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60 nm 와 20 nm 두께의 수소화된 비정질 실리콘에 따른 저온 니켈실리사이드의 물성 변화
김종률,박종성,최용윤,송오성,Kim, Joung-Ryul,Park, Jong-Sung,Choi, Young-Youn,Song, Oh-Sung 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.6
ICP-CVD를 사용하여 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)을 60 nm 또는 20 nm 두께로 성막 시키고, 그 위에 전자총증착장치(e-beam evaporator)를 이용하여 30 nm Ni 증착 후, 최종적으로 30 nm Ni/(60 또는 20 nm a-Si:H)/200 nm $SiO_2$/single-Si 구조의 시편을 만들고 $200{\sim}500^{\circ}C$ 사이에서 $50^{\circ}C$간격으로 40초간 진공열처리를 실시하여 실리사이드화 처리하였다. 완성된 니켈실리사이드의 처리온도에 따른 면저항값, 상구조, 미세구조, 표면조도 변화를 각각 사점면저항측정기, HRXRD, FE-SEM과 TEM, SPM을 활용하여 확인하였다. 60 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $400^{\circ}C$이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. 반면 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $300^{\circ}C$이후부터 저온공정이 가능한 면저항값을 보였다. HRXRD 결과 60 nm 와 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 열처리온도에 따라서 동일한 상변화를 보였다. FE-SEM과 TEM 관찰결과, 60 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 저온에서 고저항의 미반응 실리콘이 잔류하고 60 nm 두께의 니켈실리사이드를 가지는 미세구조를 보였다. 20 nm a-Si:H 기판위에 형성되는 니켈실리사이드는 20 nm 두께의 균일한 결정질 실리사이드가 생성됨을 확인하였다. SPM 결과 모든 시편은 열처리온도가 증가하면서 RMS값이 증가하였고 특히 20 nm a-Si:H 기판 위에 생성된 니켈실리사이드는 $300^{\circ}C$에서 0.75 nm의 가장 낮은 RMS 값을 보였다. 60 nm and 20 nm thick hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) layers were deposited on 200 nm $SiO_2$/single-Si substrates by inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD). Subsequently, 30 nm-Ni layers were deposited by an e-beam evaporator. Finally, 30 nm-Ni/(60 nm and 20 nm) a-Si:H/200 nm-$SiO_2$/single-Si structures were prepared. The prepared samples were annealed by rapid thermal annealing(RTA) from $200^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$ in $50^{\circ}C$ increments for 40 sec. A four-point tester, high resolution X-ray diffraction(HRXRD), field emission scanning electron microscopy(FE-SEM), transmission electron microscopy(TEM), and scanning probe microscopy(SPM) were used to examine the sheet resistance, phase transformation, in-plane microstructure, cross-sectional microstructure, and surface roughness, respectively. The nickel silicide from the 60 nm a-Si:H substrate showed low sheet resistance from $400^{\circ}C$ which is compatible for low temperature processing. The nickel silicide from 20 nm a-Si:H substrate showed low resistance from $300^{\circ}C$. Through HRXRD analysis, the phase transformation occurred with silicidation temperature without a-Si:H layer thickness dependence. With the result of FE-SEM and TEM, the nickel silicides from 60 nm a-Si:H substrate showed the microstructure of 60 nm-thick silicide layers with the residual silicon regime, while the ones from 20 nm a-Si:H formed 20 nm-thick uniform silicide layers. In case of SPM, the RMS value of nickel silicide layers increased as the silicidation temperature increased. Especially, the nickel silicide from 20 nm a-Si:H substrate showed the lowest RMS value of 0.75 at $300^{\circ}C$.
환경정책 - 생물다양성 보전 및 지속가능한 이용 정책과 방향
김종률,Kim, Jong-Ryul 환경보전협회 2014 환경정보 Vol.411 No.-
환경부에서는 지난 3월 제3차 국가 생물다양성 전략을 수립하였다. 2050년까지 "생물다양성을 풍부하게 보전하여 지속가능하게 이용할 수 있는 대한민국을 구현"하는 장기 비전과, 2020년까지 "생물다양성 보전과 생태가치 제고를 통한 창조경제 견인"하는 중기 비전을 정하고, 이를 달성하기 위하여 6대 전략과 18개 실천목표를 마련하였다.
김종률,Kim, Jong-Ryul 한국정보통신집흥협회 1997 정보화사회 Vol.111 No.-
인터넷(Internet)은 세계 최대의 공공 전산망이다. 즉 약 5만개의 네트워크가 결합되어 있으며 여기에는 약 400만대의 주전산기가 연결되어 각종 정보를 제공하고 있다. 이러한 인터넷은 정보의 산실로서 약 5,000만명의 사용자가 이를 이용하고 있다. 인터넷의 성장세는 연 100%를 능가하며, 가히 폭발적인 증가를 하고 있다.
김종률,Kim, Jong-Ryul 한국정보통신집흥협회 2001 정보화사회 Vol.149 No.-
전화를 거는 발신자의 전화번호를 통화 전에 수신자 전화기의 액정화면에 표시해주는 발신자표시(CID: Caller ID)서비스가 국내에서도 도래했다. 한국통신, 하나로통신 등 유선 전화사업자 및 SK텔레콤, 한통프리텔, LG텔레콤 등 이동전화 사업자들은 지난 4월 1일부터 일제히 발신번호표시 시범서비스를 개시했다. 사업자들은 시범서비스에 이어 5월부터 상용화에 돌입한다는 방침이다.