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Electrodeposition 변수에 따른 Trench Via의 Cu Filling 특성
이광용,오택수,오태성,Lee, Kwang-Yong,Oh, Teck-Su,Oh, Tae-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2006 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.13 No.4
칩 스택 패키지의 삼차원 interconnection에 적용을 위해 폭 $75{\sim}10\;{\mu}m$, 길이 3mm의 트랜치 비아에 대해 전기도금전류밀도 및 전류모드에 따른 Cu filling 특성을 분석하였다. 직류모드로 $1.25mA/cm^{2}$에서 Cu filling한 경우, 트랜치 비아의 폭이 $75{\sim}35{\mu}m$ 범위에서는 95% 이상의 높은 Cu filling ratio를 나타내었다. 직류 전류밀도 $2.5mA/cm^{2}$에서 Cu filling한 경우에는 $1.25mA/cm^{2}$ 조건에 비해 열등한 Cu filling ratio를 나타내었으며, 직류모드에 비해 펄스모드가 우수한 Cu filling 특성을 나타내었다. For chip-stack package applications, Cu filling characteristics into trench vias of $75{\sim}10\;{\mu}m$ width and 3 mm length were investigated with variations of electroplating current density and current mode. At $1.25mA/cm^{2}$ of DC mode, Cu filling ratio higher than 95% was obtained for trench vias of $75{\sim}35{\mu}m$ width. When electroplated at DC $2.5mA/cm^{2}$, Cu filling ratios became inferior to those processed at DC $1.25mA/cm^{2}$. Pulse current mode exhibited Cu filling characteristics superior to DC current mode.
$75{\mu}m$ Cu via가 형성된 3D 스택 패키지용 interconnection 공정 및 접합부의 전기적 특성
이광용,오택수,원혜진,이재호,오태성,Lee Kwang-Yong,Oh Teck-Su,Won Hye-Jin,Lee Jae-Ho,Oh Tae-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2005 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.12 No.2
직경 $75{\mu}m$ 높이 $90{\mu}m$및 $150{\mu}m$ 피치의 Cu via를 통한 삼차원 배선구조를 갖는 스택 시편을 deep RIE를 이용한 via hole 형성공정 , 펄스-역펄스 전기도금법에 의한 Cu via filling 공정, CMP를 이용한 Si thinning 공정, photholithography, 금속박막 스퍼터링, 전기도금법에 의한 Cu/Sn 범프 형성공정 및 플립칩 공정을 이용하여 제작하였다. Cu via를 갖는 daisy chain 시편에서 측정한 접속범프 개수에 따른 daisy chain의 저항 그래프의 기울기로부터 Cu/Sn 범프 접속저항과 Cu via 저항을 구하는 것이 가능하였다. $270^{\circ}C$에서 2분간 유지하여 플립칩 본딩시 $100{\times}100{\mu}m$크기의 Cu/Sn 범프 접속저항은 6.7 m$\Omega$이었으며, 직경 $75 {\mu}m$, 높이 $90{\mu}m$인 Cu via의 저항은 2.3m$\Omega$이었다. Stack specimen with three dimensional interconnection structure through Cu via of $75{\mu}m$ diameter, $90{\mu}m$ height and $150{\mu}m$ pitch was successfully fabricated using subsequent processes of via hole formation with Deep RIE (reactive ion etching), Cu via filling with pulse-reverse electroplating, Si thinning with CMP, photolithography, metal film sputtering, Cu/Sn bump formation, and flip chip bonding. Contact resistance of Cu/Sn bump and Cu via resistance could be determined ken the slope of the daisy chain resistance vs the number of bump joints of the flip chip specimen containing Cu via. When flip- chip bonded at $270^{\circ}C$ for 2 minutes, the contact resistance of the Cu/Sn bump joints of $100{\times}100{\mu}m$ size was 6.7m$\Omega$ and the Cu via resistance of $75{\mu}m$ diameter, $90{\mu}m$ height was 2.3m$\Omega$.
배영덕 ( Young Deok Bae ),김수진 ( Soo Jin Kim ),남택만 ( Teck Man Nam ),조한수 ( Han Su Cho ),노승혁 ( Seung Hyuk Rho ),윤덕형 ( Duck Hyoung Yoon ),윤종우 ( Jong Woo Yoon ),이삼열,남은숙,오국환 ( Kook Hwan Oh ),채동완 ( Dong Wan Cha 대한신장학회 2002 Kidney Research and Clinical Practice Vol.21 No.6
Immunosuppressive medications after renal allograft transplantation have impacted the course of acute and chronic rejection; however, they have no defined effects on the prevention of recurrent and Glomerulonephritis (GN) in an allograft kidney. Authors experienced a case of rapidly progressive glomerulonephritis (RPGN). The 35-year-old female patient developed a rapid deterioration of renal function 4 years after renal transplantation. The allograft biopsy showed crescentic glomerulonephritis evolving from membranoproliferative glomerulonephritis (MPGN) type Ⅰ. She was given pulse steroid and oral cyclophosphamide therapy immediately after the renal biopsy. Graft function stabilized and proteinuria decreased even though graft function did not recover to pre-treatment level and low grade proteinuria persisted.
전기도금법으로 제조한 Ni 박막의 전기비저항 및 솔더 반응성
이광용,원혜진,전성우,오택수,변지영,오태성,Lee Kwang-Yong,Won Hye-Jin,Jun Sung-Woo,Oh Teck-Su,Byun Ji-Young,Oh Tae-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2005 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.12 No.3
도금전류밀도에 따른 Ni박막의 결정립 크기, 전기비저항, 솔더 wetting angle 및 금속간화합물의 성장속도를 분석하였다. 도금전류밀도를 $5\;mA/cm^2$에서 $40\;mA/cm^2$로 증가시킴에 따라 Ni 박막의 표면 nodule의 크기가 감소하고 결정립이 미세화 되었으며, 전기비저항이 $7.37\mu\Omega-cm$에서 $9.13\mu\Omega-cm$로 증가하였다. $5\;mA/cm^2$ 및 $10\;mA/cm^2$에서 도금한 Ni 박막이 $40\;mA/cm^2$에서 형성한 Ni 박막에 비해 전기비저항이 낮고 dense하며 계면 금속간화합물의 성장속도가 느리기 때문에 무연솔더의 UBM 용도로 더 적합할 것이다. Characteristics of electroplated Ni films such as grain size, resistivity, solder wetting angle, and growth rate of intermetallic compound were evaluated as a function of electroplating current density. With increasing the electroplating current density from $5\;mA/cm^2 $ to $40\;mA/cm^2 $, the nodule size on the Ni film surface decreased, grain refinement occurred, and resistivity increased from $7.37\mu\Omega-cm$ to $9.13\mu\Omega-cm$. Compared with Ni film processed at $40\;mA/cm^2 $, Ni films electroplated at $5\;mA/cm^2 $ and $10\;mA/cm^2 $ exhibited low resistivity, dense microstructure, and slow growth rate of intermetallic compound. Ni films electroplated at $5\;mA/cm^2 $ and $10\;mA/cm^2 $ are more suitable for Ni UBM application than that fabricated at $40\;mA/cm^2 $.