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- 발행기관 : 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 (검색결과 222 건)
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중성자 조사에 의해 생성된 실리콘 결정내의 점결함 연구
이운섭,류근걸,김봉구 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2001 반도체장비학술심포지움 Vol.2001 No.-
반도체 소자의 기판 재료로 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 그 정밀도가 매우 중요하다.본 연구에서는 균일한 Dopant 농도 분포를 얻을 수 있는 중성자 변환 Doping을 이용하여 실리콘에 인(P)을 Doping하는 연구를 수행하였다.중성자 변환 Doping, 즉 NTD(Neutron Transmutation Doping)란 원자번호 30인 실리콘 동위원소에 중성자가 조사되면 원자번호 31인 실리콘으로 변환되고, 2.6시간의 반감기를 갖고 decay 되면서 인(P)으로 변하게 되어 실리콘 웨이퍼에 n-type 전도를 갖게 하는 것을 말한다.본 연구에서는 하나로 원자로를 이용하여 고저항(1000-2000Ω㎝) FZ 실리콘 웨이퍼에 중성자 조사하여 저항의 변화를 관찰하였고, 중성자 조사시 발생하는 점결함을 분석하여 점결함이 저항 변화에 미치는 영향을 알아보았다.중성자 조사 전 이론적 계산에 의해 16.8Ω㎝와 4.76Ω㎝의 저항을 얻을 수 있을 것으로 예상되었고, 중성자 조사 후 SRP로 측정한 결과 실리콘 웨이퍼가 3Ω㎝와 2.5Ω㎝의 저항을 가지고 있을 확인할 수 있었으며, FT-IR 분석결과 점결함의 변화 양상을 확인할 수 있었다.
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김준식 호서대학교반도체제조장비국산화 연구센터 2000 반도체 장비기술 논문집 Vol.2000 No.-
국내에서 생산되는 반도체의 주를 이루고 있는 메모리 소자는 한국을 대표하는 수출업종이 되었다. 이렇게 급변하는 반도체 제조 기술에 비해 검사장비 및 검사장비 개발은 국내 기술로는 아직 부족한 면이 많다. 특히 반도체 검사 장비 중 반드시 거쳐야 하는 DC parameter tester 에 관한 국내 기술 자료는 거의 없는 형편이다. 이에 본 연구개발에서는 제조된 반도체 소자를 제조공정중 혹은 불량 검사 시에 사용할 수 있는 DC parameter tester를 구현하였다. 기존에 제작된 검사 시스템에서는 여러 보상 회로 및 출력 안정회로, 고전압 검사 회로 등이 포함되어 회로가 복잡하고, PC와의 인터페이스 또한 어려웠으나, 본 연구에서는 적은 개수의 반도체 소자를 사용하여 DC parameter tester 를 구현하였으며, Altera EPM7064SLC44-10를 사용하여 아날로그 회로와 PC와의 인터페이스를 쉽게 구현하였다. 또한 동작의 안정성을 위하여 출력값을 입력값과 비교하여 그 차이를 다시 입력값과 더하거나 빼주어 출력을 안정시키는 방법을 사용하였다. 다이오드 1N4148에 대해서 VFCS(Voltage Force Current Sensing)와 CFVS (Current Force Voltage Sensing)모드로 검사하여 컴퓨터 모의실험 결과와 비교하였으며, 이를 통해 본 연구에서 개발한 겸사 시스템의 성능을 입증하였다.
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김동환 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2001 반도체장비학술심포지움 Vol.2001 No.-
1997년과 1998년 4월 1일자의 M&A제한규정이었던 증권거래법 제200조의 철폐와 적대적 M&A의 전면허용 그리고 외국자본의 투자제한의 간소화등 규제완화조치와, 향후 외국인에 대해서 100%까지 주식을 매입할 수 있는 적대적 M&A가 허용될 것으로 보여 우리 나라에서도 M&A활동이 보다 본격화 될 것으로 전망되고 있다. 우리 나라에서는 1980년대부터 M&A에 대한 관심과 연구가 시작되면서 지금까지 기업합병 · 인수의 동기와 효과에 대해서 많은 연구가 이루워져 왔다.지금까지의 연구내용은 대부분 기업의 M&A동기는 시너지효과를 얻기위함이며, 또한 공시정보가 합병공시일 전후동안에 주가수익율에 반영되어 합병 당사기업의 주주의 부에 영향을 미치는지의 주가변화 유무에 국한된 것이었다.또한 1985년부터 1991년초 사이에 이루워졌던 연구는 당시 국내 M&A 환경이 매우 열악하고 극히 제한된 비정상적인 자본시장 상황하에서 이루어진 사례에 의한 연구이었기 때문에 연구결과의 문제점과 한계성이 있었고, 실효성 측면에서도 다소 미흡하였다고 할 수 있다. 우리 나라 M&A의 성장발전과정을 크게 2단계로 분류한다면, 제1단계는 1975년부터 시작하여 1990년 까지로써 이 기간동안의 M&A환경은 그 여건조성과 성숙준비단계였으며, 제2단계인 1990년 초부터 비로소 선진국형 시장경제원리에 근거한 보다 경쟁적이고 자율적인 M&A 시장구조가 형성되면서 활성화 단계로 진입하였다고 볼 수 있을 것이다. 본 연구의 주된 목적은 1990년부터 1996년 사이에 이루워진 상장기업의 M&A 사례를 표본으로 하여 한국에서의 기업합병과 기업인수(주식취득)가 기업가치에 미치는 영향을 구명하는데 있다. 이를 위하여 먼저, M&A 당사기업의 합병성과 발생과 차이 유무를 주가수익율을 측정하여 실증분석하고 다음으로 M&A에 따른 시너지의 잠재적 원천이 어디에 있는지 재무성과분석을 통해서 이를 실증하는데 목적이 있다.
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반도체 초정밀장비의 진동허용규제치를 고려한 지지구조의 동특성 개선에 관한 연구
손성완,이홍기,백재호 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2003 학술대회 자료집 Vol.2003 No.1
전동에 민감한 각종 정밀장비를 갖추고 있는 공장구조물은 설립하는 설계 초기단계에서부터 정밀장비의 정상 운용을 위하여 장비 업체 제시한 진동허용규제치 및 동특성허용규제치를 만족할 수 있도록 공장구조물 설계시 진동측면에 대하여 동적(動的) 특성을 검토해야만 한다. 이러한 설계조건을 만족시켜주기 위한 방안으로 외부에서 정밀장비로 유입되는 진동에 대한 진동절연을 위하여 진동전달률 이론을 적용하여 방진효율 산출하는 방법과 정밀장비에서 발생하는 동하중을 고려하여 공장구조물에 대한 동적설계를 수행하는 것으로, 구조물 동특성을 요구되는 만큼 구조물의 동특성 변경하는 SDM(Structural Dynamic Modifacation)방법이 주로 활용된다. 이에 본 연구에서는 앞서 언급한 구조물의 동적설계시 후자조건인 구조물의 동특성을 변경하고자 하는 경우에 실구조물에 하중을 정량 적으로 저절하며 가할 수 있는 VSD 시스템을 이용하여 구조물의 동특성을 변화시키는 것을 동적해석으로 예측하였고, 현장에서 실제 동적실험으로 구한 결과를 동적설계목표치와 비교하여 유용성에 대하여 확인하였다.
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안종근,박두순,오동익,이상헌 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2001 반도체장비학술심포지움 Vol.2001 No.-
지방자치제 시대에 발맞추어 정보통신부와 행정자치부에서 추진중인 지역정보화 사업에는 지역의 특성을 살린 정보제공을 목표로 한 지역 정보화 센터를 설립하여 지역 주민들에게 생활정보, 산업정보, 행정정보를 제공할 수 있도록 계획하고 있다.현재 지방자치단체에서는 이러한 업무를 수행할 수 있는 정보화 관련 인력이나 예산은 물론이고 장기적인 계획조차 수립하고 있지 못하고 있는 곳이 많으며, 또한 현재의 조직과 예산으로는 지방자치단체의 자체 개발은 어려운 실정이다. 따라서, 본 연구에서는 각 지역에 소재한 중 · 소기업들에게 제공할 수 있는 산업정보와 일반 시민들이 필요로 하는 생활정보의 기본적인 내용과 틀을 마련하여 전국의 232개 시 · 군 · 구의 지역 정보화 센터에서 활용할 수 있는 생활/문화, 무역/기업, 산업/경제, 열린 마당에 관한 컨텐츠를 개발하였다.
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차옥환,설용태,임효재 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2003 학술대회 자료집 Vol.2003 No.1
본 연구에서는 저압 상태인 반도테 제조장비의 입자오염을 측정하는데 많이 사용되고 있는 ISPM 의 성능특성을 실험적 기법으로 조사하였다. 2 개의 공기역학적 렌즈를 사용하여 주입된 219.41 nm 크기의 PSL 실험 입자 빔을 생성시켰다. 또한 기존에 보고된 실험조건에 따라 chamber 압력, 유입유량을 각각 1 torr와 32 sccm으로 맞추었으며, 입자 농도를 두 가지로 변화시켜 실험하였다. 연구에 사용된 본 연구센터의 ISPM 장비는 250 nm 근처의 입자 크기에 대하여 비교적 정확한 특성을 나타냄을 알 수 있었다. 앞으로 본 실험에서는 사용된 ISPM 장비의 측정 환경에 맞는 렌즈 수, 렌즈 간격, 적정 압력, 적정 입자 크기 등 조건들을 결정하여 실제 반도체 제조장비 공정 chamber 에 직접 부착하여 반도체 공장에 활용할 계획이다.
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최병욱 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2001 반도체장비학술심포지움 Vol.2001 No.-
본 논문에서는 국제 IMS 프로그램에서 논의되고 있는 제조(생산)분야의 지능형생산시스템기술개발과 미래에의 발전을 위하여 어떤 방향으로 나아가야 할 것인지에 대한 내용을 소개한다.국제적 제조(생산) 환경을 기술뿐 아니라 사회 · 경제적 관점 등 다각도로 분석하고, 제조(생산)시스템과 기술 환경을 검토한다.'신제조'의 특징을 살펴보면, 기술과 조직 · 문화간의 협력, 신기술을 이용한 국제적 부의 창조 등에 대하여 살펴본다.
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오삼권 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2000 반도체 장비기술 논문집 Vol.2000 No.-
SECS(SEMI Equipment Communication Standard)프로토콜이란 반도체 제조 공정에서 사용되는 장비간의 통신 규약을 말한다. SECS 프로토콜은 크게 "메시지 전송" 부분과 "메시지 내용" 부분으로 구성된다. SECS Ⅰ표준과 HSMS(High-speed SECS Message Service)표준은 프로토콜의 "메시지 전송" 부분으로서, 주로 테이터가 전송되는 방법을 규정하며,SECS Ⅰ표준은 RS-232C 프로토콜을 HSMS 표준은 TCP/IP 프로토콜을 사용한다. SECS Ⅱ 표준은 프로토콜의 '메시지 내용" 부분으로서, 전송될 데이터의 내용과 형식을 규정한다. SECS Ⅱ 표준에서 정의한 모든 메시지는 하나 이상의 메시지 전송 규정에 따르며, 이러한 메시지 전송 규정을 하나의 트랜잭션으로 관리한다. 그리고 이러한 트랜잭션의 조합으로 반도체 제조 공정을 제어하고 관리한다. GEM 표준은 반도체 제조 공정을 제어하고 관리하기 위한 트랜잭션의 조합을 정의한다. 본 논문에서는SECS 프로토콜을 통한 반도체 제조 공정 관리 시스템의 프로토콜을 통한 반도체 제조 공정관리 시스템의 프로토콜 표준별 기능 요구사항을 분석하고, 각 표준의 객체 지향적 구현방식을 기술한다.
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최병욱 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2001 반도체장비학술심포지움 Vol.2001 No.-
본 논문에서는 국제 IMS 프로그램에서 논의되고 있는 제조(생산)분야의 지능형생산시스템기술개발과 미래에의 발전을 위하여 어떤 방향으로 나아가야 할 것인지에 대한 내용을 소개한다.국제적 제조(생산) 환경을 기술뿐 아니라 사회 · 경제적 및 산업적 관점 등 다각도로 분석하고, 제조(생산)시스템과 기술 환경을 검토한다.'신제조(新製造, New Manufacturing)' 의 특성을 정의하고 신제조를 구현하기 위해 필요한 기술, 조직 · 문화간의 협력, 신기술을 이용한 국제적 부의 창조 등에 대하여 살펴본다.
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