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백색 LED의 특성에 대한 ZnS:Mn, Dy 황색 형광체의 영향
신덕진,유일,Shin, Deuck-Jin,Yu, Il 한국재료학회 2011 한국재료학회지 Vol.21 No.6
ZnS:Mn, Dy yellow phosphors for White Light Emitting Diode were synthesized by a solid state reaction method using ZnS, $MnSO_4{\cdot}5H_2O$, S and $DyCl_3{\cdot}6H_2O$ powders as starting materials. The mixed powder was sintered at $1000^{\circ}C$ for 4 h in an air atmosphere. The photoluminescence of the ZnS:Mn, Dy phosphors showed spectra extending from 480 to 700 nm, peaking at 580 nm. The photoluminescence of 580 nm in the ZnS:Mn, Dy phosphors was associated with $^4T_1{\rightarrow}^6A_1$ transition of $Mn^{2+}$ ions. The highest photoluminescence intensity of the ZnS:Mn, Dy phosphors under 450 nm excitation was observed at 4 mol% Dy doping. The enhanced photoluminescence intensity of the ZnS:Mn, Dy phosphors was explained by energy transfer from $Dy^{3+}$ to $Mn^{2+}$. The CIE coordinate of the 4 mol% Dy doped ZnS:Mn, Dy was X = 0.5221, Y = 0.4763. The optimum mixing conditions for White Light Emitting Diode was obtained at the ratio of epoxy : yellow phosphor = 1:2 form CIE coordinate.
볼밀시간에 의한 WO<sub>3</sub>:In<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 가스센서의 감응특성
신덕진,유윤식,박성현,유일,Shin, Deuck-Jin,Yu, Yun-Sik,Park, Sung-Hyun,Yu, Il 한국재료학회 2011 한국재료학회지 Vol.21 No.6
[ $WO_3$ ]powders were ball-milled with an alumina ball for 0-72 hours. $In_2O_3$ doped $WO_3$ was prepared by soaking ball-milled $WO_3$ in an $InCl_3$ solution. The mixed powder was annealed at $700^{\circ}C$ for 30 min in an air atmosphere. A paste for screen-printing the thick film was prepared by mixing the $WO_3$:In2O3 powders with ${\alpha}$-terpinol and glycerol. $In_2O_3$ doped $WO_3$ thick films were fabricated into a gas sensor by a screen-printing method on alumina substrates. The structural properties of the $WO_3$:$InO_3$ thick films were a monoclinic phase with a (002) dominant orientation. The particle size of the $WO_3$:$InO_3$ decreased with the ball-milling time. The sensing characteristics of the $In_2O_3$ doped $WO_3$ were investigated by measuring the electrical resistance of each sensor in the test-box. The highest sensitivity to 5 ppm $CH_4$ gas and 5 ppm $CH_3CH_2CH_3$ gas was observed in the ball-milled $WO_3$:$InO_3$ gas sensors at 48 hours. The response time of $WO_3$:$In_2O_3$ gas sensors was 7 seconds and recovery time was 9 seconds for the methane gas.
신덕진(Duck-Jin Shin),이지영(Ji-Young Lee),유윤식(Yun-sik Yu),유일(Il Yu),이돈규(Donkyu Lee) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.11
가스 감지물질로 ZnO, SnO₂, TiO₂, WO₃등 금속산화물 반도체 센서가 연구되었다. 그 중 WO₃는 가연성 가스 및 유독가스에 대한 감도가 우수한 것으로 알려져 있다. WO₃에 SnO₂, ZnO, TiO₂ 등을 첨가하여 감지특성을 향상시키는 연구도 진행 되었다. 본 연구에서는 WO₃-CuO 센서를 제조하여 CuO 농도변화 및 미세구조 변화에 의한 특성을 고찰하기 위하여 열처리 온도를 변화시켰다. 출발물질은 WO₃(Kojundo, 99.9%)와 CuO(dae jung)를 사용하였다. CuO의 농도를 0~8wt% 변화시켜 증류수에 녹인 후 교반된 WO₃와 혼합하여 암모니아를 2~3방울 떨어뜨린 후 10분간 교반 하였다, 그 후 80℃, 8시간동안 오븐건조하여 얻어진 WO₃-CuO 분말을 얻었고 500℃~700℃에서 30분간 열처리 하여 감지물질을 제조하였다. 소자는 제조된 감지물질과 유기용제를 6:4비율로 혼합한 페이스트를 전극이 입혀진 알루미나 기판위에 스크린프린팅 법으로 제조하였다. 농도 및 열처리 온도에 따른 미세구조 변화 및 특징을 SEM과 XRD등으로 측정 하였고, H₂S, CO₂ 가스에 대한 전기적 특성을 조사하였다.
신덕진(Duck-Jin Shin),이지영(Ji-Young Lee),정종훈(Jong-Hun Jung),유윤식(Yoon-Sick Yu),유일(Il Yu),이돈규(Donkyu Lee) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.7
휘발성 가스 및 유독가스에 높은 감도를 가지는 WO₃후막센서를 스크린프린팅법으로 제작하였다. 감지물질은 WO₃분말을 알루미나 볼로 시간에 따라 볼밀 하여 6wt% In을 첨가하여 감지물질을 제조하였다. 입자의 결정구조는 볼밀 시간에 관계없이 monoclinic구조가 나타났고, 볼밀시간이 증가 할수록 결정성이 감소하는것을 확인하였다. 볼밀시간이 길어질수록 WO₃입자의 크기는 작아져 72시간 볼밀 한 경우 약 200 ㎚였다.
CuO가 첨가된 WO<sub>3</sub>-SnO<sub>2</sub> 후막 가스센서 특성 연구
이돈규,신덕진,유일,Lee, Don-Kyu,Shin, Deuck-Jin,Yu, Il 한국전기전자재료학회 2010 전기전자재료학회논문지 Vol.23 No.12
CuO doped $WO_3-SnO_2$ thick film gas sensors were fabricated by screen printing method on alumina substrates and heat-treated at $350^{\circ}C$ in air. The effects of mixing ratio of $WO_3$ with $SnO_2$ on the structural and morphological properties of $WO_3-SnO_2$ were investigated X-ray diffraction and Scanning Electron Microscope. The structural properties of the $WO_3-SnO_2$:CuO thick film by XRD showed that the monoclinic of $WO_3$ and the tetragonal of $SnO_2$ phase were mixed. Nano CuO was coated on the $WO_3-SnO_2$ surface and then the surface of $WO_3$ was coated with $SnO_2$ particles with $1\sim1.5{\mu}m$ in diameters, as confirmed form the SEM image. The sensitivity of the $WO_3-SnO_2$:CuO sensor to 2000 ppm $CO_2$ gas and 50 ppm $H_2S$ gas for the various ratio of $WO_3$ and $SnO_2$ was investigated. The 4 wt% CuO doped $WO_3-SnO_2$(75:25) tkick films showed the highest sensitivity to $CO_2$ gas and $H_2S$ gas.
CuO가 첨가된 WO3-SnO2 후막 가스센서 특성 연구
이돈규,신덕진,유일 한국전기전자재료학회 2010 전기전자재료학회논문지 Vol.23 No.12
CuO doped WO3-SnO2 thick film gas sensors were fabricated by screen printing method on alumina substrates and heat-treated at 350℃ in air. The effects of mixing ratio of WO3 with SnO2 on the structural and morphological properties of WO3-SnO2 were investigated X-ray diffraction and Scanning Electron Microscope. The structural properties of the WO3-SnO2:CuO thick film by XRD showed that the monoclinic of WO3 and the tetragonal of SnO2 phase were mixed. Nano CuO was coated on the WO3-SnO2 surface and then the surface of WO3 was coated with SnO2 particles with 1~1.5 ㎛ in diameters, as confirmed form the SEM image. The sensitivity of the WO3-SnO2:CuO sensor to 2000 ppm CO2 gas and 50 ppm H2S gas for the various ratio of WO3 and SnO2 was investigated. The 4 wt% CuO doped WO3-SnO2(75:25) tkick films showed the highest sensitivity to CO2 gas and H2S gas.
이지영(Ji-Young Lee),신덕진(Duck-Jin Shin),이돈규(Donkyu Lee),유일(Il Yu) 대한전기학회 2009 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2009 No.11
Cu와 In이 침가된 SnO₂ 후막형 가스센서는 감지물질로 SnO₂(Kojundo, 순도 99.9%, 입자 1㎛), 촉매로 Cu(Dae jung), In(Aldrich, 순도 98%) 사용하였다. SnO₂:Cu, In은 분말을 80℃에서 8시간 건조 후, 열처리 온도를 500, 600, 700℃까지 변화 시켜 SnO₂:Cu, In 분말을 얻었다. SnO₂:Cu, In 가스센서용 감지물질은 알루미나 기관에 스크린 프린터를 이용하여 후막으로 제조하였고, 열처리 온도에 따른 특성을 XRD, SEM등을 측정을 하였다. CO₂가스 2000ppm에 대한 감도를 측정한 결과 Cu의 농도가 8 wt% 첨가된 경우 감도가 가장 높은 것을 확인 할 수 있었다.
입자크기에 따른 SnO₂:Ni 가스센서의 감응 특성 : Effect of the particle size of SnO₂: Ni on properties of gas sensors
이지영(Ji-Young Lee),신덕진(Duck-Jin Shin),정종훈(Jong-Hun Jung),유윤식(Yoon-Sick Yu),유일(Il Yu) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.7
Ni 8 wt% 첨가된 SnO₂ 후막형 가스센서용 감지물질을 입자 크기에 따라 제조하였다. 입자 크기에 따른 SnO₂:Ni 분말은 80 ℃에서 8시간 건조 후, 500 ℃에서 3시간 열처리 하여 입자 크기에 따른 SnO₂:Ni 분말을 얻었다. SnO₂:Ni 가스센서용 감지물질은 알루미나 기판에 스크린 프린터를 이용하여 후막으로 제조하였고, 입자 크기 변화에 따른 특성을 XRD, SEM 그리고 가스 감도 등을 측정을 하였다.
유일(Il Yu),이돈규(Don-kyu Lee),신덕진(Deuck-Jin Shin),유윤식(Yoon-Sik Yu) 대한전기학회 2010 전기학회논문지 Vol.59 No.9
Recently, due to increase in the usage of toxic gas and inflammability gas, the ability to monitor and precisely measurement of these gases is crucial in preventing the occurrence of various accidents. CuO doped and undoped WO3 thick films gas sensors were prepared using screen-printing method on alumina substrates. A structural properties of WO₃:CuO thick films had monoclinic phase and triclinic phase of WO₃ together. Sensitivity of WO₃:CuO sensor at 2000 ppm of CO₂ gas and 50 ppm of H2S gas was investigated. 4 wt% Cu doped WO₃ thick films had the highest sensitivity of CO₂ gas and H₂S gas.