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Zigbee네트웍을 적용한 손목착용형 생체신호 감시장치
황대석(Daeseok Hwang),전상영(Sang Young Jun),이영우(Young-Woo Lee) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.7
We developed the wrist wearable biomedical signal monitoring device and implemented to ZigBee wireless networks. The device constructed the 660㎚ LD, Si Photodiode and ZigBee Module. We can monitoring the cardiac pulse and respiratory signal using ZigBee wireless sensor network.
A study on the optical measurement using rapid delay line
황대석(Daeseok Hwang),이영우(Young-Woo Lee) 한국정보기술학회 2006 Proceedings of KIIT Conference Vol.2006 No.-
기계적 광지연단은 마이켈슨 간섭계에서 물제의 구조나 외형을 보기 위해 주로 사용된다. 마이켈슨 간섭계를 이용한 방법은 기준단의 검출 경로를 변화시켜 검출단과 일치하는 방법으로 기준단의 거울을 꾸준히 이동하여 깊이방향 검출을 한다. 이러한 방법은 기계적 이동속도에 의해 검출 시간이 느린 단점이 있다. 본 논문에서는 이러한 단점의 개선을 위해 두 개의 광위상변조기를 사용한 고속의 광지연단을 이용한 간섭계를 이용한 고속 광계측을 제안한다. 실험 장치는 광원으로 펄스 레이저(중심파장 1304㎚, 펄스폭 30ps, 반복율 10㎓), 두 개의 광위상변조기, 분산천이광섬유로 구성하였다. 실험결과 검출 속도는 120㎞/s에 10㎒의 고속 반복율로 광계측이 가능하였다. Mechanical delay line has been used in the Michelson interferometer to see the geometry and internal structure of objects. This method has to change the optical path length of a reference arm to match with that of a sample arm. However, its reference mirror must be continuously moved for depth scans, it requires a long time because it is limited by mechanical movement speed. We proposed and demonstrated an high speed optical delay line using two optical phase modulators for axial scanning. Experimental setup is consist of pulse laser source (center wavelength 1304㎚, pulse width 30ps, repetition rate 10㎓), two optical phase modulators and dispersive shifted fiber. As experimental results, the system has high scanning speed of 120㎞/s and a high repetition rate of 10㎒ were achieved.
황대석(Daeseok Hwang),이호근(Ho-Guen Lee),이영우(Young-Woo Lee) 한국정보기술학회 2005 Proceedings of KIIT Conference Vol.2005 No.-
광위상변조기를 이용하여 OCT용 초고속 광지연단을 설계하고 수치해석을 수행하였다. 수치해석은 electro-optic 위상 변조기에 1310㎚, 10㎰의 펄스폭을 갖는 레이저 광원을 적용하여 수행하였다. 수치해석결과로 500㎒의 변조 주파수일때 19㎰의 시간 지연을 얻었으며, 이는 기존의 기계적 검출 방식(수십㎑)의 OCT장치에 비해 1000배이상 빠른 검출이 가능할 것으로 예상된다. In this paper, We present the system design and numerical analysis of the ultrafast optical delay line using by optical phase modulator. The numerical analysis carried out with 1310㎚, 10㎰ laser and electro-optic phase modulator. The result of simulation we show an optical delay line we show a record scanning rate of 0.5 ㎓ and a delay range of 19.0㎰. Compare with mechanical delay line, the optical delay line has a high scanning speed and a high repetition rate.
황대석(Daeseok Hwang),이영우(Young-Woo Lee) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.7
광간섭계는 물체의 기하학적 구조 및 의료영상계측등 다양한 분야의 광계측에서 매우 일반적으로 사용된다. 이러한 광간섭계에서 광지연단은 욕정대상의 기준을 위해 사용되고. 광간섭계의 계측속도는 광지연단에 의해 제한된다. 본 논문에서는 고속 광 지연단을 위해 기존의 기계적 방식을 배제하고, 광학적 방식의 광 간섭계를 구성하였다. 고속 광간섭계의 구성은 1304㎚의 l0㎓광원을 이용하였으며, 광지연단으로 광위상변조기와 광섬유를 이용하여 안정적이고 고속의 광 간섭계를 구성하였다. 구성된 광간섭계는 광위상변조기의 변조전압, 변조주파수에 의해 광지연시간을 가변할 수 있으며, l0㎒ 반복율에 대해 11㎰의 광지연시간을 얻을 수 있었다.
Operation Voltage Control in Complementary Resistive Switches Using Heterodevice
Daeseok Lee,Jubong Park,Seungjae Jung,Godeuni Choi,Joonmyoung Lee,Seonghyun Kim,Jiyong Woo,Siddik, M.,Eujun Cha,Hyunsang Hwang IEEE 2012 IEEE electron device letters Vol.33 No.4
<P>For the high-density memory application of resistive random access memory (ReRAM), we study the complementary resistive switch (CRS) behavior of a HfO<I>x</I>-based ReRAM with a TiO<I>x</I>-based ReRAM. To control the operation voltages of the CRS device, we used ReRAMs having asymmetric set and reset voltages. Consequently, we achieved a wider voltage window for the read process, high switch speed, high reliability, and more than ten times readout margin from the heterodevice CRS.</P>
Daeseok Lee,Jeonghwan Song,Jiyong Woo,Jaesung Park,Sangsu Park,Euijun Cha,Sangheon Lee,Yunmo Koo,Kibong Moon,Hyunsang Hwang IEEE 2014 IEEE electron device letters Vol.35 No.2
<P>For uniform switching of resistive random access memory, narrower physical switching gap between an electrode and remained conducting filament can be an effective method, which also leads to degradation of ON/OFF ratio. To overcome a trade-off between the switching uniformity and the ON/OFF ratio, an additional layer was intentionally inserted. Consequently, improved uniformity of switching parameters was achieved without degradation of the ON/OFF ratio.</P>
Daeseok Lee,Joonmyoung Lee,Minseok Jo,Jubong Park,Siddik, M.,Hyunsang Hwang IEEE 2011 IEEE electron device letters Vol.32 No.7
<P>In this letter, we propose a model based on noise analysis for the filamentary switching mechanism in resistance random access memory having ZrOx/HfOx bilayer stacks. From the noise analysis results, we concluded that the current flowing during high-resistance state can be described as a trap-assisted current that flows through traps. It has been hypothesized that these traps are the cause of the instability of device parameters. To validate this, the noise analysis results of large-area devices were compared with those of small-area devices. As a consequence, we improved the uniformity of device parameters.</P>