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박재규,한상필,김성일,송민협,김기수,Park, J.,Han, S.P.,Kim, S.,Song, M.,Kim, K.S. 한국전자통신연구원 2021 전자통신동향분석 Vol.36 No.3
Recently, LNOI photonics technology has attracted attention as a photonics platform capable of integrating ultra-high-speed, low power consumption, and high nonlinearity optical devices, as it is possible to manufacture LiNbO<sub>3</sub> optical waveguides with ultra-low optical loss and a radius of curvature of several tens of micrometers. Here, we will briefly compare various photonics platforms, such as Si, InP, SiN, and LNOI, describe the current research trends of LNOI photonics, and discuss the direction of photonics technology at the conclusion.
P 변조도핑한 In(Ga)As/InGaAsP 양자점에 대한 운반자 동역학
장유동,박재규,이동한,홍성의,오대곤,Jang, Y.D.,Park, J.,Lee, D.,Hong, S.U.,Oh, D.K. 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.3
P-modulation doping된 In(Ga)As/InGaAsP 양자점에서의 decay time 특성을 undoped 양자점 시료와의 비교를 통해 살펴보았다. 10 K 에서의 photoluminescence (PL) 세기는 doping 된 양자점이 doping되지 않은 양자점에 비해 약 10배 정도 약하게 나왔다. 또한 Time resolved PL (TR-PL) 실험을 통해 얻은 양자점 시료의 기저상태 PL peak 에서의 decay time은 doping된 양자점이 doping 되지 않은 양자점에 비해 매우 짧게 나왔다. 이러한 PL 세기와 decay time 특성을 통해서 본 연구에서 측정한 doping 된 양자점의 경우에는 doping에 의해 결함이 증가하게 되고, 그로 인해 운반자의 비발광 경로가 증가하게 되어 doping 된 양자점의 경우에 decay time이 짧게 나타나는 것으로 분석하였다. We have investigated optical properties of p-modulation doped In(Ga)As quantum dots (QDs) on InP substrate with a comparison with the undoped QDs. Photoluminscence (PL) intensity of doped QDs at 10 K was about 10 times weaker than that of undoped QD sample. The decay time of doped QD sample at its PL peak, obtained from the time-resolved PL (TR-PL) experiment at 10 K, was very fast compared to that of undoped sample. We interpret that this fast decay time of the doped QD sample comes from the addition of non-radiative recombination paths, which are originated from the doping-related defects.