고온 환경에 노출된 시멘트 경화체의 공극 구조 변화

강승민,나승현,김경남,송명신,Kang, Seung-Min,Na, Seung-Hyun,Kim, Kyung-Nam,Song, Myong-Shin 한국세라믹학회 2015 한국세라믹학회지 Vol.52 No.1

Hardened cement-based materials exposed to the high temperatures of a fire are known to experience change in the pore structure as well as microstructural changes that affect their mechanical properties and tend to reduce their durability. In this experimental investigation, hardened Portland cement pastes were exposed to elevated temperatures of 200, 400, 600, 800, and $1000^{\circ}C$ for 60 minutes, and the resulting damage was studied by thermogravimetry (TG), mercury intrusion porosimetry (MIP) and density measurements. These results revealed that the residual compressive strength is increased at temperatures greater than $400^{\circ}C$ due to a small pore size of 3 nm and/or rehydration of the dehydrated cement paste. However, a loss of the residual strength occurs at temperatures exceeding 500 and $600^{\circ}C$. This can be attributed to the decomposition of hydrates such as portlandite and to an increase in the total porosity.

열처리에 따른 AlN 단결정의 결정성에 관한 연구

강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2017 韓國結晶成長學會誌 Vol.27 No.3

고주파 유도 가열 장치를 이용하여 승화법으로 성장된 AlN 단결정을 질소 분위기 하에서 $1200^{\circ}C$와 $1500^{\circ}C$에서 열처리하였다. 열처리 후 단결정 시편들의 표면을 광학현미경으로 관찰하였으며, DCXRD(Double crystal X-ray Diffractometry)를 이용하여 FWHM(Full width of half maximum) 값을 측정하여 결정성의 변화를 평가하였다. AlN single crystal was thermally treated at $1200^{\circ}C$ and $1500^{\circ}C$ in the ambient gas of nitrogen. AlN single crystal was obtained by sublimation growth process using by a facility having a growth part which was heated by RF (Radio Frequency) induction heating. In this report, the optical microscopic results taken from thermally treated AlN single crystal and FWHM (Full width of half maximum) measured by DCXRD (Double crystal X-ray Diffractometry) were reported.

초고속 IP 라우터를 위한 새로운 포워딩 Lookup 장치

강승민,송재원,Kang, Seung-Min,Song, Jae-Won 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.37 No.1

초고속이면서 소요 메모리의 크기를 극소화한 IP 라우터용 Lookup 알고리즘을 제안하고 성능을 분석하였다. 메모리 크기가 작으므로 고속/고가의 SRAM(10ns)을 사용할 수 있고, 구조가 간단하여 하드웨어로 구현 가능하였다. 본 장치는 1${\sim}$3회의 메모리 접근을 통해 Lookup이 가능하고, IPMA 사이트에서 구한 40,000개의 라우팅 정보를 이용하여 시뮬레이션한 결과 대략 ${\sim}$316KB의 포워딩 테이블용 메모리만이 소요된다. 이때 압축을 수행하는 옵셋 임계치는 8이다. ALTERA EPM7256시리즈에 100MHz 클럭을 이용하여 모사시험한 결과 10ns 접근속도를 가진 SRAM 기준으로 2회의 메모리 접근만으로 Lookup하는 경우 45ns의 접근시간이 소요되며, 3회의 메모리 접근이 필요한 경우는 ${\sim}$177ns의 접근시간이 소요된다. We have proposed and analysed a novel Lookup Algorithm which had a short switching speed and tiny memory size for IP router. This algorithm could simply be implemeted by a hardware with SRAM because of simple structure. This Lookup scheme needs 1${\sim}$3 memory access times. When we simulated with 40,000 routing record obtained from IPMA Website, the maximum memory size of this algorithm was 316KB(the offset threshold for compression algorithm was 8). When we simulated by HDL using ALTERA EPM7256 series and 100MHz clock and SRAM of 10ns access time, the total lookup time was 45ns for two memory access, 175ns for three memory access.

AlN 단결정 성장에 대한 반복 성장성에 관한 연구

강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2018 한국결정성장학회지 Vol.28 No.4

물리기상이동법(Physical Vapor Transport(PVT) method)을 적용하여 질화알루미늄 단결정을 성장하였다. 자체적으로 성장하고 제조한 직경 33 mm 크기의 종자결정을 사용하여 직경 46 mm, 길이 7.6 mm 크기의 벌크단결정을 성장하였으며, 성장 온도는 $1950{\sim}2100^{\circ}C$, 성장 압력은 0.1~1 atm의 범위에서 조절하여 반복 성장을 통하여 성장한 결과를 보고하고자 한다. A large single crystal of AlN was grown by PVT (Physical Vapor Transport) method. The AlN crystal shaped hexagonal of the diameter of about 46 mm and the thickness of 7.6 mm was grown using 33 mm seed crystal which was grown and made by ourselves. We tried to find out repeatable growth possibility for AlN crystal growth and then to evaluate the repeatability of the growth condition of the temperature of $1950{\sim}2100^{\circ}C$ and the ambient pressure of 0.1~1 atm.

무종자결정 상에 성장된 AlN 결정의 형태학적 연구

강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2012 한국결정성장학회지 Vol.22 No.6

대형의 고품질 AlN 단결정은 자외선 LED 및 전력 반도체 소자용으로 중요성이 크다. 그러나, 아직 1인치급의 고품질 단결정에 대해서는 보고된 바가 없다. AlN 성장을 위한 PVT 공정에서는 성장 속도 증가를 위하여 성장 결정의 형상을 고찰하는 것이 매우 중요하다. 본 연구에서는 PVT 공정으로 성장된 AlN 결정의 성장 형태에 대하여 고찰하였다. 광학현미경을 이용하여 결정의 형태와 성장 facet에 대하여 관찰하고, 결정의 성장 습성과 관련하여 고찰하였다. The growth of AlN single crystals of large size and good quality is of prime importance for UV LEDs and power devices applications. However, the crystals having the size of more than 1 inch and high quality have not been reported in the world. In the PVT growth of AlN, the crystal morphology of as grown were important because the preferred orientation of growth of it was evaluated for growth rate increase. In the present study, the AlN single crystals grown by PVT process were evaluated by the side of the growth morphology. Optical microscopic characterization was carried out to observe the shape of the crystals and the growth facets. Furthermore the growth habit of it were discussed by observation of the surface of AlN crystals.

PVT 법으로 성장된 AlN 단결정의 결정상에 관한 연구

강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2014 한국결정성장학회지 Vol.24 No.2

PVT(물리 기상 이동법, Physical Vapor Transport) 법을 적용하여 질화알루미늄(AlN, Aluminum Nitride) 단결정을 성장하였으며, 성장된 결정의 결정성과 성장 온도에 따른 상에 대하여 고찰하였다. 성장된 단결정은 광학현미경을 이용하여 결정의 상을 관찰하였고, 관찰된 결과를 비교 분석하여 본 실험에 적용된 성장 장치에서의 최적의 성장 온도 조건을 설정할 수 있었다. 본 연구에서는 AlN 단결정 성장 결과를 비교 고찰하여 보고하고자 한다. AlN (Aluminum Nitride) crystals were grown by a PVT (Physical Vapor Transport) method and were characterized to phases on the growth temperature. The crystals phase and morphology were analyzed using an optical stereo-microscope and the optimum temperature for the growing was determined. In this report, the characteristics of the AlN crystals grown at various temperatures were reported.

RF 스퍼터링 법에 의한 사파이어 기판상의 ZnO 박막의 성장

강승민,Kang Seung Min 한국결정성장학회 2004 한국결정성장학회지 Vol.14 No.5

ZnO 에피박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF magnetron sputtering 법으로 성장하였다. 박막의 성장속도는 약 0.1~0.2$\mu\textrm{m}$/hr 였으며, 기판온도가 $600^{\circ}C$일 때, 약 400~500nm두께의 단결정상의 박막을 성장할 수 있었다. 성장된 단결정상 박막에 대하여 XRD분석과 TEM을 이용하여 박막의 품질과 미세구조를 평가하였다. ZnO epitaxial films have been grown on a (0001)sapphire substrate by RF magnetron sputtering. The single crystalline ZnO films were grown at the condition of growth rate of about 0.1~0.2 $\mu\textrm{m}$/hr and the substrate temperature of $600^{\circ}C$. The film thickness was about 400~500 nm. The thin film quality and micro-structure have been evaluated by XRD and TEM observation.

PVT 법으로 성장된 AlN 단결정의 열처리 공정에 대한 연구

강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2017 韓國結晶成長學會誌 Vol.27 No.2

AlN 단결정을 $1600{\sim}1800^{\circ}C$의 온도에서 100 torr 이하의 진공하에서 $100^{\circ}C$ 간격으로 열처리하였다. AlN 단결정은 고주파유도가열 방식으로 가열되는 성장부를 갖는 성장장치를 사용하여 PVT법으로 얻어내었다. 단결정 시편들의 표면을 광학현미경으로 관찰하였으며, 성장된 압력 하에서 온도에 따라 형상이 달라짐을 알 수 있었다. 본 연구에서는 광학현미경 관찰 결과를 보고하고자 하며, 열처리 온도가 증가함에 따라 표면의 열에칭이 나타났는데, 이는 작은 에치핏의 형성을 통하여 관찰하였다. AlN single crystal was thermally treated at 1600, 1700 and $1800^{\circ}C$ in the ambient pressure of under 100 torr. AlN single crystal was obtained by PVT (Physial Vapor Transport) method using by a facility having a growth part which was heated by RF (Radio Frequency) induction heating. The single crystal specimens surface was evaluated by optical microscope and it was recognized that their morphology was varied with the heat treatment temperature and a set ambient pressure. In this report, the optical microscopic results were reported. According to the increase of temperature the crystal surface was etched thermally. It was evaluated by appearance of small pits on the crystal surface.

소다석회유리에서 Al₂O₃가 isokom 온도에 미치는 영향

강승민,김창삼,Kang, Seung Min,Kim, Chang-sam 한국결정성장학회 2022 한국결정성장학회지 Vol.32 No.3

The effect of Al₂O₃ on isokom temperatures in soda-lime glass is estimated by comparing calculated isokom temperatures using viscosity model proposed by Lakatos. Substitution of SiO₂ with Al₂O₃ by 0.5 mol% raises the isokom temperatures by 3.1, 3.3, 3.6 and 7.2℃ at the viscosity of log η = 12.3, 10, 6.6 and 1 (Pa·s), respectively. Meanwhile, replacing 0.5 mol% of CaO with Al₂O₃ raises the isokom temperatures by 1.6, 2.3, 4.1 and 17.7℃ at the viscosity of log η = 12.3, 10, 6.6 and 1 (Pa·s), respectively.

PVT(Physical Vapor Transport) 법으로 AlN 결정 성장에서 결정립의 성장 거동에 관한 연구

강승민,Kang, Seung-Min 한국결정성장학회 2016 한국결정성장학회지 Vol.26 No.4

AlN 결정을 PVT(물리 기상 이동법, Physical Vapor Transport) 법으로 성장함에 있어 결정립의 성장 거동을 관찰하였다. 작은 AlN 결정립이 성장한 이후 결정립들은 이웃한 결정립과 합쳐지면서 성장하는 거동을 보였다. 이를 실체현미경을 이용하여 관찰한 결과를 보고하고자 한다. It was observed that the single grain of crystallite growth behavior in AlN (Aluminum Nitride) single crystal growth by PVT (Physical Vapor Transport) method. The single grain of AlN was grown in sequent experiments and adjacent crystallites were joined together after small grain was grown. The sequential results of those grains observed by stereoscopic microscope were reported.