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서영훈 ( Y. H. Seo ),남기석 ( K. S. Nahm ),서은경 ( E. K. Suh ),이영희 ( Y. H. Lee ) 한국공업화학회 1992 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.1992 No.0
Si은 지금까지는 그것의 간접천이형 특성 때문에 빛을 효율성있게 내는 것이 어려워 발광소자로 이용되기가 불가능한 재료로 알려져 왔다. 그러나 영국의 Canham 그룹이 미국 응용물리학회지(Applied Physics Letters)에 다공질 Si으로 부터 고효율 적생광 발광을 처음으로 보고한 이래 1991년 프랑스의 Grenoble대학, 미국의 AT&T 및 IBM 연구그룹들이 각기 이 현상의 재현성을 실험적으로 확인함으로서 광소자 재료로서 Si 반도체의 이용 가능성을 시사하였다. 그 이후 1991년 12월에 열린 미국 재료학회(Materials Research Society)와 1992년 3월에 개최된 미-일 물리학회에서 발광 Si에 관한 수십편의 논문이 발표되고 있어, 초기단계 이기는 하지만 발광 Si의 연구가 가속화되고 있는 실정이다. 이러한 이유로 발광 다공성 Si의 생성기구, 발광기구 및 구조 등에 관해서는 분명한 결론이 내려지지 못한 실정이다. 본 연구에서는 HF수용액 속에서 p형 Si기판을 양극반응(anodization)시켜 다공성 Si(PSL: porous silicon layer)을 제조하여 PL(photoluminescence)와 Raman측정을 하여 PSL의 발광특성과 구조를 조사하였다. 또한 IR을 이용하여 PSL표면에 결합된 수소의 결합상태와 porosity를 측정하여 PSL의 발광기구를 규명하고자 노력하였다. 그 결과 PL peak는 1.8 eV 근처에서 보였으며, 그 강도는 5 K에서 얻은 GaAs의 PL 강도와 거의 같았다.
Elecrtinic Raman scattering in Cd_1-x C0_xSe
Bartholomew, D. U.,Suh, E. K.,Remdas, A. K.,Rodriguez, S.,Debeska, U.,Furdyna, J. K. 全北大學校 基礎科學硏究所 1991 基礎科學 Vol.14 No.1
The Raman spectrum of the diluted magnetic semiconductor Cd_(1-x)Co_xSe(x=0.035 and 0.082) exhibits a line(W_PM) associated with the transition between the Zeeman-split orbital Γ_2 ground-state levels of Co^2+ and is characterized by g=2.32. Below 20 K, this Raman peak shifts to higher frequencies, signaling the onset of magnetic ordering. At low temperatures, spin-flip Raman scattering from electrons bound to shallow donors(W_SF) is observed. The Raman shift as a function of magnetic field and temperature shows a large s-d exchange interaction(αN_O=320meV) and clear evidence of a bound magnetic polaron. Evidence of magnetic ordering at low temperatures, indicated by the temperature dependence of W_PM, and the large antiferromagnetic temperature(T_AF)required to fit the temperature and magnetic-field dependence of W_SF, indicate a significantly larger Co^2+-Co^2+ antiferromagnetic coupling than is the case for Mn^2+-Mn^2+ in, for example, Cd_(1-x)Mn_xSe.