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Hasegawa, K.,Yoshikawa, A.,Durbin, S.D.,Epellbaum, B.M.,Fukuda, T.,Waku, Y. The Korea Association of Crystal Growth 1999 韓國結晶成長學會誌 Vol.9 No.4
Fiber growth of $Al_{2}O_{3}/R-Al-O$ (R = Y, Gd, Dy, Ho, Er) eutectic by the micro-pulling down method is described. The thermal stability and strength at elevated temperature of each materials is evaluated in relation to the microstructure.
Lightcurve survey of V-type asteroids in the inner asteroid belt
Hasegawa, S.,Miyasaka, S.,Mito, H.,Sarugaku, Y.,Ozawa, T.,Kuroda, D.,Nishihara, S.,Harada, A.,Yoshida, M.,Yanagisawa, K.,Shimizu, Y.,Nagayama, S.,Toda, H.,Okita, K.,Kawai, N.,Mori, M.,Sekiguchi, T.,Is Astronomical Society of Japan 2014 Publications of the Astronomical Society of Japan Vol.66 No.3
Mesonic and nonmesonic weak decay widths of medium-heavy <tex> $ \Lambda $</tex> hypernuclei
Sato, Y.,Ajimura, S.,Aoki, K.,Bhang, H.,Hasegawa, T.,Hashimoto, O.,Hotchi, H.,Kim, Y. D.,Kishimoto, T.,Maeda, K.,Noumi, H.,Ohta, Y.,Omata, K.,Outa, H.,Park, H.,Sekimoto, M.,Shibata, T.,Takahashi, T.,Y American Physical Society 2005 PHYSICAL REVIEW C - Vol.71 No.2
국양(Y. Kuk),Y. Hasegawa,H. Tokumoto 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.1
NiSi₂(111)을 Si(111) 표면 위에 증착하여 그 구조를 STM으로 연구하였다. 실리사이드는 그 표면이 (1×1)의 구조를 띠고 여분의 trimer를 흡착 분자 구조로 가짐을 관찰하였다. 이 trimer로부터 실리사이드의 두 가지 구조 A, B를 구별할 수 있었다. 표면에 관착된 결함으로부터 표면구조는 내부와 같음을 보았다. The structure of NiSi₂/Si(111) has been studied by scanning tunneling microscopy. Atomically resolved STM images of this surface show an unreconstructed (1×1) structure with Si adatoms that tend to form trimers. The trimer can be used as a marker to differentiate type A and B interfaces. From the observed various defects, the surface is proven to be a simple bulk terminated layer.
Structure of $NiSi_2$(111) Surface : An Atomic View
Kuk, Y.,Hasegawa, Y.,Tokumoto, H. 한국진공학회 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.1
NiSi2(111)을 Si(111) 표면 위에 증착하여 그 구조를 STM으로 연구하였다. 실리사이드는 그 표면이 (1$\times$1)의 구조를 띠고 여분의 trimer를 흡착 분자 구조로 가짐을 관찰하였다. 이 trimer로부터 실리사이드의 두 가지 구조 A, B를 구별할 수 있었다. 표면에 관착된 결함으로부터 표면구조는 내부와 같음을 보였다.
저에너지 양전자 소멸 분광법을 이용한 MgB₂ 박막 구조 특성
이종용(C. Y. Lee),강원남(W. N. Kang),M. Hasegawa,Y. Nagai,K. Inoue 한국진공학회(ASCT) 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.2
저속 에너지 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 MgB₂ 박막내의 원자 크기 정도 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 상전이 근처 온도에서 박막의 구조 변화를 측정하였다. 비등방성 구조로 된 MgB₂ 박막에서 초전도 특성을 갖는 상전이 온도 근처에서 S-변수를 측정하였다. 양전자의 입사 에너지 10keV에서 측정된 S-변수의 최고치는 박막의 온도가 30K에서 0.567이고, 50 K에서는 0.570로 큰 변화는 없었다. 이 결과로부터 양전자가 Boron 층의 초 전자와 소멸하기 보다는 Mg층 근처의 상 전자와 소멸하는 것으로 판단된다. MgB₂의 박막의 외층은 Mg층으로 이루어졌다고 할 수 있다. Enhance signal-to-noise ratio, slow positron coincidence Doppler Broadening method has been applied to study of characteristics of MgB₂ superconductor film, which were performed at 30 K and 50 K sample temperature near Tc of it. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The S-parameter values were increased then decreased while the positron implantation energies were increasing, that indicated the diffusion into the samples. The S-parameters of the anisotropic 1 ㎛ MgB₂ thin film which were implanted by positrons at 10 keV are 0.567 at 30 K and 0.570 at 50 K. It is believed that the positrons annihilate with normal-electrons instead of super-electrons in the MgB₂ superconductor.
Interference Effect betweenϕandΛ(1520)Production Channels in theγp→K+K−pReaction near Threshold
Ryu, S. Y.,Ahn, J. K.,Nakano, T.,Ahn, D. S.,Ajimura, S.,Akimune, H.,Asano, Y.,Chang, W. C.,Chen, J. Y.,Daté,, S.,Ejiri, H.,Fujimura, H.,Fujiwara, M.,Fukui, S.,Hasegawa, S.,Hicks, K.,Horie, K.,Ho American Physical Society 2016 Physical Review Letters Vol.116 No.23
<P>The phi-Lambda(1520) interference effect in the gamma p -> K(+)K(-)p reaction has been measured for the first time in the energy range from 1.673 to 2.173 GeV. The relative phases between phi and Lambda(1520) production amplitudes were obtained in the kinematic region where the two resonances overlap. The measurement results support strong constructive interference when K+K- pairs are observed at forward angles but destructive interference for proton emission at forward angles. Furthermore, the observed interference effect does not account for the root s = 2.1 GeV bump structure in forward differential cross sections for phi photoproduction. This fact suggests possible exotic structures such as a hidden-strangeness pentaquark state, a new Pomeron exchange, or rescattering processes via other hyperon states.</P>
저에너지 양전자 소멸 분광법을 이용한 MgB<sub>2</sub> 박막 구조 특성
Lee, C.Y.,Kang, W.N.,Nagai, Y.,Inoue, K.,Hasegawa, M. 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.2
저속 에너지 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 $MgB_2$ 박막내의 원자 크기 정도 고체 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 511keV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하여, 상전이 근처 온도에서 박막의 구조 변화를 측정하였다. 비등방성 구조로 된 $MgB_2$ 박막에서 초전도 특성을 갖는 상전이 온도 근처에서 S-변수를 측정하였다. 양전자의 입사 에너지 10keV에서 측정된 S-변수의 최고치는 박막의 온도가 30K에서 0.567이고, 50 K에서는 0.570로 큰 변화는 없었다. 이 결과로부터 양전자가 Boron 층의 초 전자와 소멸하기 보다는 Mg층 근처의 상 전자와 소멸하는 것으로 판단된다. $MgB_2$의 박막의 외층은 Mg층으로 이루어졌다고 할 수 있다. The Characterization of $MgB_2$ Thin Film by Slow Positron Annihilation Spectroscopy Enhance signal-to-noise ratio, slow positron coincidence Doppler Broadening method has been applied to study of characteristics of $MgB_2$ superconductor film, which were performed at 30 K and 50 K sample temperature near Tc of it. In this investigation the numerical analysis of the Doppler spectra was employed to the determination of the shape parameter, S, defined as the ratio between the amount of counts in a central portion of the spectrum and the total counts of whole spectrum. The S-parameter values were increased then decreased while the positron implantation energies were increasing, that indicated the diffusion into the samples. The S-parameters of the anisotropic 1 ${\mu}m$ $MgB_2$ thin film which were implanted by positrons at 10 keV are 0.567 at 30 K and 0.570 at 50 K. It is believed that the positrons annihilate with normal-electrons instead of super-electrons in the $MgB_2$ superconductor.