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수소충전소의 연료 계량 방법에 따른 계량 오차가 발생하는 원인 고찰
이택홍,강병우,이은웅,정진배,홍석진,LEE, TAECK HONG,KANG, BYOUNG WOO,LEE, EUN WOUNG,CHUNG, JIN BAE,HONG, SUK JIN 한국수소및신에너지학회 2018 한국수소 및 신에너지학회논문집 Vol.29 No.1
There has been an measuring errors between state of charge (SOC; kg) value and mass flow meter (MFM) value in dispenser for hydrogen refueling station. Finally, we observed average 15.5% weight difference between these two values and the MFM readings show a 15.5% higher readout of the SOC readings. Each car was charged with average 2.66 kg of hydrogen fuel during this period. In the initial charging of the day shows less measuring value than the final charging with the maximum 0.038 kg times number of filling. There is no effects of atmosphere temperature change for the hydrogen filled weight during one full year such as January's cold winters and August's hot summers.
이택홍,박두선,손무용,Lee, Taeck Hong,Park, Doo Seon,Son, Moo Ryong 대한화학회 1998 대한화학회지 Vol.42 No.5
가스분석에서 극미량 성분분석은 반도체 관련 산업의 발달과 더불어 매우 중요하다. 특히 반도체 생산설비 중 가스공급시스템의 공기성분에 의한 오염은 제조자에게 어려움을 제공해 왔다. 그래서 공기성분의 분석은 반도체의 품질조절에 매우 중요하다. 본 연구에서는 가스분석에서 범용으로 사용되는 열전도도 검출기를 장착한 가스크로마토그래프와 액체질소트랩을 이용하여 헬륨과 수소 중의 질소와 아르곤성분을 분석하였다. 농축법으로 결정된 미지 시료의 농도를 다른 종류의 검출기와 비교 분석하였다. 이 방법에 의해서 결정된 농도는 결정된 확장불확도 범위 내에서 만족할 만한 결과를 보여 주었다. Analysis of trace impurities in the gases has been very important with the development of semi-conductor related industry. Particularly, the contamination of the gas handling systems in a semi-conductor plant by the air has been a trouble to the manufacturers. Thus, the analysis of the air components in the system has been a task to the analysts. In this study, we report the analysis data with a expanded uncertainty for the trace impurities of nitrogen and argon in the bulk helium and hydrogen. All data show a good correspondence, exhibiting reliable statistical error ranges.
이택홍,김재영,Lee, Taeck-Hong,Kim, Jae-Young 한국가스학회 2011 한국가스학회지 Vol.15 No.3
$BF_3$ gas has been used for semiconductor manufacturing process and applied in plasma etching, chemical vapor deposition, chamber cleaning processes etc,. $BF_3$ provides Boron and acts as a p-type doping in electrode in semiconductor. In this study, we investigate thermaldecomposition of alkali-boron complexes and suggest a simple way to produce $BF_3$ from $NaBF_4$ and $KBF_4$. 반도체용 특수가스인 BF3는 반도체 생산공정에서 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정과 화학증기증착(CVD : Chemical vapor deposition) chamber 세정공정 등에 사용되며, $BF_3$ 가스는 boron Ion Implant 공정에서 p-type doping을 위한 원료 등으로 사용된다. 본 연구에서는 간단한 공정으로 $NaBF_4$ 와 $KBF_4$의 열분해를 통하여 $BF_3$ 가스의 생산에 대해서 연구 하였다.
이택홍(Taeck-Hong Lee),김재영(Jae-Young Kim) 한국가스학회 2011 한국가스학회지 Vol.15 No.3
반도체용 특수가스인 BF3는 반도체 생산공정에서 웨이퍼의 플라즈마 식각 공정과 화학증기증착(CVD : Chemical vapor deposition) chamber 세정공정 등에 사용되며, BF₃ 가스는 boron Ion Implant 공정에서 p-type doping을 위한 원료 등으로 사용된다. 본 연구에서는 간단한 공정으로 NaBF₄ 와 KBF₄의 열분해를 통하여 BF₃ 가스의 생산에 대해서 연구 하였다. BF₃ gas has been used for semiconductor manufacturing process and applied in plasma etching, chemical vapor deposition, chamber cleaning processes etc,. BF₃ provides Boron and acts as a p-type doping in electrode in semiconductor. In this study, we investigate thermaldecomposition of alkali-boron complexes and suggest a simple way to produce BF₃ from NaBF₄ and KBF₄.