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- 저자 : 허재헌(Jae-Hun Hur) (검색결과 13 건)
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비정질 CoZrNb 박막의 불균일 구조와 고주파 자기특성에 관한 연구
정인섭(In-Seop Jeong),허재헌(Jae-Hun Hur) 한국자기학회 1991 韓國磁氣學會誌 Vol.1 No.2
Structural and compositional heterogeneities of sputter deposited, amorphous Co_(87)Zr₄Nb_9 thin films were investigated using TEM and EDS with windowless detector. The films deposited with substrate bias and annealed in rotating magnetc field showed two amorphous phases of Co-rich region and (ZrNb)oxide-rich region, and revealed ‘ultra-soft’ magnetic properties. Revesible bias-responses and overdamped frequency responses, along with small Hc, Hk and Mr/Ms ratio, give the possibility of ultra-soft magnetic behavior fo CoZrNb thin films.<br/> We proposed the vortex type magnetization distribution in remanent state which was correlated with the thin film heterogeneity. Then, the ultra-soft characteristics of the compositionally heterogeneous films were explained by the spin vortices that minimized the total magnetostatic and exchange coupling energies.
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허재헌 안양대학교 자연과학연구소 1998 自然科學硏究 Vol.5 No.1
다층 박막구조의 응용에 대하여는 많은 연구가 진행되어 왔다. 특히 Permalloy(NiFe)와 같은 두 개의 자성박막 사이에 비자성 박막을 끼워 넣은 sandwich 구조에 대한 자성 특서에 대한 연구가 활발히 진행되어, 자기저항 효과 (magnetoresistive effect)를 이용한 여러 device에 응용되고 있다. 이러한 다층구조에서 예상할 수 있듯이 강한 magnetostatic coupling에 의한 demagnetizing 자계의 감소는 자기특성의 향상 및 switching 속도의 증가를 얻을 수 있다. 본 논문에서는 이러한 다층 박막 구조를 가진memory cell의 동작원리에 대하여 알아보고 향후 transducer에의 응용에 관하여 알아보았다. Many studies and attempts have been done to fabricate memory cells and transducers using magnetoresistance effect. Current advanced fabrication technology enables magnetis thin film memories to be compatible with modern semiconductor processing. Moreover these thin film momories havesome special features such ad nonvolatility, radiation hardness, high density(comparable to CMOS static RAMs), high speed (1000 times faster than bubbles), and unlimites Read/Write. For submicron dimension of these memory cells and sensor elements, the demagnetizing fields play a major role in determining the performance of magnetoresistive elements. On simple answer for this demagnetizing field problem is a double layer configuartion composed of thwo ferromagnetis layers with a nonferromagnetic layer between the two magnetic layers. This structure results in a decrease of the demagnetizing fields from what they would be for a single layer element. The decrease is due to the magnetic flux colsure of the sandwich configuraion. In this paper, the operation principles of the multilayer magnetic thin film memory cells was studied and future application of this memory structure was discussed.
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허재헌 안양대학교 산업기술연구소 2000 自然科學硏究 Vol.7 No.-
본 논문은 개인 휴대용 단말기용 부품 설계에 관하여 논하였다. f_T가 7GHz인 표면실장형 Sillcon Bipolar Transistor와 Varator-Tuned 발진기 회로를 이용하여 VCO(전압제어 발진기)를 설계하였다. 사용된 PCB는 4층 구조를 가졌다. Layer에 공진용 Stripline resonator를 제 3층에 설계하였고, 주파수 Trimming을 위하여 Layer에 Spiral Inductor를 첫째 층에 삽입하였다. 설계한 전압제어 발진기는 7 x 9 x 2mm의 크기를 가지며, 중심주파수 137 ~ 157 MHz와 동작점은 2.7 V, 6mA이다. In this paper, the design of VCO for Personal Communication System is studied. The varacter tuned oscillator is designed using surface mounted silicon bipolar transistor with 7 GHz fT, and varactor diode. Four layered PCB was used. In the layer of the PCB, stripline resonator is fabricated and a spiral inductor was used for frequency trimming in the first layer of the PCB. The dimension of the designed VCO is 7 x 9 x 2mm^3 and frequency range is 137 ~ 157 MHz, and Q-point is 2.7 V and 6mA.
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SOI-MOSFET 시뮬레이터 및 소자제작에 관한 연구
허재헌 대신대학교 자연과학연구소 1994 自然科學硏究 Vol.1 No.-
본 연구는 SOI MOSFET 소자 개발 및 제조에 선행되어야 할 소자의 시뮬레이션을 위한 프로그램 개발에 관한 연구로서, Drift-Diffusion Model을 기본식으로 하여 FDM(Finite Difference Method)과 SOR(Successive Over Relaxtion)의 수치해석법을 사용하여 SOI 소자의 전위분포, 전계분포, 전자 및 정공농도 분포을 구한 후, 위의 결과를 이용하여 소자내의 각 Mesh point에서의 전류밀도를 바탕으로 최종적으로 소자의 전류 전압 특성을 구하였다. 또한 SIMOX wafer를 사용하여 실제 n-MOSFET을 제조하여 그 특성을 측정하여 개발된 시뮬레이션의 결과와 비교하였다. In this paper a SOI-MOSFET simulation program using C-language was developed. In the program, F. D. M.(Finite Difference Method) and S. O. R. (Succesive Over Relaxation) numerical methods were used with Drift Diffusion Model. Also SOI-MOSFET devices using SIMOX wafer were fabricated and I-V characteristic of the devices were measured and compared with that of the simulator. Simulation results and device results were in agreement with that of actual devices.
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Magneto-resistive(MR) 효과를 이용한 고밀도 자기헤드에 관한 연구
허재헌 안양대학교 자연과학연구소 1997 自然科學硏究 Vol.4 No.-
본 논문에서는 최근의 고밀도 Hard Disk Drive의 자기헤드로 최근 널리 사용되고 있는 자기저항효과(Magnetoresistive Effect)를 이용한 GMR(Giant MR) 자기 헤드의 동작원리, 구조 및 재료의 특성을 살펴보, 향후 면기록밀도 10 GBits/inch^2를 실현할 수 있기 위한 설계상의 문제점과 그 해결방안을 살펴보고 또한 GMR 보다 높은 MR Ratio를 갖는 새로운 재료를 사용한 헤드의 발전 방향에 대하여 알아보았다. In this paper, magnetic heads for high density hard disk drives using Mgneto-Resistive(MR) effect are studied. The Giant MR(GMR) heads are widely used having 5 GBits/inch^2 capability. The manetic material characteristics, operation principles, and layouts of GMR heads are reviewed. And future design considerations, new materials with higher MR ratio than GMR heads to accomplish 10 GBits/inch^2 for high density HDD are also discussed.
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허재헌 안양대학교 자연과학연구소 1995 自然科學硏究 Vol.2 No.-
컴퓨터, 통신, 가전기기, 게임 오락 등을 통합시킨 multimedia의 실현에 필수적인 기술은 대량의 영상 및 음성정보의 실시간 저장, 처리 및 재생기술이다. 기존의 analog 기록 재생방식은 이미 그 한계에 도달하였으며, 대량 정보의 고밀도 기록을 실현하기 위해서는 digital 기록, 재생기술이 필요하다. 이러한 digital recording 기술을 사용한 digital VTR, DVD 등은 이미 상품화되어 사용되고 있다. 특히 MPEG 1,2 등의 영상압축기술은 대량 data의 실시간 처리를 가능하게 하였다. 향후 다가올 영상서비스 분야의 시장개방에 대비하여 digital 기록기술 관련 신호처리용 소자설계 및 제조기술, MPEG 4와 같은 최신 영상data 압축기술등에 대한 지속적인 연구개발이 필수적이다. Multimedia, a combinig technology of computer, communication, game, and entertainment, must efficiently store, manipulate, and retrieve data in large quantites at high speed in real time basis. Conventional analog recording technologies no longer can meet these requirements. Digital VTR and DVD (digital video disk) using digital recording technologies are now in the market for storing a large amount of data. And data compression technologies such as JPEG, MPEG 1,2, play a key reole to make the digital video devices possible. In order to meet the challenge from foreign countries, a continuous efforts are needed in the area of video compression, design and fabrication of DSP chips, and digital recording technologies.
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