Conventional simulator를 이용한 Digital image capture system(DICS)의 구축

오태성,박종일,변영식,신현교,Oh Taesung,Park Jongil,Byun Youngsik,Shin HyunKyoh 대한방사선치료학회 2004 大韓放射線治療技術學會誌 Vol.16 No.2

목적 : 모의 치료실에서 환자의 정확한 치료 범위 결정을 위해 이용되는 투시영상은 일부 최신의 고가장비에서는 digital로 capture가 가능하나, 일반적인 simulator에서는 analog영상으로 capture를 할 수 없으며 모니터링만 할 뿐이다. 이번 논제에서는 conventional simulator를 이용한 저가의 Digital image capture system의 구현 방식을 소개하고, capture된 digital 영상을 이용한 임상적인. 실용 증례를 소개하고자 한다. 대상 및 방법 : 본원의 conventional simulator(SIMVIEW NT)용 모니터의 비디오 단자(terminal)에 video signal cable을 연결하여 A/D converter에 연결한다. converter jack을 컴퓨터 capture boar에 연결하고 컴퓨터상의 image capture system을 작동시켜서 원하는 image를 capture하거나 동영상을 녹화한다. Esophagus, cervix, breast 환자 등의 capture image를 상용화된 image processing program을 통해 임상적으로 활용한다. 결과 : 경제적으로 저렴하고 용이한 방법으로 Digital image capture system(DICS)의 구축이 가능하였으며 capture된 영상을 이용하여 simulation시에는 보다 정확한 환자 정보와 치료범위를 결정하는데 도움이 되었고, capture된 영상은 data로써 충분한 가치가 있었다. 결론 : 고가의 상용화된 장비를 구입하기 어려운 경우에 이와 같은 방법으로 저가의 system를 구축하게 되면 경제적 효과와 더불어 고가장비와 동등한 영상의 획득 할 수 있으며, 그러한 과정을 통해 얻어진 영상을 이용하여 다른 software program과 연계한다면 더 많은 임상적인 연구를 할 수 있을 것이라 생각된다. Purpose : The simulator is used to determine patient field and ensure the treatment field, which encompasses the required anatomy during patient normal movement such as during breathing. The latest simulator provide real time display of still, flouroscopic and digitalized image, but conventional simulator is not yet. The purpose of this study is to introduce digital image capture system(DICS) using conventional simulator and clinical case using digital captured still and flouroscopic image. Methods and materials : We connect the video signal cable to the video terminal in the back up of simulator monitor, and connect the video jack to the A/D converter. After connection between the converter jack and computer, We can acquire still image and record flouroscopic image with operating image capture program. The data created with this system can be used in patient treatment, and modified for verification by using image processing software. (j.e. photoshop, paintshop) Result : DICS was able to establish easy and economical procedure. DCIS image was helpful for simulation. DICS imaging was powerful tool in the evaluation of the department specific patient positioning. Conclusion : Because the commercialized simulator based of digital capture is very expensive, it is not easily to establish DICS simulator in the most hospital. DICS using conventional simulator enable to utilize the practical use of image equal to high cost digitalized simulator and to research many clinical cases in case of using other software program.

다층 세라믹 패키지 재료와 제조공정

오태성 ( Tae Sung Oh ) 대한금속재료학회 1992 大韓金屬學會會報 Vol.5 No.2

Cu 머쉬룸 범프를 적용한 플립칩 접속부의 접속저항

박선희,오태성,Park, Sun-Hee,Oh, Tae-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2008 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.15 No.3

전기도금법으로 Cu 머쉬룸 범프를 형성하고 Sn 기판 패드에 플립칩 본딩하여 Cu 머쉬룸 범프 접속부를 형성하였으며, 이의 접속저항을 Sn planar 범프 접속부와 비교하였다. $19.1\sim95.2$ MPa 범위의 본딩응력으로 형성한 Cu머쉬룸 범프 접속부는 $15m\Omega$/bump의 평균 접속저항을 나타내었다. Cu머쉬룸 범프 접속부는 Sn planar범프 접속부에 비해 더 우수한 접속저항 특성을 나타내었다. 캡 표면에 $1{\sim}w4{\mu}m$ 두께의 Sn 코팅층을 전기도금한 Cu 머쉬룸 범프 접속부의 접속저항은 Sn 코팅층의 두께에 무관하였으나 캡 표면의 Sn코팅층을 리플로우 처리한 Cu머쉬룸 범프 접속부에서는 접속저항이 Sn 코팅층의 두께와 리플로우 시간에 크게 의존하였다. Cu mushroom bumps were formed by electrodeposition and flip-chip bonded to Sn substrate pads. Contact resistances of the Cu-mushroom-bump joints were measured and compared with those of the Sn-planar-bump joints. The Cu-mushroom-bump joints, processed at bonding stresses ranging from 19.1 to 95.2 MPa, exhibited contact resistances near $15m\Omega$/bump. Superior contact-resistance characteristics to those of the Sn-planar-bump joints were obtained with the Cu-mushroom-bump joints. Contact resistance of the Cu-mushroom-bump joints was not dependent upon the thickness of the as-elecroplated Sn-capcoating layer ranging from $1{\mu}m$ to $4{\mu}m$. When the Sn-cap-coating layer was reflowed, however, the contact resistance was greatly affected by the thickness and the reflow time of the Sn-cap-coating layer.

분말 제조공정에 따른 n형 PbTe 가압소결체의 열전특성

최재식,오태성,현도빈,Choi, Jae-Shik,Oh, Tae-Sung,Hyun, Dow-Bin 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.3

Bi를 첨가한 n형 PbTe 가압소결체를 기계적 합금화 공정으로 제조하여, 소결 특성과 열전특성을 분석하고 이를 용해/분쇄법으로 제조한 PbTe가압소결체와 비교하였다. 기계적 합금화 공정으로 제조한 PbTe가압소결체에는 용해/분쇄법으로 제조한 시편에 비해 Seebeck계수가 음의 값으로 증가하였으며, 전기비저항이 증가하고 열전도도가 감소하였다. 또한 기계적 합금화 공정으로 제조한 PbTe에서 최대성능지수가 증가하였으며, \ulcorner대성능지수를 나타내는 온도가 저온으로 이동하였다. 0.3wt% Bi를 첨가한 PbTe를 $650^{\circ}C$에서 가압소결시 기계적 합금화 공정으로 제조한 시편은 $200^{\circ}C$에서 $1.33\times10^{-3}/K$의 최대성능지수를 나타내었으며, 용해/분쇄법으로 제조한 시편은 $400^{\circ}C$에서 $1.07\times10^{-3}/K$의 최대성능지수를 나타내었다. Bi-doped n-type PbTe thermoeletric materials were fabricated by mechanical alloying and hot pressing. The intering characteristics and thermoelectric properties of the hot- pressed PbTe were characterized and compared with the properties of the specimens prepared by meltingigrinding method. The hot-pressed PbTe specimens fabricated by mechanical alloying exhibited more negative Seebeck coefficient, higher electrical resistivity and lower thermal conductivity. compared to ones prepared by meltingigrinding. The maximum figure-of-merit increased and the temperature for the maximum figure-of-merit shifted to lower temperature for the specimens fabricated by mechanical alloying. When hot pressed at $650^{\circ}C$, 0.3 wt% Bi-doped PbTe fabricated by mechanical alloying and meltingjgrinding exhibited maximum figure-of-merits of $1.33\times10^{-3}/K$ at $200^{\circ}C$ and $1.07\times10^{-3}/K$ at $400^{\circ}C$ respectively.

Si 칩에 형성된 박막히터를 이용한 Chip-on-Glass 공정

정부양,오태성,Jung, Boo-Yang,Oh, Tae-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2007 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.14 No.3

Si 칩에 박막히터를 형성하고 이에 전류를 인가하여 LCD (liquid crystal display) 패널의 유리기판은 가열하지 않으면서 Si 칩만을 선택적으로 가열함으로써 Si 칩을 LCD 패널의 유리기판에 실장 하는 새로운 COG 공정기술을 연구하였다. $5\;mm{\times}5\;mm$ 크기의 Si 칩에 마그네트론 스퍼터링법으로 폭 $150\;{\mu}m$,두께 $0.8\;{\mu}m$, 전체 길이 12.15 mm의 정방형 Cu 박막히터를 형성하였으며, 이에 0.9A의 전류를 60초 동안 인가하여 Si칩의 Sn-3.5Ag 솔더범프를 리플로우 시킴으로써 Si 칩을 유리기판에 COG 본딩하는 것이 가능하였다. New Chip-on-glass technology to attach an Si chip directly on the glass substrate of LCD panel was studied with local heating method of the Si chip by using thin film heater fabricated on the Si chip. Square-shaped Cu thin film heater with the width of $150\;{\mu}m$, thickness of $0.8\;{\mu}m$, and total length of 12.15 mm was sputter-deposited on the $5\;mm{\times}5\;mm$ Si chip. With applying current of 0.9A for 60 sec to the Cu thin film heater, COG bonding of a Si chip to a glass substrate was successfully accomplished with reflowing the Sn-3.5Ag solder bumps on the Si chip.

신축 전자패키지 배선용 금속박막의 신축변형-저항 특성 I. Parylene F 중간층 및 PDMS 기판의 Swelling에 의한 영향

박동현,오태성,Park, Donghyun,Oh, Tae Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2017 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.24 No.3

We investigated the feasibility of parylene F usage as an intermediate layer between a polydimethylsiloxane (PDMS) substrate and an Au thin-film interconnect as well as the swelling effect of PDMS substrate on the stretchable deformability of an Au thin film. The 150-nm-thick Au film, which was sputtered on a PDMS substrate without a parylene F layer, exhibited an initial resistance of $11.7{\Omega}$ and an overflow of its resistance at a tensile strain of 12.5%. On the other hand, the Au film, which was formed with a 150-nm-thick parylene F layer, revealed an much improved resistance characteristics: $1.21{\Omega}$ as its initial resistance and $246{\Omega}$ at its 30% elongation state. With swelling of PDMS substrate, the resistance of an Au film substantially decreased to $14.4{\Omega}$ at 30% tensile strain. Polydimethylsiloxane (PDMS) 신축기판과 Au 박막 사이의 중간층으로서 parylene F의 적용 가능성을 분석하고, Au 박막의 스퍼터링 중에 발생하는 PDMS 기판의 swelling이 Au 박막의 신축변형-저항 특성에 미치는 영향을 분석하였다. Parylene F 중간층 없이 PDMS 기판에 스퍼터링한 150 nm 두께의 Au 박막은 $11.7{\Omega}$의 초기저항을 나타내었으며, 12.5%의 인장변형률에서 저항의 overflow가 발생하였다. 반면에 150 nm 두께의 parylene F 중간층을 갖는 Au 박막의 초기저항은 $1.21{\Omega}$이었으며 30% 인장변형률에서 저항이 $246{\Omega}$으로 저항증가비가 현저히 낮아졌다. PDMS 기판의 swelling이 발생함에 따라 30% 인장변형률에서 Au 박막의 저항이 $14.4{\Omega}$으로 크게 저하되었다.

신축 전자패키지 배선용 금속박막의 신축변형-저항 특성 II. Au, Pt 및 Cu 박막의 특성 비교

박동현,오태성,Park, Donghyun,Oh, Tae Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2017 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.24 No.3

Polydimethylsiloxane (PDMS) 기판과 금속박막 사이의 중간층으로 parylene F를 사용한 신축패키지 구조에서 Au, Pt, Cu 박막의 신축변형에 따른 저항변화를 분석하였다. Parylene F 중간층을 코팅한 PDMS 기판에 스퍼터링한 150 nm 두께의 Au 박막과 Pt 박막은 각기 $1.56{\Omega}$ 및 $5.53{\Omega}$의 초기저항을 나타내었으며, 30% 인장변형률에서 각 박막의 저항증가비 ${\Delta}R/R_o$은 각기 7 및 18로 측정되었다. Cu 박막은 $18.71{\Omega}$의 높은 초기저항을 나타내었으며 인장변형에 따라 저항이 급격히 증가하다 5% 인장변형률에서 open 되어, Au 박막과 Pt 박막에 비해 매우 열등한 신축 특성을 나타내었다. Stretchable deformation-resistance characteristics of Au, Pt, and Cu films were measured for the stretchable packaging structure where a parylene F was used as an intermediate layer between a PDMS substrate and a metal thin film. The 150 nm-thick Au and Pt films, sputtered on the parylene F-coated PDMS substrate, exhibited the initial resistances of $1.56{\Omega}$ and $5.53{\Omega}$, respectively. The resistance increase ratios at 30% tensile strain were measured as 7 and 18 for Au film and Pt film, respectively. The 150 nm-thick Cu film, sputtered on the parylene F-coated PDMS substrate, exhibited a very poor stretchability compared to Au and Pt films. Its resistance was initially $18.71{\Omega}$, rapidly increased with applying tensile deformation, and finally became open at 5% tensile strain.

$Bi_{2}Se_{3}$ 함량에 따른 Bi$_{2}$(Te$_{1-x}$Se$_{ x}$)$_{3}$

김희정,오태성,현도빈,Kim, Hee-Jeong,Oh, Tae-Sung,Hyun, Do-Bin 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.5

Bi$_{2}$(Te$_{1-x}$Se$_{ x}$)$_{3}$(0.05$\leq$x$\leq$0.25)합금분말을 기계적 합금화 공정으로 제조하여 가압소결 후, $Bi_{2}$Se$_{3}$함량에 따른 열전특성의 변화거동을 분석하였다. 기계적 합금화로 제조한 $ Bi_{2}$(Te$_{1-x}$ $Se_{x}$$_{3}$ 가압소결체는 단결정과는 달리 donor dopant의 첨가없이도 n형 전도를 나타내었다. $Bi_2(Te_{0.85}Se_{0.15})_3$ 합금분말을 (50%H$_{2}$+50% Ar)분위기 중에서 환원처리하여 가압소결시, 분말 효면의 산화층 제거와 과잉 Te 공격자의 소멸에 기인한 전자 농도의 감소로 p형으로 천이되었다. 기계적 합금화로 제조한 $ Bi_{2}$($Te_{1-x}$ $Se_{x}$$_{3}$가압소결체는 x=0.15조성에서 $1.92{\times}10^{-3}$ K의 최대 성능지수를 나타내었다. Thermoelectric properties of Bi$_{2}$(Te$_{1-x}$Se$_{ x}$)$_{3}$(0.05$\leq$x$\leq$0.25) prepared by mechanical alloying and hot pressing, were investigated. Contrary to the p-type behavior of single crystals, the hot-pressed Bi$_{2}$(Te$_{1-x}$Se$_{ x}$)$_{3}$ exhibited ntype conduction without addition of donor dopant. When $Bi_2(Te_{0.85}Se_{0.15})_3$powders were annealed in (50% $H_2$ + 50% Ar) atmosphere, the hot-pressed specimen exhibited a positive Seebeck coefficient due to the reduction of the electron concentration by removal of the oxide layer on the powder surface and annealing-out of the excess Te vacancies. Among the Bi$_{2}$(Te$_{1-x}$Se$_{ x}$)$_{3}$fabricated by mechanical alloying and hot pressing, $Bi_2(Te_{0.85}Se_{0.15})_3$ exhibited a maximum figure-of-merit of 1.92 $\times$ $lO^{-3}$/K.

가압소결온도에 따른 p형 (Bi_0.2Sb_0.8)₂Te₃ 가압소결체의 열전특성

최정열,오태성,Choi, Jung-Yeol,Oh, Tae-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2011 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.18 No.4

p형 $(Bi_{0.2}Sb_{0.8})_2Te_3$ 분말을 기계적 합금화 공정으로 제조하여 가압소결 후 가압소결온도에 따른 열전특성을 분석하였다. 가압소결온도를 $350^{\circ}C$에서 $550^{\circ}C$로 증가시킴에 따라 상온에서 측정한 Seebeck 계수가 237 ${\mu}V/K$에서 210 ${\mu}V/K$로 감소하고 전기비저항이 2.25 $m{\Omega}-cm$에서 1.34 $m{\Omega}-cm$로 감소하였으며, power factor가 $25.0{\times}10^{-4}W/m-K^2$에서 $32.9{\times}10^{-4}W/m-K^2$로 증가하였다. $350{\sim}550^{\circ}C$의 온도범위에서 가압소결한 시편들 중에서, $500^{\circ}C$에서 가압소결한 $(Bi_{0.2}Sb_{0.8})_2Te_3$ 가압소결체가 상온에서 1.09 및 $75^{\circ}C$에서 1.2의 가장 높은 무차원 성능지수를 나타내었다. The p-type $(Bi_{0.2}Sb_{0.8})_2Te_3$ powers were fabricated by mechanical alloying and hot-pressed at temperatures of $350{\sim}550^{\circ}C$. Themoelectric properties of the hot-pressed $(Bi_{0.2}Sb_{0.8})_2Te_3$ were characterized as a function of the hot-pressing temperature. With increasing the hot-pressing temperature from $350^{\circ}C$ to $550^{\circ}C$, the Seebeck coefficient and the electrical resistivity decreased from 237 ${\mu}V/K$ to 210 ${\mu}V/K$ and 2.25 $m{\Omega}-cm$ to 1.34 $m{\Omega}-cm$, respectively. The power factor of the hot-pressed $(Bi_{0.2}Sb_{0.8})_2Te_3$ became larger from $24.95{\times}10^{-4}W/m-K^2$ to $32.85{\times}10^{-4}W/m-K^2$ with increasing the hot-pressing temperature from $350^{\circ}C$ to $550^{\circ}C$. Among the specimens hot-pressed at $350{\sim}550^{\circ}C$, the $(Bi_{0.2}Sb_{0.8})_2Te_3$ hot-pressed at $500^{\circ}C$ exhibited the maximum dimensionless figure-of-merit of 1.09 at $25^{\circ}C$ and 1.2 at $75^{\circ}C$.

칩 스택 패키지에 적용을 위한 Rotating Disc Electrode의 회전속도에 따른 Cu Via Filling 특성 분석

이광용,오태성,Lee, Kwang-Yong,Oh, Tae-Sung 한국마이크로전자및패키징학회 2007 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.14 No.3

칩 스택 패키지에 적용을 위해 폭 $75{\sim}10\;{\mu}m$, 길이 3mm의 트랜치 비아에 대해 도금전류밀도 및 rotating disc electrode(RDE)의 회전속도에 따른 Cu filling 특성을 분석하였다. RDE 속도가 증가함에 따라 트랜치 비아의 Cu filling 특성이 향상되었다. 트랜치 비아의 반폭 길이, 즉 트랜치 비아 폭의 1/2 길이와 이 트랜치 비아에 대해 95% 이상의 Cu filling 비를 얻기 위한 RDE 최소속도 사이에는 Nernst 관계식이 성립하여, 95%이상의 Cu filling비를 얻을 수 있는 최소 트랜치 비아의 반폭 길이는 RDE 속도의 제곱근의 역수에 직선적으로 비례하였다. For chip-stack package applications, Cu filling characteristics into trench vias of $75{\sim}10\;{\mu}m$ width and 3 mm length were investigated with variations of the electroplating current density and the speed of a rotating disc electrode (RDE). Cu filling characteristics into trench vias were improved with increasing the RDE speed. There was a Nernst relationship between half width of trench vias of Cu filling ratio higher than 95% and the minimum RDE speed, and the half width of trenches with 95% Cu filling ratio was linearly proportional to the reciprocal of root of the minimum RED speed.