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CPW 진행파 전극, M-Z형 Ti:LiNbO<sub>3</sub> 광 변조기
피중호,정은주,최정성,김창민,Pi Joong-Ho,Jung Eun-Joo,Choi Jung-Sung,Kim Chang-Min 한국광학회 2004 한국광학회지 Vol.15 No.5
We have fabricated a LiNbO$_3$ travelling-wave optical modulator. The travelling-wave modulator consisted of M-Z(Mach-Zehnder) interferometer and CPW(Coplanar Waveguide) travelling-wave electrodes. Design of CPW electrodes were performed by SOR(Successive Over Relaxation) to obtain the conditions of Microwave effective index and impedance matching. The fabricated modulator had -3.2 dB insertion loss, and S$_{11}$ below -15 dB up to 12 GHz, S$_{21}$ better than -3 dB upto 7 GHz. It turned out that the optical response showed the 3 dB bandwidth of above 12 GHz. Mach-Zehnder 간섭기와 CPW 진행파 전극을 이용한 외부 광변조기를 제작하였다. 유한차분법(FDM)을 이용하여 단일모드를 갖는 Ti:LiNbO$_3$ 광도파를 설계하고 이를 기반으로 M-Z 간섭기를 설계하였다. 또한 도파광과 MW간의 위상속도를 정합시키고 MW의 특성임피던스를 50Ω으로 맞추기 위하여, CPW 전극의 입$.$출력단 및 변조영역을 반복이완법(SOR)으로 수치해석 하였다. 제작된 소자의 삽입손실은 -3.2dB 정도였고, CPW 전극의 S$_{11}$은 12 GHz 이하의 주파수에서 -15 dB이하를 유지하였으며, S$_{21}$은 7 GHz까지 -3dB 이상을 나타내었다. 주파수 응답 측정 결과, 12 GHz에서 3 dB 변조대역폭을 갖는 것으로 측정되었다.
G-PON용 높은 전광변환효율을 갖는 1.31 um 비냉각 DFB-LD
김정호,피중호,김덕현,박칠성,류한권,구본조,Kim, Jeong-Ho,Pi, Joong-Ho,Kim, Deok-Hyun,Park, Chil-Sung,Ryu, Han-Gwon,Koo, Bon-Jo 한국광학회 2007 한국광학회지 Vol.18 No.5
[ $-40^{\circ}C$ ]에서 $85^{\circ}C$의 온도에서 냉각장치 없이 동작하는 1.31 um 비냉각 DFB-LD가 유기 금속 화학 증착법에 의해 성장되었다. 높은 전광변환효율을 갖는 레이저의 제작은 스트레인이 인가된 다중양자우물 구조의 최적화를 통해 가능하며, 특히 스트레인의 양, 양자 우물의 두께, 전위장벽의 두께, 양자 우물의 수, 활성층의 폭에 주로 영향을 받는다. 본 연구에서 제작된 DFB-LD는 $25^{\circ}C$와 $85^{\circ}C$에서 전광변환효율은 0.38[mW/mA]와 0.26[mW/mA], 발진개시전류는 각각 7.1[mA]와 19.8[mA]의 값을 가졌다. A Strained Layer Multiquantum-Well (SL-MQW) distributed feedback laser at a wavelength of 1.31 um operating from $-40^{\circ}C$ to $85^{\circ}C$ without any cooling is grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Lasers with high slope efficiency are achieved through careful optimization of a SL-MQW active layer, especiallyoptimizing the amount of strain, the well thickness, the barrier thickness, the number of wells, and the active layer width. In this paper, we obtain the slope efficiencies of 0.38[mW/mA] and 0.26 [mW/mA] at $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$, respectively. Threshold currents are 7.1[mA] and 19.8[mA] at $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$, respectively.
-40~85℃ 범위에서 단일모드 동작이 가능한 1.49㎛ 비냉각 DFB-LD의 제작
이우원(Woo-Won Lee),김정호(Jeong-Ho Kim),류한권(Han-Gwon Ryu),박칠성(Chil-Sung Park),피중호(Joong-Ho Pi),구본조(Bon-Jo Koo) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.11
In order to obtain stable single mode operation around 1.49 ㎛ range over -40~85℃, strained layer MQW DFB-LD is fabricated by MOCVD method. Fabricated DFB-LDs have low threshold current of 6.2㎃ and 20.45㎃ at 25℃ and 85℃, respectively. Also, side-mode suppression ratio of them is over 35 ㏈m up to 85℃. Their slope efficiencies are 0.3㎽/㎃ and 0.21㎽/㎃ at 25℃ and 85℃, respectively.