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C²-DLTS system제작 및 Sn-doped GaAs의 Deep Level
임재영,강태원,홍치유,김문덕 동국대학교 자연과학연구소 1987 자연과학연구 논문집 Vol.7 No.-
Personal computer를 사용하여 C²-DLTS장치를 자체제작하였다. 이 장치에서 data acqusition을 위한 interface는 12bit A/D converter를 사용하였으며, 시료의 bias전압 조정은 pulse qenerator 대신 D/A converter를 이용하였다. 한편 data processing, rate window, pulse height pulse width는 computer로 조절하였다. 이 장치를 이용하여 MBE로 성장한 Sn doped GaAs의 deep level을 조사하여 본 결과 활성화에너지가 0.75eV이며 포획단만적이 σ=1.4910cm²인 electrom trap이 나타났다. A simple high-performance personal computer-based apparatus for C²-DLTS measurements was wet up. In this wywtem, the intervace for the data acquisition was built by use of 12-bit A/D converter and the control of bias pulse to the sample was done through D/A converter instead of pulse generator. Pulse width, pulse height, and rate window as well as data processing arecontrolled by personal computer. As a results of C²-DLTS measurement for Sn-GaAs grown by MBE, we have obtained th activation energy of the electron trap was 0.75eV and the capture cross section was 1.49×10cm² respcetively.
MBE로 성장한 Sn 도프된 GaAs 의 Deep Levels
강태원,김문덕,고정대 동국대학교 자연과학연구소 1986 자연과학연구 논문집 Vol.6 No.-
MBE 방법으로 성장된 Sn-GaAs의 deep level을 personal computer로 동작되는 DLTS 장치를 이용하여 저사하였다. date acquisition을 위한 interface는 12bit A/D converter를 사용하여 제작하였으며 시료의 bias 전압 저정은 pulse generator 대신 D/A converter 를 이용하였다. 그 결과 활성화에너지가 0.79eV 이며 포획ㄷ단면적이 σ=4.4×10?cm²임을 알았다. Deep levels in Sn-doped GaAs grown by MBE were invertigated using the DLTS system in which a personal computer was adoped. The interface for the data acquisition was built by use of 12bit A/D converter and the control of bais pulse to the sample was done throuhg D/A converter instead of pulse generator. As a result we have obtained the activation enerty of the electron trap was 0.79eV, and the capture cross section was 4.4×10?cm²