen dissociated from CeO₂. When silicon was deposited on the CeO₂/Si at 620℃, silicon grew epitaxially along the (111)-direction.
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Indium이 도핑된 Si/CeO_2/Si 박막의 발광 현상
문병식,김종걸,양지훈,박종윤 성균관대학교 기초과학연구소 1998 論文集 Vol.49 No.-
Visible light with about 500 nm was observed from the indium doped Si/CeO_2/Si thin films at room temperature. CeO₂, indium, and silicon were in sequence deposited on the Si(111) substrate using electron beam evaporation. As the indium was increased the peak intensity of 500 nm was increased. After furnace annealing in nitrogen at 1100℃ the peak was observed at 400 nm. Secondary ion mass spectrometry(SIMS) showed the mixed layer of CeO₂, indium, and silicon. It seems that the peak around 500 nm would come from the mixed layer.
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