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Hot - Wall Epitaxy 방법에 의한 ZnSe / GaAs 박막 성장과 특성
정태수(T.S. Jeong),강창훈(C.H. Kang),유평렬(P.Y. Yu) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
Hot-wall epitaxy 방법으로 GaAs(100) 기판위에 고품질의 ZnSe(100) 박막을 성장하였다. 최적 성장 조건에서 성장된 ZnSe 박막은 DCRC 반치폭 값과 성장률이 각각 195 arcsec와 0.03㎛/min 이였다. 광발광 실험으로부터 기판과 박막사이의 격자부정합에 기인한 변형에 의해 분리된 I₂^U와 I₂^L 봉우리를 관측하였고 Al 이나 Cl 등이 박막에 내재된 불순물 준위를 형성함을 알 수 있었다. We have grown a high quality ZnSe(100) epilayer on the GaAs(100) substrate by hot-wall epitaxy method. The FWHM value from double-crystal x-ray diffraction rocking curve and growth rate of the ZnSe epilayer grown under the optimal growth conditions were 195 arcsec and 0.03 ㎛/min, respectively. The I₂^U and I₂^L peaks, which split by strain due to lattice mismatch between substrate and epilayer, were measured from the photoluminescence experiment. And we found that the residual impurities in ZnSe epilayer were concerned with Al or Cl elements from the calculated binding energy of donor impurity.