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하향링크 다중사용자 다중안테나 시스템을 지원하는 반복 가중치 최소평균자승오류 빔형성 기법
최일규,황영수,이충용,Choi, Ilgyu,Hwang, Youngsoo,Lee, Chungyong 대한전자공학회 2013 전자공학회논문지 Vol.49 No.11
기존의 최소평균자승오류 빔형성 기법은 간섭제거나 정합필터 빔형성 기법보다 우수한 성능을 보여주지만, 전체 전송률의 증가를 목적으로 하지는 않는다. 본 논문은 전체 전송률을 가중된 평균자승오류로 표현하여 증가시키는 기법을 제안하였다. 제안 기법은 기존의 최소평균자승오류 기법에서 출발하여 반복적으로 가중치와 빔을 갱신함으로써 전체 전송률을 증가시킨다. 모의실험 결과를 통해 제안 기법이 기존 기법보다 전체 전송률 측면에서 뛰어나며, 기존 기법과 달리 사용자의 수가 높아질수록 전체 전송률이 증가하는 것을 확인하였다. Conventional MMSE beamforming scheme shows better performance than ZF or MF beamforming, but it does not aim increase of sum rate. This paper proposes sum rate maximizing scheme by representing sum rate as a function of weighted MSE. Proposed scheme increases sum rate iteratively by updating weights and beam whose initial form is conventional MMSE beam. Simulation result shows sum rate of proposed scheme is higher than those of conventional schemes and increases as the number of users increases.
하향링크 다중사용자 다중안테나 시스템을 지원하는 반복 가중치 최소평균자승오류 빔형성 기법
최일규(Ilgyu Choi),황영수(Youngsoo Hwang),이충용(Chungyong Lee) 대한전자공학회 2013 전자공학회논문지 Vol.50 No.3
기존의 최소평균자승오류 빔형성 기법은 간섭제거나 정합필터 빔형성 기법보다 우수한 성능을 보여주지만, 전체 전송률의 증가를 목적으로 하지는 않는다. 본 논문은 전체 전송률을 가중된 평균자승오류로 표현하여 증가시키는 기법을 제안하였다. 제안 기법은 기존의 최소평균자승오류 기법에서 출발하여 반복적으로 가중치와 빔을 갱신함으로써 전체 전송률을 증가시킨다. 모의실험 결과를 통해 제안 기법이 기존 기법보다 전체 전송률 측면에서 뛰어나며, 기존 기법과 달리 사용자의 수가 높아질수록 전체 전송률이 증가하는 것을 확인하였다. Conventional MMSE beamforming scheme shows better performance than ZF or MF beamforming, but it does not aim increase of sum rate. This paper proposes sum rate maximizing scheme by representing sum rate as a function of weighted MSE. Proposed scheme increases sum rate iteratively by updating weights and beam whose initial form is conventional MMSE beam. Simulation result shows sum rate of proposed scheme is higher than those of conventional schemes and increases as the number of users increases.
질화갈륨 기반 고 전자이동도 트렌지스터에서 조사된 양성자의 세기에 따른 문턱전압 변화 메커니즘 연구
장성재(Sung-Jae Chang),정현욱(Hyun-Wook Jung),김동석(Dong-Seok Kim),김태우(Tae-Woo Kim),최일규(Ilgyu Choi),김해천(Haecheon Kim),안호균(Ho-Kyun Ahn),임종원(Jong-Won Lim) 대한전자공학회 2021 대한전자공학회 학술대회 Vol.2021 No.6
In this study, we have revealed the threshold voltage shift mechanism corresponding to the proton radiation energy in GaN-based metal-insulator-semiconductor(MIS) high-electron mobility transistors(HEMTs). The MIS-HEMTs for 5 nm-thick SiN and HfO₂ gate insulator were fabricated. After the device processing, the γ-ray and proton were radiated for various irradiation conditions. Through the detailed electrical device characterization before and after the radiation, we figured out that the threshold voltage shift was determined by the competition between the total ionizing does effects and displacement damages, mainly generated inside of the gate insulator and semiconductor, respectively, in GaN-based MIS-HEMTs.