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서한,지미정,안용태,주병권,최병현,Seo, Han,Ji, Mi-Jung,An, Yong-Tea,Ju, Byeong-Kwon,Choi, Byung-Hyun 한국세라믹학회 2012 한국세라믹학회지 Vol.49 No.6
In order to reduce the indium contents in transparent conducting oxide(TCO) thin films of $In_{1.6{\sim}1.8}Zn_{0.2}Sn_{0.2{\sim}0.4}O_3$ (IZTO), $In_{1.6}Zn_{0.2}Sn_{0.2}O_{3-{\delta}}$(IZTO) was prepared by replacing indium with Zn and Sn. The TCO films were deposited via RF-magnetron sputtering of the IZTO target at various deposition temperatures and its film characteristics were investigated. When deposited in an Ar atmosphere at $400^{\circ}C$, the electrical resistivity of the film decreased to $6.34{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ and the optical transmittance was 80%. As the deposition temperature increased, the crystallinity of the IZTO film was enhanced. As a result, the electrical conductivity and transmittance properties were improved. This demonstrates the possibility of replacing ITO TCO film with IZTO.
SOFC용 LYSMO세라믹 IC에서 소결조제 첨가에 따른 소결특성
서한(Seo, Han),최병현(Choi, Byung-Hyun),지미정(Ji, Mi-Jung),안용태(Ann, Yong-Tea),박성태(Park, Sung-Tea),이준호(Lee, Jun-Ho),주병권(Ju, Byeong-Kwon) 한국신재생에너지학회 2010 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.06
본 연구는 세라믹 연결재로 사용되는 Perovskite 구조의 LYSMO조성의 실제 SOFC stack적용을 위한 소결온도 제어방법에 관해 연구하였다. SOFC 단전지에서 IC소재는 1300{sim}{cdot}1400?C의 온도에서 소결이 이루어져만 하나 현재 연구발표된 IC는 대부분이 1500?C 이상에서 소결이 되므로 실제 stack적용에 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기위해 IC소재에 소결조제를 첨가하여 소결온도를 제어코자 하였다. 실험결과 MgB<sub>6</sub>와 LaB<sub>6</sub>등의 불화물계의 첨가가 세라믹 연결재의 소결온도 감소에 효과적인 것으로 나타났다. 소결조제의 첨가는 소결온도의 감소를 이끌었지만 열팽창 계수에는 큰 영향을 끼치지는 않았다. 하지만 전기적 특성은 큰 폭으로 감소하여 전기전도도 개선을 위한 다른 방안이 필요함을 확인할 수 있었다.
ZnO 기반의 투명 박막 트랜지스터 제작을 위한 Active-layer의 최적화에 대한 연구
장성필(Seongpil Chang),이상규(Sanggyu Lee),손창완(Chang Wan Son),임재현(Jaehyeon Leem),송용원(Yong-Won Song),주병권(Byung-Kwon Ju),이상렬(Sang Yeol Lee) 대한전기학회 2007 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2007 No.11
We have observed electrical properties of ZnO thin films for the fabrication of transparent thin film transistor. ZnO thin films were deposited on Al₂O₃(0001) substrate at various temperatures by pulsed laser deposition(PLD). The third of harmonic(355㎚) Nd:YAG laser was used for pulsed laser deposition. X-ray diffraction(XRD), field emission-scanning electron microscope(FE-SEM), and photoluminescence were used to characterize physical and optical properties of ZnO thin film. The results indicated the ZnO film showed good optical properties as increasing temperatures, with low FWHM of exciton-related peak and XRD(0002) peak.