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Trap 주입에 의한 LIGBT의 스위칭 특성 향상에 관한 연구
추교혁,강이구,성만영 한국전기전자재료학회 2000 전기전자재료학회논문지 Vol.13 No.2
In this paper, the effects of trap distribution on switching characteristis of a lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) are investigated. The simulations are performed in order to to analyze the effect of the positon, width and concentration of trap distribution model with a reduced minority carrier lifetime using 2D device simulator MEDICI. The turn off time for the proposed LIGBT model A with the trap injection is 0.8$mutextrm{s}$. These results indicate the improvement of about 2 times compared with the conventional LIGBT. It is shown that the trap distribution model is very effective to reduce the turn-off time with a little increasing of on-state voltage drop.
추교혁,이득수,강인병 에스케이텔레콤 (주) 2008 Telecommunications Review Vol.18 No.6
키보드, 마우스등 별도의 입력 도구를 사용하지 않고 화면상에 손이나 물체를 접촉시켜 특정 기능을 수행하는 터치 패널은 최근 쉽고 직관적인 기기 조작을 원하는 사용자의 요구를 충족시키고, 멀티터치등의 다양한 사용자 인터페이스가 제시되면서 점차 그 영역이 확대되고 앞으로도 더욱 많은 수요가 예상된다. 그러나, 현재 일반적으로 채용되고 있는 외장형 터치 패널은 터치 기능을 구현하기 위하여 디스플레이상에 부가적인 터치 모듈이 필요하고 이에 따라 수반되는 여러 단점들이 알려지고 있는데, 이를 보완하면서 기술적인 부가가치를 창출하기 위하여 각 디스플레이 업체에서는 내장형 터치 패널 개발에 매진하고 있다. 본 논문에서는 이러한 터치 패널 기술에 대하여 전반적으로 살펴본 후 내장형 터치 패널중 휴대폰을 비롯한 모바일 기기에 가장 적합하다고 판단되는 광센서 방식을 자사에서 진행하였던 개발 내용을 바탕으로 터치 패널의 기술과 설계 그리고 향후 해결할 기술적 과제 및 제품 응용 측면을 전망해 본다.
트랩 주입의 구조적 설계에 따른 LIGBT의 전기적 특성 개선에 관한 연구
강이구,추교혁,김상식,성만영,Gang, Lee-Gu,Chu, Gyo-Hyeok,Kim, Sang-Sik,Seong, Man-Yeong 대한전기학회 2000 전기학회논문지C Vol.54 No.12
In this paper, the new LIGBT structures with trap injection are proposed to improve switching characteristics of the conventional SOI LIGBT. The Simulations are performed in order to investigate the effects of the positiion, whidth and concentration of trap injection region with a reduced minority carrier lifetime using 2D device simulator MEDICI. Their electrical characteristics are analyzed and the optimum design parameters are extracted. As a result of simulation, the turn off time for the model A with the trap injection is $0.78\mus$. These results indicate the improvement of about 2 times compared with the conventional SOI LIGBT because trap injection prevents minority carriers which is stored in the n-drift region during turn off switching. The latching current is $1.5\times10^{-4}A/\mum$ and forward blocking voltage is 168V which are superior to those of conventional structure. It is shown that the trap injection is very effective to reduce the turn off time with a little increasing of on-state voltage drop if its design and process parameters are optimized.