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FB-ZVT PWM 컨버터의 환류구간 손실저감을 위한 보조회로
윤창선(Chang-Sun Yun),강종현(Jong-Hyun Kang),김광헌(Kwang-Heon Kim) 전력전자학회 1999 전력전자학술대회 논문집 Vol.- No.-
In this paper proposes a FB(full bridge) ㆍ<br/> DC-DC converter which uses a saturable reactor, instead of two additional switches, to achieve zero voltage switching. And, the conventional high frequency phase shifted full bridge ZVT (zero voltage transition) DC-DC converter has a disadvantage that a circulating current flows through high frequency transformer and switching devices during the free-wheeling interval. Due to this circulating current, conduction loss increases. In order to reduce such the loss as this, proposes circuit of reducing conduction loss at the secondary side of transformer. The operation principles are explained in detail and the several interesting simulations and experimental results verify the validity of the proposed circuit.
퍼지이론을 적용한 최적 인덕터 설계 파라미터 선정에 관한 연구
윤창선(Chang-Sun Yun),배동관(Dong-Kwan Bae),김광헌(Kwang-Heon Kim),이재신(Jae-Sin Lee),김병철(Byung-Chul Kim) 전력전자학회 1999 전력전자학술대회 논문집 Vol.1999 No.7
This paper describes the program of optimally choosing parameter in designing inductor, which applied by fuzzy theory, and verifies the reliability of program to use m design of power supply of electronic machine and information communication It is available to find optimal value of complex and various parameter, such as core, winding, winding number, and air-gap, etc,. needed on designing inductor. We expects to minimize time and cost of inductor design.
IsSpice를 이용한 대화면 LCD 백라이트 CCFL 모델링
박홍순(Hong-Sun Park),이정운(Jung-woon Lee),양승학(Seung-Hak Yang),임영철(Young-Cheol Lim),윤창선(Chang-Sun Yun) 전력전자학회 2007 전력전자학술대회 논문집 Vol.- No.-
효율적인 LCD Backlight 구동 시스템 설계를 위해서는 CCFL에 대한 전기적 특성 파악이 중요하지만 디스플레이의 대형화에 따라 LCD Backlight 램프는 길어지고 비선형 특성으로 인해 특성 표현이 곤란하여 회로 설계시 간략화된 등가 모델을 사용하게 되어 실제 인버터 제작과정에서 많은 시행착오를 거치게 한다. 회로 설계시 수식모델 적용을 위한 CCFL의 모델이 필요하며, 이러한 모델은 인버터를 효율적으로 설계할 수 있게 하므로서 설계에 필요한 시간과 자원 절감을 가능하게 한다. 본 논문에서는 42인치 LCD 구동인버터 설계에 필요한 CCFL의 수식 모델링을 IsSpice를 이용하여 구현하였으며, 회로 시뮬레이션과 실험을 통하여 모델의 타당성을 검증하였다.
김화택(Wha-Tek Kim),윤창선(Chang-Sun Yun),김창대(Chang-Dae Kim),최성휴(Sung-Hyu Choi),진문석(Moon-Seog Jin),박태영(Tae-Young Park),박광호(Kwang-Ho Park) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.1
순수한 ZnAl₂S₄, ZnAl₂Se₄, CdAl₂S₄, CdAlSe₄ 및 cobalt와 erbium을 불순물로 첨가한 이들 단결정을 화학수송법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 결정구조, 격자상수, 광학적 energy gap, photoluminescence 특성 등을 측정하여 광학적 전이 기구를 규명하였다. Undoped, cobalt-doped and erbium-doped ZnAl₂S₄, ZnAl₂Se₄, CdAl₂S₄, and CdAl₂Se₄ single crystals were grown by the chemical transport reaction method. The crystal structures, the lattice constants, the optical energy gaps, and the photoluminescence properties of these single crystals were investigated. Also, the optical transition mechanisms by the impurities of cobalt and erbium were identified from these results.
김화택(Wha-Tek Kim),윤상현(Sang-Hyun Yun),현승철(Seung-Cheol Hyun),김미양(Mi-Yang Kim),김용근(Yong-Geun Kim),김형곤(Hyung-Gon Kim),최성휴(Sung-Hyu Choe),윤창선(Chang-Sun Yoon),정해문(Hae-Mun Jeong) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1
SbSBr, BiSBr, SbSBr : Co, BiSBr : Co, SbSBr : Ni 및 BiSBr : Ni 단결정을 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이며, 광학적 energy band gap 구조는 간접전이형이었고, energy gap의 온도의존성은 일차 및 이차 상전이점에서 anomalous한 특성이 나타났다. 불순물로 첨가한 cobalt와 nickel은 T_d 대칭점에 Co^(2+) ion, Co^(3+) ion 및 Ni^(2+) ion으로 위치하며, 이들 ion의 energy 준위간의 전자전이에 의하여 불순물 광흡수 peak들이 나타난다. SbSBr, BiSBr, SbSBr : Co, BiSBr : Co, SbSBr : Ni and BiSBr : Ni single crystals were grown by the vertical Bridgman technique. The grown single crystals were crystallized in orthorhombic. The optical energy band gap of them was the indirect structure, and the temperature dependence of the energy gap showed anomalous properties at the first order phase transition and the second order one. Cobalt and nickel doped with a impurity are sited at the T_d symmetry points as the states of Co^(2+) or CO^(3+) and Ni^(2+) ions.
오석균,현승철,윤상현,김화택,김형곤,최성휴,윤창선,권숙일,Oh, Seok-Kyun,Hyun, Seung-Cheol,Yun, Sang-Hyun,Kim, Wha-Tek,Kim, Hyung-Gon,Choe, Sung-Hyu,Yoon, Chang-Sun,Kwun, Sook-Il 한국진공학회 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.2
SbSI : V, SbSeI : V, BiSI : V, BiSeI : V, SbSI : Cr, SbSeI : Cr, BiSI : Cr, BiSeI : Cr, SbSI : Ni, SbSeI : Ni, BiSI : Ni, 및 BiSeI : Ni 단결정을 고순도(99.9999%)의 성분원소에 혼합물을 투명석 영관내에 넣고, $1{\times}10^{-6}mmHg$의 진공에서 봉입하여 합성한 ingot를 사용하여, 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이며, 광학적 energy band gap 구조는 간접전이형 이었고, energy gap의 온도의존성은 상전이에 관계되는 2개의 변곡점이 나타났으며, 연속된 영역에서는 Varshni 방정식을 만족하였다. 첨가한 3d 불순문(V, Cr, Ni)은 모결정의 $T_d$ 대칭을 갖는 주격자점에 +2가 ion으로 위치하며, 이들 ion의 energy 준위간의 전자전이에 의하여 불순물 광흡수 peak가 나타난다. Single crystals, SbSI : V, SbSeI : V, BiSI : V, BiSeI : V, SbSI : Cr, SbSeI : Cr, BiSI : Cr, BiSeI : Cr, SbSI : Ni, SbSeI : Ni, BiSI : Ni, and BiSeI : Ni were grown by the vertical Bridgman method. It is found that the grown single crystals have an orthorhombic structure and the indirect optical transitions. The temperature dependence of energy gap shows the two reflection point related with the phase transitions and is well fitted with Varshni equation in the continuous region. The optical absorption peaks due to the doped impurities (V, Cr and Ni) are respectively attributed to the electron transitions between the split energy levels of $V^{+2}$, $Cr^{+2}$ and $Ni^{+2}$ ions sited at $T_d$ symmetry of the host lattice.
현승철,오석균,윤상현,김화택,김형곤,최성휴,김창대,윤창선,권숙일,Hyun, Seung-Cheol,Oh, Seok-Kyun,Yun, Sang-Hyun,Kim, Wha-Tek,Kim, Hyung-Gon,Choe, Sung-Hyu,Kim, Chang-Dae,Yoon, Chang-Sun,Kwun, Sook-Il 한국진공학회 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.2
$SbS_{1-x}Se_xI,\;BiS_{1-x}Se_xI,\;Sb_{1-x}Bi_xSI,\;Sb_{1-x}Bi_xSeI,\;SbS_{1-x}Se_xI:Co,\;BiS_{1-x}Se_xI:Co,\;Sb_{1-x}Bi_xSI:Co$, and $Sb_{1-x}Bi_xSeI:Co$ single crystals were grown by the vertical Bridgman method using the ingots. It has been found that these single crystals have an orthorhombic structure and indirect optical transition. The composition dependences of energy gaps are given by $E_g(x)=E_g(0)-Ax+Bx^2$. The impurity optical absorption peaks due to cobalt deped with impurity are attributed to the electron transitions between the split energy levels of $Co^{2+}$ and $Co^{3+}$ ions sited at $T_d$symmetry of the host lattice.
LCD BLU Scanning Inverter 개발에 관한 연구
김현식(Kim Hyun Sik),임영철(Lim Young Cheol),윤창선(Yun Chang Sun),허동영(Huh Dong Young) 전력전자학회 2008 전력전자학술대회 논문집 Vol.- No.-
최근 LCD가 가지는 단점으로 움직이는 동화상 응답속도 MPRT(Motion Picture Response Time) 개선에 대해 기업에서 많은 연구가 수행되고 있다. 이 가운데 최근 LCD 화면 재생주파수를 60㎐에서 120㎐로 가속 시키고 있는 가운데 본 논문에서는 MPRT개선을 위한 Scanning 인버터를 제작 하여 그 성능을 검증 하였다.
오석균(Seok-Kyun Oh),현승철(Seung-Cheol Hyun),윤상현(Sang-Hyun Yun),김화택(Wha-Tek Kim),김형곤(Hyung-Gon Kim),최성휴(Sung-Hyu Choe),윤창선(Chang-Sun Yoon),권숙일(Sook-Il Kwun) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.2
SbSI : V, SbSel : V, BiSI : V, BiSeI : V, SbSI : Cr, SbSeI : Cr, BiSI : Cr, SbSI : Ni, SbSeI : Ni, BiSI : Ni, 및 BiSeI : Ni 단결정을 고순도(99.9999%)의 성분원소에 혼합물을 투명석 영관내에 넣고, 1×10^(-6)㎜Hg의 진공에서 봉입하여 합성한 ingot를 사용하여, 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 단결정의 구조는 orthorhombic 구조이며, 광학적 energy band gap 구조는 간접전이형 이였고, energy gap의 온도의존성은 상전이에 관계되는 2개의 변곡점이 나타났으며, 연 속된 영역에서는 Varshni 방정식을 만족하였다. 첨가한 3d 불순물 (V, Cr, Ni)은 모결정의 T_d 대칭을 갖는 주격자점에 +2가 ion으로 위치하며, 이들 ion의 energy 준위간의 전자전이에 의하여 불순물 광흡수 peak 가 나타난다. Single crystals, SbSI : V, SbSel : V, BiSI : V, BiSeI : V, SbSI : Cr, SbSeI: Cr, BiSI : Cr, BiSeI : Cr, SbSI : Ni, SbSeI : Ni, BiSI : Ni, and BiSeI : Ni were grown by the vertical Bridgman method. It is found that the grown single crystals have an orthorhombic structure and the indirect optical transitions. The temperature dependence of energy gap shows the two reflection point related with the phase transitions and is well fitted with Varshni equation in the continuous region. The optical absorption peaks due to the doped impurities (V, Cr, and Ni) are respectively attributed to the electron transitions between the split energy levels of V^(2+), Cr^(2+) and Ni^(2+) ions sited at T_d symmetry of the host lattice.