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- 저자 : Kun Kul Ryoo ) (검색결과 24 건)
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류근걸 순천향대학교 부설 산업기술연구소 2000 순천향 산업기술연구소논문집 Vol.6 No.2
A computational study was carried out on the fluid flows in semiconductor processes such as air in the cleanroom and water in the cleaning bath. Air flow was observed in terms of pressure and velocity changes, and it was realized that tables or process equipments might generate the turbulence air flow causing the stagnation of contaminants in the dead zone and the decrease of cleanness, Hence, it considered for the semiconductor yield improvement. Cleaning bath design changes, also, may result in various cleaning effects and therefore various yield variations. Introduction of computational study to semiconductor processes will give safe and economic decision criteria for feasibility of design and process developments of semiconductor fabrications.
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류근걸 순천향대학교 부설 산업기술연구소 2004 순천향 산업기술연구소논문집 Vol.10 No.2
Porcelain coating has been paid attention to since teflon coating of DuPont on kitchen utensils was realized to develop the environmental issues, resulting in the announcement of its use restriction policy in August, 2004. However carbon steel substrate is believed to release hydrogen gas to the interface between porcelain coating powder to prevent the fish scale generation. Its price is very expensive so that the domestic production is essential for international superiority. In this work the additives were analyzed to review the possibility of domestic production, including fish scale analysis to understand its generation mechanism. Additives consisted of nickel oxide and silicon Oxide powders with no organic binders. Silicon oxide particle size was about about 10 um, while that of nickel oxide was less than 1 um. The original location of fish scale generation was spotted in the coating without additives. It was concluded that the additives could be produced domestically to substitute the imported foreign additives.
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류근걸 순천향대학교 부설 산업기술연구소 2004 순천향 산업기술연구소논문집 Vol.10 No.2
지난 10년 동안 디스플레이 및 반도체 분야의 RCA 세정은 높은 수준의 집적도와 환경적인 요구에 부응하기 위하여 집중적으로 연구 되어왔다. 본 연구에서는 RCA 세정을 대체할 전리수의 양극수를 이용하여 Pourbaix 개념을 바탕으로 입자와 유기오염물 그리고 금속을 세정하고자 하였다. 매개물로 MgO입자를 이용하여 새로운 세정 개념을 시험하고 증명하였다. 사용된 양극수의 pH는 3.0 이고, ORP(Oxidation Reduction Potential)는 900mV 이었다. 양극수에 의해 용해 세정되는 MgO의 양을 분석하기 위하여 MgO입자를 입힌 0.5mm두께의 유리판의 무게 감소를 측정하였다. 유리판 무게 1g~2g기준으로 MgO 무게가 100㎍~500㎍ 범위로 감소함을 확인하였다. 디스플레이 및 반도체 세정에서는 1E10에서 1E15 ea/cm^(2)범위의 오염 수준이 다루어지고 있기 때문에 양극수를 디스플레이 세정에 적용할 수있음을 알 수 있었다. 그리고 OH radical이 없기 때문에 표면의 micro roughness도 최소화 할 수 있으며, 나노 입자 세정을 위하여 매우 의미 있는 결과라 할 수 있다.
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중성자 조사에 의해 생성된 실리콘 결정내의 점결함 연구
이운섭,류근걸,김봉구 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2001 반도체장비학술심포지움 Vol.2001 No.-
반도체 소자의 기판 재료로 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 그 정밀도가 매우 중요하다.본 연구에서는 균일한 Dopant 농도 분포를 얻을 수 있는 중성자 변환 Doping을 이용하여 실리콘에 인(P)을 Doping하는 연구를 수행하였다.중성자 변환 Doping, 즉 NTD(Neutron Transmutation Doping)란 원자번호 30인 실리콘 동위원소에 중성자가 조사되면 원자번호 31인 실리콘으로 변환되고, 2.6시간의 반감기를 갖고 decay 되면서 인(P)으로 변하게 되어 실리콘 웨이퍼에 n-type 전도를 갖게 하는 것을 말한다.본 연구에서는 하나로 원자로를 이용하여 고저항(1000-2000Ω㎝) FZ 실리콘 웨이퍼에 중성자 조사하여 저항의 변화를 관찰하였고, 중성자 조사시 발생하는 점결함을 분석하여 점결함이 저항 변화에 미치는 영향을 알아보았다.중성자 조사 전 이론적 계산에 의해 16.8Ω㎝와 4.76Ω㎝의 저항을 얻을 수 있을 것으로 예상되었고, 중성자 조사 후 SRP로 측정한 결과 실리콘 웨이퍼가 3Ω㎝와 2.5Ω㎝의 저항을 가지고 있을 확인할 수 있었으며, FT-IR 분석결과 점결함의 변화 양상을 확인할 수 있었다.
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정해도,문도민,강성건,류근걸 釜山大學校生産技術硏究所 1997 生産技術硏究所論文集 Vol.52 No.-
SOI(Silicon On Insulator)기술은 MOS(Metal-Oxide Semiconductor), CMOS(Complementary MOS)등의 전자집적회로 제조시 소자의 고속화, 고집적화, 저전력화, 발열 특성의 향상 등의 효과를 기대할 수 있다. 간략하게 Bonded SOI웨이퍼의 제조를 설명하면 SiO₂를 성장시킨 웨이퍼와 경면 가공한 다른 웨이퍼를 접합하여 열처리 등 후공정을 행한 후 한쪽 웨이퍼를 원하는 두께만큼 박막으로 가공한다. 본 연구에서는 기본적인 Bonded SOI 웨이퍼의 제조 공정 기술을 획득하고, 이를 통해 두께 3㎛ 이하, 표면거칠기 5Å이하의 상부 실리콘 박막을 가공하였다. SOI(Silicon On Insulator) technology is many advantages in the fabrication of MOS(Metal-Oxide Semiconductor) and CMOS(Complementary MOS) structures. These include high speed, lower dynamic power consumption, greater packing density, increased radiation tolearence et al. In the smiplest form of bonded SOI wafer manufacturing, creating, a bonded SOI structure involves oxidizing at least one of the mirror polished silicon surfaces, cleaning the oxidized surface and the surface of the layer to which it will be bonded, bringing the two cleanded surfaces together in close physical proximity, allowing the subsequent room temperature bonding to proceed to completion, and then following this room temperature joining with some form of heat treatment step, and device wafer is thinned to the target thickness. In this paper, The process of Bonded SOI wafer manufacturing is described briefly, and we made an attempt to manufacture the Bonded SOI safer that Si layer thickness is below 3㎛ and average roughness is below 5Å.
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A TREND OF SOI WAFER TECHNOLOGY FOR THE NEXT GENERATION DEVICE APPLICATIONS
Ryoo, Kun-Kul 한국재료학회 1995 Fabrication and Characterization of Advanced Mater Vol.2 No.e4
The progress of microelectonics technology has chronically required aggressive developmenmts of materials as well as device processes. The requirements of silicon wafer as a very primary material have been changed quite predictable based on the device development progresses so far. However, the ruquirements of the next generation devices is heading to the limits of their functions and materials and aksing the very specific silicon wafer such ans SOI(Silicon On Insulator) wafer. The talk covers the domestic and world-wide status of SOI wafter technology development, several matured technology directions and their comparisons, and properties of SOI devices. The presentation also treats some predictions such as SOI developmet, schedules, impacts on the bulk wafer developments, market development and size, SOI wafer prices, and other applications of SOI technology. Fnally it covers technicla details which are silicon oxide conditions for bonding, point defects and their behaviours, surface contaminations, and so on. These points will be hopefully overcome by people who face to SOI or the related technology developments.
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전기영동 겔과 녹차성분에 대한 환원전리수의 침투력과 용해력
류근걸(Ryoo Kun-kul),이윤배(Lee Yoon-Bae),이종권(Lee Jong-kwon),이미영(Lee Mi-Young) 한국산학기술학회 2005 한국산학기술학회논문지 Vol.6 No.1
본 연구에서는 전기영동 젤에 대한 환원전리수의 침투력과 녹차성분에 대한 환원전리수의 용해력을 일반 물과 서로 비교하였다. 환원전리수로 제조한 CBB-R 염색시약으로 polyacrylamide 젤 상에서 단백질을 다양한 시간 동안 염색한 후, 증류수로 제조한 CBB-R 염색시약에 의한 영색강도와 서로 비교하였다. 그 결과 환원전리수로 제조한 CBB-R 염색시약은 증류수로 제조한 CBB-R 염색시약보다 먼저 단백질을 강하게 염색시켰다. 뿐만 아니라 25℃에서 환원전리수는 일반 물에 비하여 녹차성분에 대해 극히 탁월한 용해력을 나타내었다. 이러한 결과는 환원전리수가 일반 물보다 침투력과 용해력이 매우 강력하다는 것을 보여준다. The permeability of cathodic electrolyzed water toward electrophoretic gel and dissolvability of cathodic electrolyzed water toward green tea components were compared with those of general waters in this investigation. Stained band intensities of the proteins by CBB-R prepared in cathodic electrolyzed water were compared with those in deionized water for various time intervals. Proteins were stained first by CBB-R in cathodic electrolyzed water as compared with those by CBB-R in deionized water. Moreover, cathodic electrolyzed water showed dramatically enhanced solubility toward green tea components at 25℃ than general waters. These results suggest much greater permeability and dissolvability of cathodic electrolyzed water than those of general waters.
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