http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
X-대역 SiGe HBT MMIC 이중 평형형 상향 주파수 혼합기 개발
채규성,서정욱,김창우 경희-다반 ASIC 설계교육센터 2005 경희-다반 ASIC센터 논문집 Vol.6 No.-
SiGe HBT를 이용하여 X-band에 적용할 수 있는 두가지 형태의 상향 주파수 혼합기를 설계 및 제작하였다. 상향 주파수 혼합기는 Gilbert-cell 구조를 이용하여 LO 및 IF balun을 포함한 이중 평형형 형태로 설계하였으며, 일반적인 Gilbert-cell 구조와 선형성 향상을 위한 degeneration resistor를 삽입한 두가지 형태의 IC를 설계 및 제작하였다. 제작된 이중 평형형 상향 주파수 혼합기는 degeneration resistor를 삽입한 경우,0 to RF 변환 특성 측정 결과, 8.0 GHz의 -5 dBm LO 신호 및 100 MHz IG 신호 입력시, 10.5 dB의 IF to RF 선형 변환 이득과 -10.5 dBm의 Pl-dB RF 출력 전력을 나타내었다. 또한 일반적인 Gilbert-cell 구조를 이용한 상향 주파수 혼합기는, IF to RF 변환 특성 측정 결과, 8.0 GHz의 -5 dBm LO 신호 및 100 MHz IF 신호 입력시, 15.8 dB의 IF to RF 선형 변환 이득과 -14.5 dHm의 P_(1-dB) RF 출력 전력을 나타내었다. 따라서, degeneration resistor를 이용한 이중 평형형 상향 주파수 혼합기가 약 4 dBm의 선형성 개선 효과를 나타내었다.