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Genetic relatedness of Antimicrobial resistant Campylobacter jejuni from Livestock
Jae-Uk An(Jae-Uk An),Woohyun Kim(Woohyun Kim),Junhyung Kim(Junhyung Kim),Hee-Jin Dong(Hee-Jin Dong),Hungwui Ho(Hungwui Ho),Jong-Hyun Kim(Jong-Hyun Kim),Seongbeom Cho(Seongbeom Cho) 한국예방수의학회 2018 한국예방수의학회 학술대회자료집 Vol.2018 No.-
Kim, Ryunhee,Kim, Jihye,Chung, Changuk,Ha, Seungmin,Lee, Seungjoon,Lee, Eunee,Yoo, Ye-Eun,Kim, Woohyun,Shin, Wangyong,Kim, Eunjoon Society for Neuroscience 2018 The Journal of neuroscience Vol.38 No.17
<P>Shank2 is an excitatory postsynaptic scaffolding protein implicated in synaptic regulation and psychiatric disorders including autism spectrum disorders. Conventional Shank2-mutant (Shank2(-/-)) mice display several autistic-like behaviors, including social deficits, repetitive behaviors, hyperactivity, and anxiety-like behaviors. However, cell-type-specific contributions to these behaviors have remained largely unclear. Here, we deleted Shank2 in specific cell types and found that male mice lacking Shank2 in excitatory neurons (CaMKII-Cre;Shank2(fl/fl)) show social interaction deficits and mild social communication deficits, hyperactivity, and anxiety-like behaviors. In particular, male mice lacking Shank2 in GABAergic inhibitory neurons (Viaat-Cre;Shank2(fl/fl)) display social communication deficits, repetitive self-grooming, and mild hyperactivity. These behavioral changes were associated with distinct changes in hippocampal and striatal synaptic transmission in the two mouse lines. These results indicate that cell-type-specific deletions of Shank2 in mice lead to differential synaptic and behavioral abnormalities.</P>
Kim, Gil Seop,Song, Hanchan,Lee, Yoon Kyeung,Kim, Ji Hun,Kim, Woohyun,Park, Tae Hyung,Kim, Hae Jin,Min Kim, Kyung,Hwang, Cheol Seong American Chemical Society 2019 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES Vol.11 No.50
<P>The thin-film growth conditions in a plasma-enhanced atomic layer deposition for the (3.0-4.5) nm thick HfO<SUB>2</SUB> film were optimized to use the film as the resistive switching element in a neuromorphic circuit. The film was intended to be used as a feasible synapse with analog-type conductance-tuning capability. The 4.5 nm thick HfO<SUB>2</SUB> films on both conventional TiN and a new RuO<SUB>2</SUB> bottom electrode required the electroforming process for them to operate as a feasible resistive switching memory, which was the primary source of the undesirable characteristics as the synapse. Therefore, electroforming-free performance was necessary, which could be accomplished by thinning the HfO<SUB>2</SUB> film down to 3.0 nm. However, the device with only the RuO<SUB>2</SUB> bottom electrode offered the desired functionality without involving too high leakage or shorting problems, which are due to the recovery of the stoichiometric composition of the HfO<SUB>2</SUB> near the RuO<SUB>2</SUB> layer. In conjunction with the Ta top electrode, which provided the necessary oxygen vacancies to the HfO<SUB>2</SUB> layer, and the high functionality of the RuO<SUB>2</SUB> as the scavenger of excessive incorporated oxygen vacancies, which appeared to be inevitable during the repeated switching operation, the Ta/3.0 nm HfO<SUB>2</SUB>/RuO<SUB>2</SUB> provided a highly useful synaptic device component in the neuromorphic hardware system.</P> [FIG OMISSION]</BR>
노지 오이 스마트 재배를 위한 토양수분기반 자동제어시스템 개발 연구
김민영 ( Minyoung Kim ),박정훈 ( Jeonghun Park ),김용원 ( Yongwon Kim ),오우현 ( Woohyun Oh ),김대현 ( Deahyeon Kim ),최용훈 ( Yonghun Choi ),전종길 ( Jong-gil Jeon ),김영진 ( Young-jin Kim ) 한국농업기계학회 2018 한국농업기계학회 학술발표논문집 Vol.23 No.2
가뭄 등 기후변화에 대응한 노지 밭작물의 물관리 자동화 및 생산성 향상이 필요하며, 고품질 밭작물생산을 위해서는 무엇보다도 정확한 물관리가 중요하다. 이에 본 연구에서는 토양수분기반의 스마트 관개를 할 수 있는 자동제어 시스템을 개발하였다. 본 시스템은 크게 4가지, 데이터 수집부(토양수분-EC-지온센서, 감우센서), 데이터 송수신부(데이터로거, CDMA 모뎀), 관개시스템 제어부(컨트롤러, 전자밸브), 원격 모니터링 및 제어부(휴대폰 어플리케이션),로 구성되어 있다. 시스템의 주요 기능은 토양정보를 기반으로 자동, 수동 및 타이머 방식의 관개 및 관비를 할 수 있다는 기능이 있으며, 환경변화를 고려해 돌발강우시 자동 시스템 정지 기능을 갖추고 있다. 휴대폰 어플리케이션을 통하여 과거 및 실시간 내 농장 정보를 언제 어디서나 확인 가능하고, 원격으로 관개시스템을 제어할 수도 있다. 비상시 알림 및 시스템원격 정지, 실시간 날씨 정보 제공, 강우 예보시 지체시간 설정 등 기능도 포함하고 있다. 시스템을 전북진안군 소재 노지 오이 재배지에 적용해 본 결과, 수확량의 경우 21.3% 증가하였으며, 품질 또한 ‘특’상품이 관행대비 33.7% 증가하는 결과가 나타났으며, 이는 농가 소득 증가로 이어져 약 25.1%의 수익이 증가 하였다. 관개 소요노동력의 경우 월 19.5시간 절감하였으며, 농업용수 사용량의 경우 약 11.0% 절약할 수 있는 결과를 확인할 수 있었다.
노지 오이 재배를 위한 작물 증발산량 기반의 적정 관개계획 활용 연구
김민영 ( Minyoung Kim ),박정훈 ( Jeonghun Park ),김용원 ( Yongwon Kim ),오우현 ( Woohyun Oh ),김대현 ( Deahyeon Kim ),최용훈 ( Yonghun Choi ),전종길 ( Jong-gil Jeon ),김영진 ( Young-jin Kim ) 한국농업기계학회 2018 한국농업기계학회 학술발표논문집 Vol.23 No.2
가뭄, 폭염 등 기후변화에 따른 물부족으로 농작물 피해에 선제적으로 대응하는 연구가 필요할 뿐만 아니라, 고령화, 여성화로 인해 부족해진 농촌 노동력 문제를 해결하기 위해 노지 밭작물의 적정 물관리의 자동화 기술 개발이 시급하다. 기존 토양수분정보 기반의 물관리의 경우 토양센서를 설치하여 실시간 토양수분값을 기반으로 관개를 실시하는데, 이는 센서가 설치된 부분에 국한되기 때문에 이질성이 강한 토양의 밭 전체에 대한 대표성이 결여된다는 문제점이 일부 제기된 바 있다. 이에 본 연구에서는 토양수분센서가 아닌, 기상자료를 기반으로 작물과 토양으로부터 소실되는 물의 양을 수학적인 방법으로 산정하고, 이를 기반으로 관개를 하는 기술을 개발하였다. 작물 생육시기별 증발산량은 Penman-Monteith 방정식(FAO 권고방법)을 이용해 작물 계수를 반영하여 산정하였으며, 본 연구에서는 전북 진안군에 소재하는 노지 오이 재배지를 대상으로 개발한 기법을 적용 · 평가해보았다. 시험 유역 내 간이 기상대를 설치하고, 작물 증발산량 산정에 필요한 6개의 일별 기상정보(최소-평균-최대 온도, 습도, 풍속, 일사량)을 수집하여 작물 증발산량을 산정한 후, 토양수분값 변화를 고려하여 1일 1회 관개하는 관개계획을 수립하였다. 적용 결과, 경험에 의존해 관개하던 관행 대비, 작물 증발산량을 고려한 관개계획의 경우 수확량 15.8% 증가(‘특’+‘상’상품), 품질향상에 따른 ‘특’상품 생산량이 34.6% 증가한 것으로 나타났다. 하지만 관행대비 관개용수량 사용량을 비교해 본 결과 큰 차이는 보이지 않아, 용수 절감차원에서의 효과는 다소 적은 것으로 연구결과 나타났다.
Kim, Woohyun,Yoo, Sijung,Yoo, Chanyoung,Park, Eui-Sang,Jeon, Jeongwoo,Kwon, Young Jae,Woo, Kyung Seok,Kim, Han Joon,Lee, Yoon Kyeung,Hwang, Cheol Seong IOP 2018 Nanotechnology Vol.29 No.36
<P>The ovonic threshold switch (OTS) based on the voltage snapback of amorphous chalcogenides possesses several desirable characteristics: bidirectional switching, a controllable threshold voltage (<I>V</I> <SUB>th</SUB>) and processability for three-dimensional stackable devices. Among the materials that can be used as OTS, GeSe has a strong glass-forming ability (∼350 °C crystallization temperature), with a simple binary composition. Described herein is a new method of depositing GeSe films through atomic layer deposition (ALD), using HGeCl<SUB>3</SUB> and [(CH<SUB>3</SUB>)<SUB>3</SUB>Si]<SUB>2</SUB>Se as Ge and Se precursors, respectively. The stoichiometric GeSe thin films were formed through a ligand exchange reaction between the two precursor molecules, without the adoption of an additional reaction gas, at low substrate temperatures ranging from 70 °C–150 °C. The pseudo-saturation behavior required a long time of Ge precursor injection to achieve the saturation growth rate. This was due to the adverse influence of the physisorbed precursor and byproduct molecules on the efficient chemical adsorption reaction between the precursors and reaction sites. To overcome the slow saturation and excessive use of the Ge precursor, the discrete feeding method (DFM), where HGeCl<SUB>3</SUB> is supplied multiple times consecutively with subdivided pulse times, was adopted. DFM led to the saturation of the GeSe growth rate at a much shorter total injection time of the Ge precursor, and improved the film density and oxidation resistance properties. The GeSe film grown via DFM exhibited a short OTS time of ∼40 ns, a ∼10<SUP>7</SUP> ON/OFF current ratio, and ∼10<SUP>4</SUP> selectivity. The OTS behavior was consistent with the modified Poole–Frenkel mechanism in the OFF state. In contrast, the similar GeSe film grown through the conventional ALD showed a low density and high vulnerability to oxidation, which prevented the OTS performance. The ALD method of GeSe films introduced here will contribute to the fabrication of a three-dimensionally integrated memory as a selector device for preventing sneak current.</P>