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- 저자 : G. -H. Kim(김곤호) (검색결과 4 건)
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플라즈마 이온주입 방법에 의한 질화철 제조 및 자기적 성질
김정기(J. G. Kim),김곤호(G-H Kim),김용현(Y. H. Kim),한승희(S. H. Han),김철성(C. S. Kim) 한국자기학회 1998 韓國磁氣學會誌 Vol.8 No.1
Fe-N(iron-nitrogen) crystal phases were prepared by nitrogen ion implantation into α-Fe foil with Plasma Source Ion Implantation (PSII). Ion implantation time of sample is treated 15 minutes (FeN15) and 30 minutes (FeN30). The nitrogen depth profiles measured by Auger electron spectroscopy (AES) were determined to be about 12000 Å and 40000 Å for the samples of FeN15 and FeN30, respectively. The results of vibrating sample magnetometer (VSM) show that the saturation magnetization of the samples of as-implanted FeN15 and FeN30 was higher than that of pure α-Fe foil, which may be owing to α' -Fe_(16)N₂ or α-Fe_(16)N₂ phases. Accordingly this study shows the possibility of the partial formation of a' or a phase in iron nitrogen produced by PSII method.
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전도성 향상을 위한 구리호일 위 CNT의 직접성장 및 전계방출 특성 평가
김진주,임선택,김곤호,정구환,Kim, J.J.,Lim, S.T.,Kim, G.H.,Jeong, G.H. 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.2
탄소나노튜브(CNT)와 합성기판 사이의 전도성 향상을 목적으로, 현재 리튬이온이차전지 등의 분야에서 전극으로 이용되고 있는 구리 호일을 합성기판으로 하여, 그 위에 수직배향 CNT 성장의 합성 최적화를 도모하였다. 합성은 수평식 CVD 합성장비를 이용하였으며, 최적의 합성조건은 구리호일 위에 10 nm의 Al2O3 버퍼층과 1 nm 두께의 Fe 촉매층을 증착한 후, 아세틸렌 가스를 이용하여 $800^{\circ}C$에서 20분간 합성한 조건으로 설정하였다. CNT는 base-growth의 성장형태를 따랐고, Fe 1 nm 두께인 경우, $7.2{\pm}1.5nm$의 촉매나노입자가 형성되었으며, 이를 이용하여 $800^{\circ}C$에서 20분 성장결과, 직경 8.2 nm, 길이 $325{\mu}m$의 수직배향 CNT를 얻을 수 있었다. 합성시간이 길어져도 CNT의 결정성, 직경 및 겹(wall) 수에는 큰 변화가 없었다. 끝으로, 구리호일 위에 수직 성장시킨 CNT의 전계방출 특성을 측정한 결과, 실리콘 산화막 위에 성장시킨 CNT와 비교하여, 월등히 낮은 전계방출 문턱전압과 10배 정도 높은 전계향상계수를 보였다. 이는 CNT와 금속기판 사이의 계면에서 전기전도도가 향상된 결과에 기인하는 것으로 사료된다. Carbon nanotubes (CNT) have been attracted much attention since they have been expected to be used in various areas by virtue of their outstanding physical, electrical, and chemical properties. In order to make full use of their prominent electric conductivity in some areas such as electron emission sources, device interconnects, and electrodes in energy storage devices, direct growth of CNT with vertical alignment is definitely beneficial issue because they can maintain mechanical stability and high conductivity at the interface between substrates. Here, we report direct growth of vertically aligned CNT (VCNT) on Cu foils using thermal chemical vapor deposition and characterize the field emission property of the VCNT. The VCNT's height was controlled by changing the growth temperature, growth time, and catalytic layer thickness. Optimum growth condition was found to be $800^{\circ}C$ for 20 min with acetylene and hydrogen mixtures on Fe catalytic layer of 1 nm thick. The diameter of VCNT grown was smaller than that of usual multi walled CNT. Based on the result of field emission characterization, we concluded that the VCNT on Cu foils can be useful in various potential applications where high conductivity through the interface between CNT and substrate is required.
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PSII 펄스 시스템의 동적 플라즈마 부하 회로 모델 개발
정경재,최재명,황휘동,김곤호,고광철,황용석,Chung, K.J.,Choe, J.M.,Hwang, H.D.,Kim, G.H.,Ko, K.C.,Hwang, Y.S. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.3
음의 고전압의 인가에 따라 반응하는 동적 플라즈마를 부하로 갖는 PSII(plasma source ion implantation) 펄스 시스템을 분석하기 위한 회로 모델을 개발하였다. 플라즈마 내에 삽입된 평판 전극 앞에서의 플라즈마 쉬스의 움직임은 동적 차일드-랑뮤어 쉬스 모델을 따르는 것으로 가정하였다. 표적 전극에 흐르는 전류는 전극에 인가되는 전압과 서로 영향을 주며 변하므로 동적 플라즈마 부하를 전압 의존 전류 원으로 표현하여 자기모순이 없는 회로 모델을 구현하였다. 회로 해석은 Pspice 프로그램을 이용하여 수행하였으며, 다양한 플라즈마 조건과 펄스인가 조건에서의 실험 결과와 비교하여 회로 모델의 타당성을 검증하였다. A circuit model has been developed to analyze characteristics of the PSII(plasma source ion implantation) pulse system with dynamic plasma load. The plasma sheath in front of the immersed planar target biased with a negative-high voltage pulse is assumed to be governed by the dynamic Child-Langmuir sheath model. Target current is self-consistently varied with the applied voltage by using the voltage-controlled current source in the circuit model. Circuit simulations are conducted with Pspice circuit simulator, and simulated pulse currents and voltages on the target are compared and confirmed with experimental results for various voltage pulses and plasma conditions.
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