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홍기범 호남대학교 산업기술연구소 1999 산업기술연구논문집 Vol.7 No.-
다이오드의 턴오프 특성은 캐리어의 수명과 관계된다. 온도변화에 따른 캐리어의 수명의 변화는 다이오드의 턴오프 특성을 변화시킨다. 본 논문은 다이오드의 턴오프 특성 측정을 위한 회로에 대한 고찰과 온도변화에 따른 다이오드 턴오프 특성의 측정 결과에 대한 것이다. The diode turn-off characteristics are related to carrier life time. Change in carrier life time due to temperature change makes diode turn-off characteristics vary. This paper is focused on the consideration of the measuring circuits and the measured results in diode turn-off characteristics with temperature change.
홍기범,최성률 호남대학교 산업기술연구소 1998 산업기술연구논문집 Vol.6 No.-
본 논문은 MDM(Modified Delta Modulation)을 이용하여 convolution을 행하는 것에 대한 연구이다. 일반적으로 convolution을 수행하면 data 수(N)의 제곱인 N²만큼의 multiplier가 필요하나 본 방법을 사용하면 2N-1개의 multiplier만 필요하게 된다. DM(Delta Modulation)을 이용한 convolution에서는 부호 및 데이터의 유무를 나타내는 register(L)가 2 bit 이었으나 MDM의 경우는 약 6 bit 가 필요하다. 그러나 MDM방법에 의한 convolution을 수행하는데 필요한 sampling rate는 DM의 경우에 비해 낮아도 된다. 따라서 계산해야할 데이터 수(N)가 감소한다. In this paper, convolution for MDM encoede signal is considered. If we use this method, we need only 2N-1 multipliers-noe multiplier for each n-for convolution, the number of which is same as the number of multipliers for convolution for DM encoded signal. The other components are adders and digital logics. So calculation speed for convolution by this algorithm could be very fast. For convolution using DM method, 2 bit register L, which has information of sign and existence of data, is meeded, for MDM 6 bit register is required, but sampling rate could be lower. So the number of data,N,to be calculated could be reduced.
홍기범 호남대학교 정보통신연구소 2001 정보통신연구 Vol.11 No.-
The purpose of this paper is to theoretically analyze low temperature behavior of β in BJT and measure β in BJT at various temperatures and compare them Theory and experimental results agree each other qualitatively, but to some degree they deviate qualitatively. The further study will be needed to edplain the disparity between them.
홍기범 호남대학교 1997 호남대학교 학술논문집 Vol.18 No.4
In this paper, a new simple synchronous serial data communication using photo-coupler and storage time delay of BJ transistor was proposed. Using photo-coupler we can separate the transmitter and the receiver electrically. And using storage time delay effect of the transistor, which is a part of the photo-coupler, we make recirver circuit simple. This system is so simple that it can be easily applied even to the small system.
홍기범 호남대학교 산업기술연구소 1997 산업기술연구논문집 Vol.5 No.-
자동차의 연료효율은 엔진 자체의 효율뿐만 아니라 전기시스템의 효율도 영향을 미치게 된다. 자동차 정장품의 수는 증가일로에 있으며 자동차가 고급화될수록 더욱 그러하다. 본 논문은 자동차 전장품들의 효율 개선을 위하여 고려되고 있는 방안들에 대한 논의와 예측을 포함하고 있다. The automotive fuel efficiency is affected not only by efficiency of engine itself, but also by efficiency of the electrical system. The number of electrical loads is increasing and very so as automobile become acvanced. In this paper discussions and predictions on the means of increasinf efficiency of electrical loads are presented.
홍기범 호남대학교 1998 호남대학교 학술논문집 Vol.19 No.2
In this paper, low temperature operation of various semiconductor devices are discussed along with physical property changes of semiconductor at low temperatures. Also applications and potentials of low temperature electronics are discussed.
홍기범 湖南大學校 情報通信硏究所 1999 정보통신연구 Vol.9 No.-
The purpose of this paper is to present the method of implementing new device models in SPICE program. Using dependent sources, resistors and diodes in SPICE program, we could implement the new device model if we could express the current-voltage characteristics as the polynomials of voltages and currents. In this paper, the systematic procedures to implement are presented.
홍기범 호남대학교 정보통신연구소 1996 정보통신연구 Vol.5 No.-
반도체 소자는 자체의 전력소모로 인하여 소자의 온도가 주면온도에 비해 상승하게 되며, 온도 상승은 소자의 전류-전압 특성을 변화시킨다. 전력소모에 따른 소자의 온도 상승효과는 회로의 성능을 변화시킬수도 있으므로 회로 설계자가 고려하여야 하며, 특히 전력용 반도체 소자의 경우에 그러하다. 본 논문은 반도체 소자중 전력용 MOSFET의 온도 측정 방식 및 회로를 제시하였으며 제시된 방법을 이용한 측정치를 제시하였다. When an semiconductor device operates, power dissipation raises the device temperature, and temperature rises change the device electrical characteristics. Knowledge of the device temperature rise due to power dissipation in the device is needed for the circuit designer to more accurately predict circuit behavior. This paper is focused of the temperature measurements of the power MOSFET. Electrical temperature measurement method will be presented and also temperature measuring circuit was designed and will be presented. The drain-body P-N junction forward voltage drop is used as an electrical prameter for measuring power MOSFET temperature.