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고분해능 투과전자현미경을 이용한 $\textrm{Pb}\textrm({Mg}_{1/3}\textrm{Nb}_{2/3})\textrm{O}_3$고용체의 미세구조 연구
박경순,Park, Gyeong-Sun 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.6
고분해능 전자현미경과 컴퓨터 이미지 시뮬레이션이 La이 첨가되고 또한 첨가되지 않은 Pb(Mg/ sub 1/3/Nb$_{2}$3/)O$_{3}$고용체의 미세구조를 연구하기 위해서 사용되었다. 불규칙격자 영역의 격자 이미지는 정방정 형태와 유사 육방정 형태를 각각 보였다. 규칙격자 영역에서 Mg과 Nb의 비화학양론적인 규칙격자 구조 현상이 <111>방향에 따라 관찰되었다. 실험 격자 이미지와 컴퓨터 시뮬레이션 이미지의 비교로부터, 규칙격자 구조를 가지는 영역의 장거리 규칙도는 0.2-0.7의 값을 가지고 있었고, 또한 규칙격자는 (NH$_{4}$)$_{3}$FeF$_{6}$결정구조를 가지고 있었다. 작은 값의 장거리 규칙도를 가지는 규칙격자를 가지는 영역에서, 변형률 파형이 관찰되지 않았다. 이것은 대부분 두 양이온이 그들의 위치에 있기 때문에, 원자 변위가 없었기 때문이다.
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박경순,Park, Gyeong-Sun Materials Research Society of Korea 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.9
MBE에 의해 성장된 Zn$_{1-x}$ Fe$_{x}$Se박막의 미세구조가 고분해능 투과전자현미경에 의해 연구되었다.Zn$_{1-x}$ Fe$_{x}$Se 박막에서 CuAu-l과 CuPt의 규칙격자가 발견되었다. 이 규칙격자는 전자 회절과 단면 고분해능 격자 이미지에 의해 조사되었다.CuAu-l규칙격자는 (001)InP기판 위에 성장된 Zn$_{1-x}$ Fe$_{x}$Se(x=0.43)에서 관찰되었고, 반면에 CuPt규칙격자는 (001)GaAs기판 위에 성장된 Zn$_{1-x}$ Fe$_{x}$Se(x=0.43)에서 관찰되었다.43)에서 관찰되었다.
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박경순,차은종,Park, Kyung-Soon,Cha, Eun-Jong 대한의용생체공학회 2011 의공학회지 Vol.32 No.1
Blood glucose information is important for self regulation in daily life, but the frequency of self test remains to be only 17%(9 tests/month) in Korea, mainly due to pain during blood sampling. The present study tried to validate the clinical efficacy of the forearm as an alternative sampling site with minimized pain. Capillary blood was sampled both on the index finger($G_F$) and the forearm($G_A$), immediately followed by glucose measurements in 531 subjects, 25 who visited the Health Enhancement Center of C University Hospital, then venous blood($G_V$) was sampled for glucose test. The blood glucose concentration measured on the forearm was closer to the venous glucose than on the finger. The mean difference between $G_V$and $G_F$ was only 10 mg/dL well within the internationally accepted error limit. Error grid analyses of $G_F-G_V$, $G_A-G_V$ and $G_A-G_F$ revealed that the number of data points in regions A and B took 100%, 99.8%, and 97.9%, respectively. These results demonstrate the forearm blood glucose test is not only accurate but also clinically valid. Therefore, the forearm blood glucose test can be a useful way of self managing the chronic diabetes with minimized sampling pain.
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박경순,최만수,Park, Gyeong-Sun,Choe, Man-Su 대한기계학회 1997 大韓機械學會論文集B Vol.21 No.1
An analysis of unsteady heat and mass transfer in the Modified Chemical Vapor Deposition has been carried out including the effects of chemical reaction and variable properties. It was found that commonly used quasi-steady state assumption could be used to predict overall efficiency of deposition, however, the assumption would not provide detailed deposition profile. The present unsteady calculations of wall temperature profile and deposition profile have been compared with the existing experimental data and were in good agreement. The effects of variable torch speed were studied. Linearly varying torch speed case until time=120s resulted in much shorter tapered entry than the constant torch speed case.
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Microstructure of Intermixed $Zn_{1-x}Fe_xSe$ Alloys in (ZnSe/FeSe) Superlattices
박경순,Park, Kyeong-Soon Korean Society of Electron Microscopy 1997 Applied microscopy Vol.27 No.3
(001) GaAs 기판 위에 성장된 (ZnSe/FeSe) 초격자의 구성층 사이에 상호확산으로 형성된 $Zn_{1-x}Fe_xSe$ 의 미세구조가 고분해능 투과전자현미경과 컴퓨터 이미지 시뮬레이션에 의해 연구되었다. 컴퓨터 이미지 시뮬레이션은 multislice 방법으로 여러 시편 두께와 초점 거리에서 실시되었다. 컴퓨터 시뮬레이션에 의해 얻은 이미지는 실험에 의해 얻은 이미지와 비교되었다. 또한, CuAu-I 형태 규칙화가 $Zn_{1-x}Fe_xSe$ 상호화산층에서 일어났다. 이 CuAu-I 형태 규칙격자는 <100>과 <110> 방향에 따라서 ZnSe와 FeSe 층이 교대로 구성되어 있다. The microstructure of intermixed $Zn_{1-x}Fe_xSe$ layers in the (ZnSe/FeSe) superstrates grown on (00l) GaAs substrates has been investigated by high -resolution transmission electron microscopy and computer simulations of lattice images. Computer image simulations have been performed by the multislice method under various sample thicknesses and defocusing conditions. The simulated lattice images were compared with the experimental lattice images. Also, CuAu-I type ordering was often observed in the intermixed $Zn_{1-x}Fe_xSe$ alloys. This CuAu-I type ordered structure consists of alternating ZnSe and FeSe monolayers along the <100> and <110> directions.
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박경순,서해준,윤상일,조태원,Park Kyung-Soon,Seo Hae-Jun,Yoon Sang-Il,Cho Tae-Won 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.8
프리스케일러는 PLL(Phase Locked Loop)의 동작속도를 결정하는 중요한 부분으로서 저전력의 요구조건 또한 만족해야 한다. 따라서 프리스케일러에 적용되는 TSPC(True single pulse clocked) D-플립플롭의 설계가 중요하다. 기존의 TSPC D-플런플롭은 출력단의 글리치(glitch) 문제와 클럭의 프리차지(precharge)구간에서 내부노드의 불필요한 방전으로 인한 소비전력이 증가하는 단점이 있다. 본 논문에서는 프리차지와 방전을 위한 클럭 트랜지스터 패스를 공유함으로서 클럭 트랜지스터의 수를 감소시켰고, 입력 단에 PMOS 트랜지스터를 추가하여 프리차지 구간동안의 불필요한 방전을 차단함으로서 소비전력을 최소화하였다. 또한 출력 단에 mos 트랜지스터를 추가함으로서 글리치 문제를 제거했고, 안정적인 동작을 하는 TSPC D-플립플롭을 제안하였다. 제안된 D-플립플롭을 프리스케일러에 적용시켜 검증한 결과 3.3V에서의 최대동작주파수는 2.92GHz, 소비전력은 10.61mw로 기존의 회로$^[6]$와 비교하였을 때 PDP(Power-Delay-Product) 측면에서 $45.4\%$의 개선된 결과를 얻었다. An prescaler which uses PLL(Phase Locked Loop) must satisfy high speed operation and low power consumption. Thus the performance or TSPC(True Single Phase Clocked) D-flip flops which is applied at Prescaler is very important. Power consumption of conventional TSPC D-flip flops was increased with glitches from output and unnecessary discharge at internal node in precharge phase. We proposed a new D-flip flop which reduced two clock transistors for precharge and discharge Phase. With inserting a new PMOS transistor to the input stage, we could prevent from unnecessary discharge in precharge phase. Moreover, to remove the glitch problems at output, we inserted an PMOS transistor in output stage. The proposed flip flop showed stable operations as well as low power consumption. The maximum frequency of prescaler by applying the proposed D-flip flop was 2.92GHz and achieved power consumption of 10.61mw at 3.3V. In comparison with prescaler applying the conventional TSPC D-flip $flop^[6]$, we obtained the performance improvement of $45.4\%$ in the view of PDP(Power-Belay-Product).
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투과전자현미경에 의한 $\textrm{Zn}_{1-x}\textrm{Co}_{x}\textrm{Se}$박막 및 (ZnSe/FeSe) 초격자 박막의 미세구조 분석
박경순,Park, Gyeong-Sun 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.10
MBS에 의해(001)GaAs기판 위에 성장된 Zn$_{1-x}$Co$_{x}$Se(x=1.0, 7.4, 9.5 %)반도체 박막과 (ZnSe/FeSe)반도체 초격자 박막의 미세구조를 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. Zn$_{1-x}$Co$_{x}$Se 박막 시편의 경우, 박막과 기판 사이의 격자 불일치때문에 a/2<110>형태의 버거즈 벡터를 가지는 부정합 전위를 관찰하였다. 모든 Zn$_{1-x}$Co$_{x}$Se 박막과 기판의 계면은 뚜렷이 구별되었고, 계면에서 산화물이나 이물질이 존재하지 않았다. 또한, (ZnSe/FeSe)초격자를 성장시키기 전에 GaAs기판 위에 ZnSe바닥층을 넣음으로써 고품질의 (ZnSe/FeSe)초격자를 얻었다. (ZnSe/FeSe)초격자에 있는 FeSe는 섬아연광 결정구조로 존재하였다.
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