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대학생의 우익권위주의, 사회지배지향성과 제노포비아와의 관계: 비인간화의 매개효과
전명심,이영선 한국사회및성격심리학회 2023 한국심리학회지 사회 및 성격 Vol.37 No.4
본 연구에서는 이주민에 향한 배타적이고 차별적인 태도인 제노포비아의 예측요인으로서 대학생들의 우익권위주의와 사회지배지향성을 살펴보고, 그 과정에서 이주민에 대한 비인간화의 매개효과들을 검증하고자 하였다. 우익권위주의와 사회지배지향성은 많은 외집단에 대한 편견의 예측 요인으로 주목되어왔으며, 비인간화는 제노포비아를 정당화하고 합법화하여 지속시킬 수 있기 때문에 중요한 매개변수로 고려되었다. 이를 위해, 전국의 대학생들을 대상으로 온라인 설문조사를 실시하였고, 신뢰할 수 없는 응답을 제외한 후, 총 191명의 자료를 SPSS 21과 PROCESS Macro v4.1 프로그램으로 분석하였다. 그 결과, 대학생의 우익권위주의, 사회지배지향성, 이주민에 대한 비인간화, 제노포비아는 서로 각각 유의미한 정적 상관관계를 나타내었다. 또한, 우익권위주의는 제노포비아와의 관계에서 직접효과와 비인간화를 통한 간접효과가 모두 유의한 반면에, 사회지배지향성은 제노포비아와의 관계에서 비인간화를 통한 간접효과만 유의하였다. 본 연구에서는 우익권위주의와 사회지배지향성이 제노포비아를 예측할 수 있는 개인차 요인들이며 이 과정에서 이주민에 대한 비인간화를 통한 간접효과를 가진다는 것을 확인하였다. 마지막으로, 본 연구 결과의 함의에 대해 논의하였으며, 연구의 한계와 후속연구에 대한 제언을 하였다. This study attempted to identify the relationships between right-wing authoritarianism (RWA), social dominance orientation (SDO) and xenophobia, an exclusive and discriminatory attitude toward immigrants, and to verify the mediating effects of dehumanization of immigrants in these relations. RWA and SDO have been noted as predictors of prejudice against many outgroups, and dehumanization was considered as important mediating variables in this relations because it may justify and perpetuate xenophobia. For these purposes, an online survey was conducted for college students nationwide. After excluding unreliable responses, a total of 191 data was analyzed using SPSS 21 and PROCESS Macro v4.1 programs. The results showed that RWA, SDO, dehumanization towards immigrants and xenophobia were significantly positively correlated with one another. In addition, RWA had both direct and indirect effects through dehumanization on xenophobia, whereas SDO had only an indirect effect through dehumanization. This study confirmed that RWA and SDO are individual difference variables that can predict xenophobia, and have indirect effects through dehumanizing perceptions of immigrants in these relationships, respectively. Finally, we discussed the implications and limitations of this study, and suggestions for future research.
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장문규,전명심,노태문,김종대,Jang, M.G.,Jun, M.S.,Roh, T.M.,Kim, J.D. 한국전자통신연구원 2008 전자통신동향분석 Vol.23 No.6
최근 들어 나노기술의 발전에 힘입어 청정에너지를 구현할 수 있는 열전소자분야의 연구가 활발히 진행되고 있다. 열전소자는 태양에너지를 이용한 발전뿐만 아니라 체열, 폐열 및 지열 등을 이용한 발전 등 응용처가 매우 다양하며, 청정에너지를 생산할 수 있는 미래 지향적인 특성을 가진 분야라 할 수 있다. 그러나 아직까지 나노기술을 기반으로한 고효율의 열전소자는 기초 연구수준에서 그 가능성만 일부 선행 연구를 통하여 입증된 상태이다. 따라서 저비용, 고효율의 열전소자를 성공적으로 개발하게 된다면, 기술의 원천성 확보 및 초기 시장 점유에 매우 유리한 입지를 점할 수 있으리라 예측된다. 본 논문에서는 최근 들어 나노기술의 접목으로 새로이 주목받고 있는 열전소자의 동작 원리에 대한 간략한 소개와 이 분야의 최근 연구 동향 및 특허 동향에 대하여 살펴보고자 한다.
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Low Temperature Characteristics of Schottky Barrier Single Electron and Single Hole Transistors
장문규,전명심,정태형 한국전자통신연구원 2012 ETRI Journal Vol.34 No.6
Schottky barrier single electron transistors (SB-SETs) and Schottky barrier single hole transistors (SB-SHTs) are fabricated on a 20-nm thin silicon-on-insulator substrate incorporating e-beam lithography and a conventional CMOS process technique. Erbium- and platinum-silicide are used as the source and drain material for the SB-SET and SB-SHT, respectively. The manufactured SB-SET and SB-SHT show typical transistor behavior at room temperature with a high drive current of 550 μA/μm and –376 μA/μm, respectively. At 7 K, these devices show SET and SHT characteristics. For the SB-SHT case, the oscillation period is 0.22 V, and the estimated quantum dot size is 16.8 nm. The transconductance is 0.05 μS and 1.2 μS for the SB-SET and SB-SHT, respectively. In the SB-SET and SB-SHT, a high transconductance can be easily achieved as the silicided electrode eliminates a parasitic resistance. Moreover, the SB-SET and SB-SHT can be operated as a conventional field-effect transistor (FET) and SET/SHT depending on the bias conditions, which is very promising for SET/FET hybrid applications. This work is the first report on the successful operations of SET/SHT in Schottky barrier devices.
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장문규,김약연,최철종,전명심,박병철,이성재,Jang, M.G.,Kim, Y.Y.,Choi, C.J.,Jun, M.S.,Park, B.C.,Lee, S.G. 한국전자통신연구원 2005 전자통신동향분석 Vol.20 No.5
무어의 법칙을 근간으로 하는 전계효과 트랜지스터는 매 18개월마다 0.7배씩의 성공적인 소형화를 거듭하여 최근에는 50nm 크기로 구성된 약 1억 개의 트랜지스터가 집적된 칩을 생산하고 있다. 그러나 트랜지스터의 크기가 50nm 이하로 줄어들면서는 단순한 소형화 과정은 근본적인 물리적인 한계에 접근하게 되었다. 특히 게이트 절연막의최소 두께는 트랜지스터의 소형화에 가장 직접적인 중요한 요소이나, 실리콘 산화막의 두께가 2nm 이하가 되면서 게이트 절연막을 집적 터널링하는 전자에 의한 누설전류의 급격한 증가로 인하여 그 사용이 어려워지고 있는 추세이다. 따라서 본 논문에서는 트랜지스터의 소형화에 악영향을 미치는 물리적인 한계요소에 대하여 살펴보고, 이러한 소형화의 한계를 뛰어넘기 위한 노력의 일환으로 연구되고 있는 이중게이트 구조의 트랜지스터, 쇼트키 트랜지스터, 나노선을 이용한 트랜지스터 및 분자소자 등의 새로운 소자구도에 대하여 살펴보고자 한다.
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