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Four-Point Probe method를 이용한 실리콘 웨이퍼의 비저항 정밀측정
강전홍(Kang Jeon-Hong),유광민(Yu Kwang-Min),한상옥(Han Sang-Ok),구경완(Gu Kung-Wan) 대한전기학회 2010 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2010 No.11
실리콘 웨이퍼의 비저항 정밀측정은 일반적으로 Four-Point Probe(FPP) method의 single-configuration 기술을 이용하여 측정한다. 이 측정방법은 시료의 표면에 프로브를 접촉시키면 실리콘 웨이퍼의 비저항을 쉽게 측정할 수 있는 방법이지만 탐침 간격에 대한 시료의 크기와 두께 보정계수를 반드시 적용하여야 한다. 보정계수를 적용한 경우의 비저항 측정값과 그렇지 않은 경우의 비저항 측정값을 비교한 결과 1.0 %이상의 편차를 나타냈으며, 보정계수 적용 유무에 따라 측정의 정확도에 큰 영향을 미친다.
Single-configuration FPP method에 의한 실리콘 웨이퍼의 비저항 정밀측정
강전홍(Jeon-Hong Kang),유광민(Kwang-Min Yu),구경완(Kung-Wan Koo),한상옥(Sang-Ok Han) 대한전기학회 2011 전기학회논문지 Vol.60 No.7
Precision measurement of silicon wafer resistivity has been using single-configuration Four-Point Probe(FPP) method. This FPP method have to applying sample size, shape and thickness correction factor for a probe pin spacing to precision measurement of silicon wafer. The deference for resistivity measurement values applied correction factor and not applied correction factor was about 1.0 % deviation. The sample size, shape and thickness correction factor for a probe pin spacing have an effects on precision measurement for resistivity of silicon wafer.